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1. 发明专利

JP2018085382A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018085382A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016226171
申请日：2016-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：戸川勤博 , 副島成雅 , 水野祥司
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , C23C14/14 , H01L21/329
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L21/046 , H01L21/26506 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要：【課題】ショットキー電極のバリアハイトのばらつきを抑制する。【解決手段】 SiCウエハの表面に酸素を含む荷電粒子を注入する工程と、前記荷電粒子を注入した後に前記表面に前記SiCウエハに対してショットキー接触するショットキー電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。酸素を含む荷電粒子を注入することで、ショットキー界面における酸素量を正確に制御することができる。これによって、バリアハイトを正確に制御することが可能となる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP5697569B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5697569B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011208272
申请日：2011-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 松木英夫 , 三村智博 , 渡辺行彦 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78

3. 发明专利

JP2019133980A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019133980A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2018012503
申请日：2018-01-29
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：副島成雅 , 渡辺行彦 , 山下侑佑 , 浦上泰 , 鈴木克己
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/04 , H01L29/78
摘要：【課題】キャリア移動度を十分に向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチゲート構造を備えたSiC半導体装置は、六方晶SiCの(0001)面を表面とする基板に、[0001]方向を深さ方向として形成されているトレンチを備えている。トレンチの内壁面が略(1−100)面である。内壁面の一部には半導体装置のチャネルが形成されている。[11−20]方向に沿って内壁面を観測したとき、または、[0001]方向に沿って内壁面を観測したときに、内壁面には、面方位が(1−100)面であるテラス面と、隣接するテラス面の間の段差を構成するステップ面と、が交互に現れる構造を備えている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017022185A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2017022185A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015136478
申请日：2015-07-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：副島成雅 , 前川容佑 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7889 , H01L21/265 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】加工が容易で高耐圧な終端構造を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板10の終端構造は、半導体基板10の上面から深さ方向に沿って伸びる第1トレンチTR1と、第1トレンチTR1の底面から深さ方向に沿って伸びており、素子部10Aから離れる方向に沿って間隔を置いて配置されている複数の第2トレンチTR2と、第1トレンチTR1の底面に露出しており、第2トレンチTR2間に設けられており、周囲の領域との間にpn接合を構成しており、電位がフローティングの複数の第1フローティング領域24と、第2トレンチTR2の底面に露出しており、周囲の領域との間にpn接合を構成しており、電位がフローティングの複数の第2フローティング領域26と、を有する。複数の第2フローティング領域26の各々が、素子部10Aから離れる方向において、相互に離れて配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：的方法，提供一种具有简单和高电压终端结构的半导体器件。终止结构的半导体衬底10包括从半导体衬底10从第一沟槽TR1，元件的底表面沿着深度方向延伸的上表面在深度方向延伸的第一沟槽TR1 多个第二沟槽TR2，其被沿着所述方向从远离10A隔开，被暴露在第一沟槽TR1的底部，在第二沟槽TR2和周围区域之间设置构成多个浮子，暴露于所述第二沟槽TR2的底表面的第一浮置区24电位之间的pn结，构成pn结与周围区域时，电势具有多个浮子，一中的第二浮置区26。每个所述多个第二浮置区26中，在从元件部10A远离的方向的，彼此间隔开。点域1

6. 发明专利

JP5732790B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5732790B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2010205789
申请日：2010-09-14
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：山本敏雅 , 杉本雅裕 , 高谷秀史 , 森本淳 , 副島成雅 , 石川剛 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L29/086 , H01L29/45 , H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/41766

7. 发明专利

JP2019062126A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019062126A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017186917
申请日：2017-09-27
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：箕谷周平 , 汲田昌弘 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/78
摘要：【課題】ゲート−ソース間の絶縁分離を担保しつつ、ソース電極のコンタクトを的確に行うことができるようにする。【解決手段】ゲート電極8の一部を熱酸化することによって構成した熱酸化膜10aによってゲート電極8とソース電極12との絶縁を行う。ゲート電極8の一部を熱酸化することで構成した熱酸化膜10aはSiC表面からあまり突き出た形状にならないため、温度変化などに伴う応力によるクラックが入り難い。したがって、ゲート−ソース間の絶縁分離を担保することが可能となる。また、層間絶縁膜11については、エッチバックによってn + 型ソース領域4およびp型ベース領域3のコンタクト領域の上から除去されるようにしている。このため、ゲート電極8を挟んだ両側において、ソース電極12のコンタクトを的確に行うことが可能となる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019062125A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019062125A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017186916
申请日：2017-09-27
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：箕谷周平 , 池上勝哉 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】より的確に短絡耐量を得ることが可能なMOS構造の半導体素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】縦型MOSFETのゲート電極8とソース電極11との間に強相関材料層9を備える。これにより、短絡時に素子発熱が生じたときに、強相関材料層9が導体として機能し、縦型MOSFETのゲート−ソース間が導通させることができる。したがって、ゲート電極8の電圧を低下させることが可能となり、縦型MOSFETに流れる短絡電流を遮断できるため、縦型MOSFETでの電力を抑えることが可能となる。よって、縦型MOSFETが高温化することを抑制でき、縦型MOSFETが素子破壊に至ることを抑制できて、より的確に短絡耐量を得ることが可能な縦型MOSFETを有する半導体装置とすることができる。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018049927A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018049927A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016184256
申请日：2016-09-21
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：沖本紗季 , 赤木望 , 戸松裕 , 奥村謙太郎 , 内田卓磨 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要：【課題】シリサイド層と配線用電極との間の密着性を確保することができるSiC半導体装置とする。【解決手段】シリサイド層11bと配線用電極11dとの間に、シリサイド層11bと合金化する第3金属によって構成された接合金属層11cを備え、接合金属層11cとシリサイド層11bとを合金化させる。これにより、接合金属層11cを介してシリサイド層11bと配線用電極11dとの密着性を高めることができる。そして、シリサイド層11bと配線用電極11dとの密着性を高めることができるので、配線用電極11dがシリサイド層11bから剥がれることを抑制することが可能となる。【選択図】図2

10. 发明专利

JP6231422B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6231422B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2014080012
申请日：2014-04-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 斎藤順 , 添野明高 , 山本敏雅 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/761 , H01L29/06 , H01L29/0623 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7813

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