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1. 发明专利

JP6900274B2 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP6900274B2
公开(公告)日：2021-07-07
申请号：JP2017157115
申请日：2017-08-16
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：樋口鮎美 , 藤田恵理 , 岩畑翔太 , 尾辻正幸 , 藤谷佳礼
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304

2. 发明专利

JP2020107842A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020107842A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018248018
申请日：2018-12-28
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：佐々木悠太 , ▲高▼橋弘明 , 藤原直澄 , 尾辻正幸 , 加藤雅彦 , 山口佑
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】昇華によって昇華性物質を基板の上面から除去する際に発生するパターンの倒壊率を低減する。【解決手段】昇華性物質が溶媒中に溶解した溶液である乾燥前処理液が、パターンが形成された基板の上面に供給して、乾燥前処理液の液膜が基板の上面に形成される(乾燥前処理液供給工程)。乾燥前処理液の液膜から溶媒を蒸発させることにより、昇華性物質の固体が基板の上面に析出する(析出工程)。析出工程において、昇華性物質の固体が析出する前に、溶媒の蒸発によって乾燥前処理液の液膜の厚みが減少する速度である膜厚減少速度に基づいて、乾燥前処理液の液膜中の昇華性物質の濃度が基準濃度範囲内であるか否かが判定される(濃度判定工程)。濃度判定工程において乾燥前処理液の液膜中の昇華性物質の濃度が基準濃度範囲内であると判定された場合に、析出工程の終了後に、昇華性物質の前記固体が昇華される(昇華工程)。【選択図】図9

3. 发明专利

JP2020047887A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047887A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018177377
申请日：2018-09-21
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸 , ▲高▼橋弘明 , 加藤雅彦 , 藤原直澄 , 山口佑 , 佐々木悠太
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】乾燥補助物質の意図しない凝固を大きなコストアップなく回避しながら、基板の表面を良好に処理することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供する。基板の表面において乾燥補助物質を、大きなコストアップなく良好に凝固することが可能である基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】無極性物質である昇華性物質と、両親媒性を有する混合用溶媒とが混ざり合った混合乾燥補助物質であって、室温よりも低い凝固点を有する混合昇華剤を基板の表面に供給し、混合昇華剤の液膜を基板の表面に形成する(ステップS6)。その後、混合昇華剤の液膜に、極性物質である供給液を供給し、当該液膜に供給液を接液させる(ステップS8)。これにより、混合昇華剤に溶け込んでいる混合用溶媒が混合昇華剤から供給液へ移動する。これに伴う、液膜における昇華性物質の濃度の上昇によって昇華性物質が析出する。【選択図】図6

4. 发明专利

JP6642868B2 基板処理方法および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6642868B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2015161328
申请日：2015-08-18
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸 , 本庄一大
IPC分类号： H01L21/304

5. 发明专利

JP2017041510A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理方法以及基板处理装置
公开(公告)号：JP2017041510A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015161326
申请日：2015-08-18
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】パーティクルの発生を抑制または防止しながら、基板の上面を乾燥できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、スピンチャックと、スピンチャックを収容する処理チャンバと、処理チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する第1の有機溶剤蒸気供給ユニット8とを含む。基板Wの上面に形成された処理液の液膜50の周囲を有機溶剤蒸気雰囲気に保ちながら、基板Wの回転を上昇させることにより、処理液の液膜50に薄膜領域55を形成する。次いで、処理液の液膜50の周囲を有機溶剤蒸気雰囲気に保ちながら、基板Wの回転速度を上昇させて薄膜領域55を拡大させる。薄膜領域55が基板Wの上面全域にまで拡がった後に、上面から当該薄膜を除去する。【選択図】図6B−6C
摘要翻译： A，而抑制或防止颗粒的产生，提供一种衬底处理方法和衬底处理设备可以干燥所述基板的上表面上。一种基板处理装置包括：旋转卡盘，用于容纳旋转卡盘的处理室，和用于提供有机溶剂蒸气进入处理腔室的第一有机溶剂蒸汽供给单元8。同时保持形成在所述基板的上表面W在有机溶剂蒸气气氛中的处理液的液体膜50的周缘，通过提高基板W的旋转，在处理液的液体膜50形成薄膜区域55。然后，在保持处理液的液体膜50的周缘在有机溶剂蒸气气氛中，从而通过提高基板W的旋转速度扩大薄膜区域55 薄膜区域55扩散到基板W的整个上表面上之后，它会删除从顶表面的薄膜。点域6B-6C

6. 发明专利

JP6887265B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6887265B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2017037113
申请日：2017-02-28
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸 , 橋本光治 , 高橋光和 , 本庄一大
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/304

7. 发明专利

JP6811619B2 基板処理方法および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6811619B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2017003275
申请日：2017-01-12
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸
IPC分类号： H01L21/304

8. 发明专利

JP2020194950A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020194950A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019101599
申请日：2019-05-30
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：藤原直澄 , 尾辻正幸 , 加藤雅彦 , 山口佑
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】昇華性物質の結晶化に起因する応力の影響を低減して、基板上のパターンの倒壊を減らすことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】パターンが形成された基板の表面に昇華性物質含有液を供給することによって、基板の表面を覆う昇華性物質含有液の液膜が基板の表面上に形成される(昇華性物質含有液膜形成工程S5)。昇華性物質含有液膜から溶媒を蒸発させて昇華性物質の固体を形成することによって、昇華性物質の固体が結晶化する前の結晶前遷移状態の遷移状態膜が基板の上面に形成される(遷移状態膜形成工程S7)。基板の表面上遷移状態膜を維持しながら、基板の表面上の昇華性物質の固体が昇華される(遷移状態膜除去工程S8)。【選択図】図4

9. 发明专利

JP2019036639A 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019036639A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017157115
申请日：2017-08-16
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：樋口鮎美 , 藤田恵理 , 岩畑翔太 , 尾辻正幸 , 藤谷佳礼
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
摘要：【課題】効率的にパーティクルを除去された高温の薬液を供給する。【解決手段】薬液供給装置は、薬液を所定の供給対象に供給する薬液供給装置であって、一端が常温の薬液の供給源に接続されるとともに、他端が供給対象に接続され、供給源から供給対象に薬液を導く供給流路と、供給源から供給流路に導入される常温の薬液中のパーティクルを除去する第1フィルターと、第1フィルターを通過した薬液を加熱する加熱部と、加熱部によって加熱されて供給流路を供給対象に向かって流れる高温の薬液中のパーティクルを除去する第2フィルターと、を備え、第1フィルターは親水性フィルターであり、第2フィルターは疎水性フィルターである。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6418694B2 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP6418694B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2015064945
申请日：2015-03-26
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：高橋弘明 , 尾辻正幸
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02057 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/6833

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