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1. 发明专利

JP6488204B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6488204B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2015136478
申请日：2015-07-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：副島成雅 , 前川容佑 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78

2. 发明专利

JP2018085382A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018085382A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016226171
申请日：2016-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：戸川勤博 , 副島成雅 , 水野祥司
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , C23C14/14 , H01L21/329
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L21/046 , H01L21/26506 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要：【課題】ショットキー電極のバリアハイトのばらつきを抑制する。【解決手段】 SiCウエハの表面に酸素を含む荷電粒子を注入する工程と、前記荷電粒子を注入した後に前記表面に前記SiCウエハに対してショットキー接触するショットキー電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。酸素を含む荷電粒子を注入することで、ショットキー界面における酸素量を正確に制御することができる。これによって、バリアハイトを正確に制御することが可能となる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP5697569B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5697569B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011208272
申请日：2011-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 松木英夫 , 三村智博 , 渡辺行彦 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78

4. 发明专利

JP2020061518A 半導体装置とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061518A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018193421
申请日：2018-10-12
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：喜田弘文 , 牛島隆志 , 長里喜隆 , 副島成雅 , 森朋彦 , 山寺秀哉
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78
摘要：【課題】窒化物半導体層を備える半導体装置において、イオン注入技術を用いないでソース領域を形成する技術が必要とされている。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域上に第2導電型のボディ領域が設けられている窒化物半導体層を準備する工程と、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達する深さを有するJFET領域用溝と、前記ボディ領域を貫通しない深さを有するソース領域用溝を形成する工程と、結晶成長技術を利用して、前記JFET領域用溝及び前記ソース領域用溝内に第1導電型の窒化物半導体を結晶成長させ、前記JFET領域用溝内にJFET領域を形成するとともに、前記ソース領域用溝内にソース領域を形成する工程と、を備える。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019176013A スイッチング素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019176013A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2018062788
申请日：2018-03-28
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 濱田公守 , 大西徹 , 金原啓道 , 辻村理俊 , 福岡佑二 , 浦上泰 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
摘要：【課題】トレンチの間隔に影響することなく、接続領域を好適に形成することが可能なスイッチング素子の製造方法を提案する。【解決手段】スイッチング素子が、第1〜第3トレンチと、第2トレンチを横断して第1トレンチから第3トレンチまで伸びている接続トレンチと、トレンチ内に配置されたゲート電極を有する。半導体基板が、トレンチの側面においてゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、トレンチの底面において前記ゲート絶縁膜に接するp型の底部領域と、ボディ領域と底部領域を接続するp型の接続領域を有している。製造方法が、半導体基板の上面の垂線に対して傾斜するとともに接続トレンチに沿う方向に沿ってp型不純物を照射して接続トレンチの端面を構成する部分の第1トレンチの側面にp型不純物を注入することによって、接続領域を形成する工程を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2019133980A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019133980A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2018012503
申请日：2018-01-29
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：副島成雅 , 渡辺行彦 , 山下侑佑 , 浦上泰 , 鈴木克己
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/04 , H01L29/78
摘要：【課題】キャリア移動度を十分に向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチゲート構造を備えたSiC半導体装置は、六方晶SiCの(0001)面を表面とする基板に、[0001]方向を深さ方向として形成されているトレンチを備えている。トレンチの内壁面が略(1−100)面である。内壁面の一部には半導体装置のチャネルが形成されている。[11−20]方向に沿って内壁面を観測したとき、または、[0001]方向に沿って内壁面を観測したときに、内壁面には、面方位が(1−100)面であるテラス面と、隣接するテラス面の間の段差を構成するステップ面と、が交互に現れる構造を備えている。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017022185A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2017022185A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015136478
申请日：2015-07-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：副島成雅 , 前川容佑 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7889 , H01L21/265 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】加工が容易で高耐圧な終端構造を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板10の終端構造は、半導体基板10の上面から深さ方向に沿って伸びる第1トレンチTR1と、第1トレンチTR1の底面から深さ方向に沿って伸びており、素子部10Aから離れる方向に沿って間隔を置いて配置されている複数の第2トレンチTR2と、第1トレンチTR1の底面に露出しており、第2トレンチTR2間に設けられており、周囲の領域との間にpn接合を構成しており、電位がフローティングの複数の第1フローティング領域24と、第2トレンチTR2の底面に露出しており、周囲の領域との間にpn接合を構成しており、電位がフローティングの複数の第2フローティング領域26と、を有する。複数の第2フローティング領域26の各々が、素子部10Aから離れる方向において、相互に離れて配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：的方法，提供一种具有简单和高电压终端结构的半导体器件。终止结构的半导体衬底10包括从半导体衬底10从第一沟槽TR1，元件的底表面沿着深度方向延伸的上表面在深度方向延伸的第一沟槽TR1 多个第二沟槽TR2，其被沿着所述方向从远离10A隔开，被暴露在第一沟槽TR1的底部，在第二沟槽TR2和周围区域之间设置构成多个浮子，暴露于所述第二沟槽TR2的底表面的第一浮置区24电位之间的pn结，构成pn结与周围区域时，电势具有多个浮子，一中的第二浮置区26。每个所述多个第二浮置区26中，在从元件部10A远离的方向的，彼此间隔开。点域1

9. 发明专利

JP5732790B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5732790B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2010205789
申请日：2010-09-14
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：山本敏雅 , 杉本雅裕 , 高谷秀史 , 森本淳 , 副島成雅 , 石川剛 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L29/086 , H01L29/45 , H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/41766

10. 发明专利

JP5701913B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5701913B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2013002087
申请日：2013-01-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 長尾勝 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/0251 , H01L29/4236 , H01L2924/0002

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