专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2017014073A シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：硅熔体供给和方法，以及硅单晶制造装置
公开(公告)号：JP2017014073A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015133228
申请日：2015-07-02
申请人：株式会社SUMCO
发明人：杉村渉 , 林三照 , 下崎一平
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】メインチャンバー内に設置された石英ルツボ内に外部からシリコン融液を供給する場合に供給経路の原料詰まり及び炉内部品へのシリコン融液の付着を防止する。【解決手段】シリコン融液供給装置20は、メインチャンバー11Aに接続されるサブチャンバー21と、サブチャンバー21内に設置された容器23と、容器23内のシリコン原料を加熱してシリコン融液5を生成するヒーター24と、容器23から石英ルツボ12までのシリコン融液5の供給経路を形成する円筒状の石英チューブ25を備える。石英チューブ25は、石英ルツボ12の上方において垂直かつ昇降自在に設けられている。容器23内のシリコン融液5は、石英チューブ25の上方から石英チューブ25内を通って落下して石英ルツボ12内に供給される。【選択図】図7
摘要翻译：硅的防止粘连供给硅熔体时从外部向安装石英坩埚的原料堵塞和炉零件供给路径在主室内熔化。甲硅熔体供应装置20包括连接到主室11A的子室21，容器安装在所述副室21如图23所示，硅通过在容器23加热硅原料熔液5 用于产生加热器24包括一个圆筒形石英管25形成硅的供给路径从容器23向石英坩埚12熔融5。石英管25被安装为垂直和仰角石英坩埚12的上方。硅在23从石英管25的上方供给到下降通过在石英坩埚12中的石英管25中的容器5熔化。点域7

2. 发明专利

JP2018090451A 単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018090451A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016235290
申请日：2016-12-02
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 濱田建 , 下崎一平 , 清水泰順
IPC分类号： C30B15/00 , G01B11/04 , G01B11/00 , G01B11/14 , C30B29/06
摘要：【課題】チョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、融液の液面位置の正確な測定を可能にする。【解決手段】ルツボ11内の融液から単結晶15を引き上げる単結晶引き上げ工程において、チャンバー19の外側に設置されたカメラで18チャンバー19内の炉内構造物17および融液13の液面13aを斜め上方から撮影したときの撮影画像に写る炉内構造物17の実像および融液の液面に映った炉内構造物17の鏡像それぞれのエッジパターンを検出し、カメラの設置角度θ c および焦点距離fに基づいて、炉内構造物17の実像および鏡像それぞれのエッジパターンを基準平面上に投影変換し、基準平面上の炉内構造物17の実像および鏡像それぞれのエッジパターンに対するパターンマッチングを行ったときにマッチング率が最大となる基準パターンの形状から炉内構造物17の実像および鏡像それぞれの代表寸法を算出する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017105654A シリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP2017105654A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015238794
申请日：2015-12-07
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 清水泰順 , 濱田建 , 下崎一平
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】熱遮蔽体の下端部に面取り形状がある場合でも引き上げ開始時におけるギャップ幅を鏡像法により正確に測定する。【解決手段】シリコン融液2からシリコン単結晶をチョクラルスキー法により引き上げる際、シリコン単結晶が熱遮蔽体17の下端に設けられた円形の開口17aを通過して引き上げられるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン融液2の斜め上方から開口17aを通して見えるシリコン融液2を観察したときの観察領域内に存在する熱遮蔽体17の実像の開口17aからシリコン融液2の液面に映る熱遮蔽体の鏡像17'の開口までの実測距離を算出し、前記実測距離の半値から熱遮蔽体17の下端に施された面取り加工の影響を除去した補正距離を算出し、前記補正距離を用いて熱遮蔽体17の下端からシリコン融液2の液面までのギャップ幅を求める。【選択図】図4

4. 发明专利

JP6645406B2 単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6645406B2
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：JP2016235290
申请日：2016-12-02
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 濱田建 , 下崎一平 , 清水泰順
IPC分类号： C30B15/00 , G01B11/04 , G01B11/00 , G01B11/14 , C30B29/06

5. 发明专利

JP6465008B2 シリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6465008B2
公开(公告)日：2019-02-06
申请号：JP2015238794
申请日：2015-12-07
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 清水泰順 , 濱田建 , 下崎一平
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

