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1. 发明专利

JP6322021B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6322021B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2014067876
申请日：2014-03-28
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：三谷隆一郎
IPC分类号： B24B49/12 , B24B51/00 , H01L21/306 , H01L21/304

2. 发明专利

JP2015192012A 基板処理装置有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2015192012A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014067876
申请日：2014-03-28
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：三谷隆一郎
IPC分类号： B24B49/12 , B24B51/00 , H01L21/306 , H01L21/304
摘要：【課題】インターロック制御の精度を向上させる。【解決手段】CMP装置は、基板を処理するために用いられる複数の部品と、複数の部品を収容するハウジング1と、ハウジング1内部に設けられた、複数の部品とは異なる複数の識別部材312A,314A,316Aと、ハウジング1の扉35Aのハウジング1内部側に設けられた画像撮像部320Aと、画像撮像部320Aによって撮像された画像に複数の識別部材312A,314A,316Aが含まれない場合に、複数の部品の動作を停止させる動作制御部330と、を備える。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提高互锁控制的精度。解决方案：CMP装置包括用于处理基板的多个部件，用于容纳多个部件的壳体1，设置在多个部件中的多个识别部件312A，314A，316A 壳体1并且与多个部件不同，设置在其内部的壳体1的门35A中的图像拾取部分320A和用于停止多个部件的操作的操作控制部分330，当多个识别构件312A，314A，316A不包括在由图像拾取部分320A捕获的图像中。

3. 发明专利

JP6970601B2 半導体製造装置の設計方法有权
公开(公告)号：JP6970601B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2017234267
申请日：2017-12-06
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：三谷隆一郎 , 杉山光徳 , 小川彰彦
IPC分类号： H01L21/304

4. 发明专利

JP2020138264A 研磨装置、研磨方法、プログラムを格納した記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2020138264A
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：JP2019034542
申请日：2019-02-27
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：三谷隆一郎
IPC分类号： H01L21/304 , B24B49/10 , B24B37/04 , B24B49/04 , B24B37/013
摘要：【課題】基板の膜厚検出の精度を向上させることを目的とする。【解決手段】研磨面を有する研磨パッドを支持する研磨テーブル30Aと、基板Wを保持し、基板を研磨面10aに押し付けるトップリング31Aと、研磨テーブル内に配置された膜厚センサ39と、研磨テーブルの回転中に膜厚センサの回転位置を検出する位置検出装置101と、位置検出装置による膜厚センサの回転位置の検出結果に基づいて、トップリングを研磨面に着地させる制御装置と、を備える、研磨装置とする。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2016078155A 研磨装置、及び、基板処理装置审中-公开
标题翻译：抛光装置和基板处理装置
公开(公告)号：JP2016078155A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014210948
申请日：2014-10-15
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：三谷隆一郎
IPC分类号： B24B37/30 , H01L21/304 , B24B37/34
摘要：【課題】研磨対象物を研磨しながら連続的に平坦度をモニタリングする。【解決手段】研磨装置は、ウェハWを研磨するための研磨パッド10が貼り付けられた研磨テーブル30Aと、ウェハWを保持し研磨パッド10に押圧する保持部と、研磨テーブル30Aに設けられウェハWの膜厚を検出する複数の膜厚センサ130と、を備える。保持部は、ウェハWを研磨パッド10の研磨面に沿って移動可能である。複数の膜厚センサ130は、ウェハWが研磨パッド10に対向する第1の位置αにあるときにウェハWに対向して複数分布するとともに、ウェハWが保持部によって移動されて研磨パッド10に対向する第2の位置βにあるときにウェハWに対向して複数分布する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：在对物体进行抛光的同时，持续地进行被抛物体的平坦度的监视。解决方案：抛光装置包括：抛光台30A，其上贴有用于抛光晶片W的抛光垫10; 保持部，其保持晶片W并将晶片压靠在抛光垫10上; 以及设置在研磨台30A中并检测晶片W的膜厚度的多个膜厚传感器130.保持部能够沿着研磨垫10的研磨面移动晶片W.多个膜厚传感器当将晶片W放置在与抛光垫10相对的第一位置α时，与晶片W相对配置多个数量的130; 并且当晶片W被保持部移动并且被放置在与抛光垫10相对的第二位置β时，与晶片W相对的多个数量分布。选择的图示：图4

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