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1. 发明专利

JP5765642B2 単結晶引上げ装置の結晶保持機構および単結晶インゴット製造方法有权
标题翻译：晶体保持机构和所述单晶提拉装置的单晶锭的制造方法
公开(公告)号：JP5765642B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2013508898
申请日：2012-04-04
申请人：株式会社SUMCO
发明人：須田歩 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1032

2. 发明专利

JP6206178B2 単結晶の引上げ方法有权
公开(公告)号：JP6206178B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013270641
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B30/04 , C30B15/22

3. 发明专利

JP2015124127A 単結晶の引上げ方法有权
标题翻译：提高单晶的方法
公开(公告)号：JP2015124127A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013270641
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B30/04 , C30B15/22
摘要：【課題】水平磁場の中心位置を熱遮蔽体の鉛直方向の位置のずれ量に応じて調整することにより、引上げられる単結晶の品質のバラツキを低減する。【解決手段】本発明は、CZ炉10のルツボ13に入れた原料をヒータ19により加熱して融液16にし、この融液に水平磁場を印加しかつ融液から引上げられる単結晶11外周面を熱遮蔽体46が包囲した状態で単結晶を引上げる方法である。ヒータによるルツボ内の融液の加熱状態でCZ炉での最初の単結晶の引上げ前に熱遮蔽体の初回位置を測定し、この初回位置を基準として水平磁場の中心位置33をその設定位置に合せ、ヒータによるルツボ内の融液の加熱状態でCZ炉での2本目以降の単結晶の引上げ前又は引上げ中に熱遮蔽体が上記初回位置からずれた量を測定し、このずれ量に応じて水平磁場の中心位置を調整する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过根据热屏蔽体的垂直位置偏移的量调节水平磁场的中心位置来降低提升的单晶的质量变化。解决方案：提供了一种方法，将放置在CZ炉10的坩埚13中的原料放入单晶中，由加热器19加热成熔体16，在熔融体施加水平磁场的同时，从熔体中提升的单晶11具有在热屏蔽体46包围的外周表面上，在CZ炉中第一次提升单晶体之前测量热屏蔽体的初始位置，同时坩埚中的熔体被加热器加热，中心位置根据初始位置将水平磁场的33设定为设定位置，并且在l或之前测量热屏蔽体与初始位置的偏移量如果在坩埚中的熔体被加热器加热的同时在CZ炉中连续施加单晶，则基于偏移量来调整水平磁场的中心位置33。

4. 发明专利

JP2021046344A 半導体結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021046344A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019171257
申请日：2019-09-20
申请人：株式会社SUMCO
发明人：小川福生 , 鳴嶋康人 , 酒谷和幸 , 川上泰史 , 鴨川誠 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】チャンバ底部に設けられた複数個の排気口に対応して接続される複数本の排気管内を流れるガス流の排気速度を均一化する。【解決手段】開示される半導体結晶製造装置は、半導体結晶を製造するチャンバ内に導入されたガスを排気する第1〜第4の排気口と、各一端が対応する各第1〜第4の排気口にそれぞれ接続される個別排気管31A〜31Dと、個別排気管31A〜31Dの各他端と接続される結合管32とを備える。各第1〜第4の排気口から対応する各個別排気管31A〜31Dを経て結合管32の第2の結合部C 21 までの距離がいずれも実質的に等しい。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2021001095A 付着物除去装置及び付着物除去方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021001095A
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2019115806
申请日：2019-06-21
申请人：株式会社SUMCO
发明人：小川福生 , 四ッ井拓也 , 前川浩一
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
摘要：【課題】排気管内壁の付着物の発火を抑制しつつ、付着物を適切に除去する。【解決手段】開示される付着物除去装置は、半導体結晶を製造するチャンバからガスを排出する排気管に付着する付着物を除去する。排気管に連通する排気口24aを開閉する弁体69と、弁体69を収容し、不活性ガスが導入可能であり、排気口24aを外部から隔離可能とする密閉カバー66及び固定台65と、弁体69を駆動するシリンダ67と、密閉カバー66又は固定台65を駆動するシリンダ73とを有する排気口開閉手段51aを備える。シリンダ67により弁体69を駆動して排気口24aを開閉し、シリンダ73により密閉カバー66又は固定台65を駆動して密閉カバー66へ大気を導入する。【選択図】図2

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