6. 发明专利

JP2016204231A シリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2016204231A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090558
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社SUMCO
发明人：中村剛 , 高瀬伸光 , 川崎栄一 , 下崎一平 , 小林省吾
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】従来よりも転位の発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提案する。【解決手段】シリコン原料が充填される坩堝12と、該坩堝12中のシリコン原料を加熱溶融してシリコン融液Mとするヒーター14と、シリコン融液Mに着液される種結晶Sを囲むように配置して種結晶Sを加熱することが可能な補助加熱ヒーター21とを備える単結晶シリコン製造装置1を用いて、種結晶Sを補助加熱ヒーター21により加熱しながらシリコン融液Mに着液し、着液した種結晶Sを引き上げてネック部I n を形成してシリコン単結晶Iを製造する方法において、種結晶Sの引き上げ前に、補助加熱ヒーター21を上昇させる、または/および補助加熱ヒーター21の出力を低減することを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：常规的比提出了一种用于制造硅单结晶，其能够抑制位错产生的方法。通过加热和在坩埚12熔融硅原料包围的坩埚12，它具有一个硅原料填充，加热器14，硅熔液M中，晶种S是Chakueki到硅熔液M 布置成使用单晶硅制造装置1和辅助加热器21能够加热晶种S和作为，穿硅熔液M，同时通过辅助加热器21加热该晶种小号和液体，用于制备Chakueki的拉动籽晶s到形成在在硅单晶我的颈部部分，所述籽晶S的拉之前的处理,,提高辅助加热器21和/或辅助加热其特征在于，以降低加热器21的输出。 .The

7. 发明专利

JP2020172414A シリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法、および、シリコン単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020172414A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2019076187
申请日：2019-04-12
申请人：株式会社SUMCO
发明人：下崎一平
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：【課題】無欠陥領域のみが存在するシリコンウェーハを多く得られるシリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法を提供すること。【解決手段】シリコン単結晶のギャップサイズ決定方法は、シリコン単結晶の欠陥分布と引き上げ速度との関係をシミュレーションし、シミュレーション結果に基づき無欠陥領域のみを有するシリコン単結晶が得られる引き上げ速度のマージンを特定し、シミュレーションで得られた欠陥分布を数値化した値とシミュレーションで得られた引き上げ速度のマージンとギャップサイズとの第1の関係、および、評価用のシリコン単結晶の欠陥分布を数値化した値と評価用のシリコン単結晶の製造時のギャップサイズとの第2の関係に基づいて、評価用のシリコン単結晶の製造時の引き上げ速度のマージンを推定し、この推定した引き上げ速度のマージンよりも大きくなるようなギャップサイズを決定する。【選択図】図2

8. 发明专利

JP6627739B2 単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6627739B2
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：JP2016246285
申请日：2016-12-20
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 濱田建 , 下崎一平 , 清水泰順
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26

9. 发明专利

JP6503933B2 シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6503933B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2015133228
申请日：2015-07-02
申请人：株式会社SUMCO
发明人：杉村渉 , 林三照 , 下崎一平
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

10. 发明专利

JP2018100195A 単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018100195A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016246285
申请日：2016-12-20
申请人：株式会社SUMCO
发明人：高梨啓一 , 濱田建 , 下崎一平 , 清水泰順
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26
摘要：【課題】チャンバー内を撮影するカメラの設置角度を正確に測定する。【解決手段】本発明は、チャンバーの外側に設置されたカメラの設置角度を予め測定するカメラ設置角度測定工程(S21)と、チャンバー内に設置されたルツボ内の融液から単結晶を引き上げる結晶引き上げ工程(S22)とを含む。カメラ設置角度測定工程は、カメラでチャンバー内を斜め上方から撮影し、カメラの推定設置角度及び焦点距離に基づいて撮影画像を基準平面上に投影変換し、投影変換後の画像に写る炉内構造物のエッジパターンとその基準パターンとのパターンマッチングを行うと共に、カメラの推定設置角度を可変パラメータとして変化させながらパターンマッチングを行ったときにマッチング率が最大となるカメラの推定設置角度をカメラの実際の設置角度として設定する。結晶引き上げ工程(S22)では、カメラの実際の設置角度に基づいてカメラの撮影画像を投影変換する。【選択図】図4

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式