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    • 10. 发明专利
    • 半導体装置
    • JP2018018943A
    • 2018-02-01
    • JP2016147740
    • 2016-07-27
    • トヨタ自動車株式会社
    • 宮▲崎▼ 亮
    • H01L23/473
    • 【課題】ポンプアウトの発生を抑制し、半導体素子を冷却する冷却能力を向上させる。 【解決手段】本発明の一形態における半導体装置2は、半導体素子を封止したパワーカード10と、絶縁板6と、内部に冷媒流路37を有する冷却器3と、が積層され、絶縁板6と冷却器3との間にグリス9が塗布されている。冷却器3は、絶縁板6と対向する側板に窪み38が設けられており、側板の窪み38の裏側が冷媒流路37に突出している。そのため、発熱および冷却によってグリスが面方向に伸縮しても、冷却器3が絶縁板6と対向する側板に形成された窪み38にグリス9が引っかかることで、ポンプアウトによってグリス9が絶縁板6と冷却器3との間から流出することを抑制できる。さらに、窪み38の裏側が冷媒流路37の側に突出しているため、冷媒の流れを乱すことで、冷却性能が向上する。 【選択図】図3