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1. 发明专利

JP6631406B2 シリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6631406B2
公开(公告)日：2020-01-15
申请号：JP2016101103
申请日：2016-05-20
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 川崎栄一 , 小林省吾 , 大城善博
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06

2. 发明专利

JP2017206420A シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶审中-公开
公开(公告)号：JP2017206420A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016101103
申请日：2016-05-20
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 川崎栄一 , 小林省吾 , 大城善博
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/14 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L21/0334 , H01L21/2636 , H01L21/67011 , H01L2021/60202
摘要：【課題】ドナーキラー熱処理を行わなくても、所望のスパッタリングまたはプラズマエッチングを行える領域を確実に確保可能なシリコン単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン融液に接触させた種子結晶を引き上げるとともに、坩堝を回転させながら上昇させることで、シリコン単結晶SMの直胴部SM2を形成する育成工程と、シリコン単結晶SMをシリコン融液から切り離す切り離し工程と、坩堝22およびシリコン単結晶SMを下降させ、直胴部SM2の上端が熱遮蔽体27の上端と同じ高さまたは当該上端よりも下側に位置する状態を所定時間保持する状態保持工程と、シリコン単結晶SMをチャンバの外部に取り出す取り出し工程とを備える。【選択図】図4

3. 发明专利

JP2016204231A シリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2016204231A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090558
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 高瀬伸光 , 川崎栄一 , 下崎一平 , 小林省吾
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】従来よりも転位の発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提案する。【解決手段】シリコン原料が充填される坩堝12と、該坩堝12中のシリコン原料を加熱溶融してシリコン融液Mとするヒーター14と、シリコン融液Mに着液される種結晶Sを囲むように配置して種結晶Sを加熱することが可能な補助加熱ヒーター21とを備える単結晶シリコン製造装置1を用いて、種結晶Sを補助加熱ヒーター21により加熱しながらシリコン融液Mに着液し、着液した種結晶Sを引き上げてネック部I n を形成してシリコン単結晶Iを製造する方法において、種結晶Sの引き上げ前に、補助加熱ヒーター21を上昇させる、または/および補助加熱ヒーター21の出力を低減することを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：常规的比提出了一种用于制造硅单结晶，其能够抑制位错产生的方法。通过加热和在坩埚12熔融硅原料包围的坩埚12，它具有一个硅原料填充，加热器14，硅熔液M中，晶种S是Chakueki到硅熔液M 布置成使用单晶硅制造装置1和辅助加热器21能够加热晶种S和作为，穿硅熔液M，同时通过辅助加热器21加热该晶种小号和液体，用于制备Chakueki的拉动籽晶s到形成在在硅单晶我的颈部部分，所述籽晶S的拉之前的处理,,提高辅助加热器21和/或辅助加热其特征在于，以降低加热器21的输出。 .The

4. 发明专利

JP2021042103A シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021042103A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019165790
申请日：2019-09-12
申请人：株式会社SUMCO
发明人：鈴木憲哉 , 琴岡敏明 , 宗実賢二 , 中村剛 , 末若良太
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】シリコン単結晶引上げ装置内のシリコン等が付着する部材を再生する際に、ヒータに印加する電圧を高めることなく引上げ装置内のグロー放電を防止するとともに、電力消費量を低減して部材を再生する。【解決手段】密閉されたチャンバと、チャンバ内に設けられた保温筒と、保温筒の内側に設けられた筒状のヒータとを備えたシリコン単結晶引上げ装置の筒状のヒータの内側に、SiOx及び/又は金属シリコンが付着した部材を配置して、不活性ガス雰囲気下、熱処理する際に、筒状のヒータの内側に配置した部材の上方を覆う断熱板がチャンバ内に設けられる。断熱板に前記不活性ガスが流通するための1又は2以上の貫通孔が設けられることが好ましい。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6597537B2 単結晶製造用坩堝及びシリコン単結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6597537B2
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：JP2016184220
申请日：2016-09-21
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 横山隆 , 最勝寺俊昭
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10

6. 发明专利

JP2018048041A 単結晶製造用坩堝及びシリコン単結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018048041A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016184220
申请日：2016-09-21
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 横山隆 , 最勝寺俊昭
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
摘要：【課題】カーボン製坩堝と坩堝受け皿との偏芯量を小さくし得る単結晶製造用坩堝及びシリコン単結晶製造装置を提供する。【解決手段】単結晶Cの原料融液Mを収容する石英製坩堝21を内部に収容し、底部221の外面に複数の第1嵌合部223,224が形成された、一体成形品からなるカーボン製坩堝22と、回転軸上に設けられ、前記カーボン製坩堝22が載置され、その載置面290に前記複数の第1嵌合部223,224とそれぞれ嵌め合う複数の第2嵌合部291,292が形成された坩堝受け皿29と、を備える。【選択図】図2A

7. 发明专利

JP6206178B2 単結晶の引上げ方法有权
公开(公告)号：JP6206178B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013270641
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B30/04 , C30B15/22

8. 发明专利

JP2015124127A 単結晶の引上げ方法有权
标题翻译：提高单晶的方法
公开(公告)号：JP2015124127A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013270641
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 四ッ井拓也
IPC分类号： C30B30/04 , C30B15/22
摘要：【課題】水平磁場の中心位置を熱遮蔽体の鉛直方向の位置のずれ量に応じて調整することにより、引上げられる単結晶の品質のバラツキを低減する。【解決手段】本発明は、CZ炉10のルツボ13に入れた原料をヒータ19により加熱して融液16にし、この融液に水平磁場を印加しかつ融液から引上げられる単結晶11外周面を熱遮蔽体46が包囲した状態で単結晶を引上げる方法である。ヒータによるルツボ内の融液の加熱状態でCZ炉での最初の単結晶の引上げ前に熱遮蔽体の初回位置を測定し、この初回位置を基準として水平磁場の中心位置33をその設定位置に合せ、ヒータによるルツボ内の融液の加熱状態でCZ炉での2本目以降の単結晶の引上げ前又は引上げ中に熱遮蔽体が上記初回位置からずれた量を測定し、このずれ量に応じて水平磁場の中心位置を調整する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过根据热屏蔽体的垂直位置偏移的量调节水平磁场的中心位置来降低提升的单晶的质量变化。解决方案：提供了一种方法，将放置在CZ炉10的坩埚13中的原料放入单晶中，由加热器19加热成熔体16，在熔融体施加水平磁场的同时，从熔体中提升的单晶11具有在热屏蔽体46包围的外周表面上，在CZ炉中第一次提升单晶体之前测量热屏蔽体的初始位置，同时坩埚中的熔体被加热器加热，中心位置根据初始位置将水平磁场的33设定为设定位置，并且在l或之前测量热屏蔽体与初始位置的偏移量如果在坩埚中的熔体被加热器加热的同时在CZ炉中连续施加单晶，则基于偏移量来调整水平磁场的中心位置33。

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