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1. 发明专利

JP6574668B2 インピーダンス測定回路有权
公开(公告)号：JP6574668B2
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：JP2015197884
申请日：2015-10-05
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：小川洋輔 , 今井茂夫
IPC分类号： G01R27/02

2. 发明专利

JP6258096B2 半導体集積回路装置有权
公开(公告)号：JP6258096B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2014062395
申请日：2014-03-25
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：中塚心治 , 今井茂夫 , 小川洋輔
IPC分类号： H03F1/34 , H03F1/02 , H03F3/45 , H03F3/38
CPC分类号： H03F3/393 , H03F1/0205 , H03F1/26 , H03F1/303 , H03F3/005 , H03F3/387 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/249 , H03F2200/271 , H03F2200/312 , H03F2203/45116 , H03F2203/45138 , H03F2203/45248 , H03F2203/45514

3. 发明专利

JP2017072415A インピーダンス測定回路审中-公开
公开(公告)号：JP2017072415A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2015197884
申请日：2015-10-05
申请人：株式会社東芝
发明人：小川洋輔 , 今井茂夫
IPC分类号： A61B5/05 , G01R27/02
CPC分类号： G01R15/06 , G01R27/02
摘要：【課題】測定対象のインピーダンスに直列にキャパシタを接続した場合でも、測定対象のインピーダンスを精度よく測定できる。【解決手段】インピーダンス測定回路は、測定対象に接続され、測定対象のインピーダンスに応じた利得で入力交流電圧を増幅して出力する増幅器と、測定対象の一端と、増幅器の出力ノードと、の間に第1キャパシタを接続し、かつ測定対象の他端と、入力交流電圧に相関する電圧のノードと、の間に第2キャパシタを接続した状態で、増幅器の出力ノードの直流電圧レベルを設定する電圧レベル設定回路と、を備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016058974A バイアス回路、オペアンプおよびΔΣ型ADコンバータ审中-公开
标题翻译：偏置电路，运算放大器和ΔΣ型AD转换器
公开(公告)号：JP2016058974A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185620
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：小川洋輔 , 今井茂夫 , 中塚心治
IPC分类号： H03F3/45 , H03M3/02 , H03F3/345
CPC分类号： H03M3/422 , H03F1/0261 , H03F3/393 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F2203/45154 , H03F2203/45171 , H03F2203/45244 , H03F2203/45614 , H03M3/43 , H03M3/458
摘要：【課題】オペアンプの消費電力の増大を抑制しつつ、セトリング特性を向上させる。【解決手段】デジタル適応制御バイアス回路2は、制御信号CS1のレベルの変化するタイミングに基づいて、オペアンプ1のバイアス量を一時的に増大させるとともに、制御信号CS2に基づいて、オペアンプ1のバイアス量を一時的に増大させる時間またはオペアンプ1のバイアス量を制御する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在降低功耗的同时提高稳定特性的运算放大器。解决方案：数字自适应控制偏置电路2基于改变运算放大器1的定时暂时增加运算放大器1的偏置量控制信号CS1的电平，并且基于控制信号CS2控制临时增加运算放大器1的偏置量或运算放大器1的偏置量的时间。图1

5. 发明专利

JP2015186129A 半導体集積回路装置有权
标题翻译：半导体集成电路设备
公开(公告)号：JP2015186129A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014062395
申请日：2014-03-25
申请人：株式会社東芝
发明人：中塚心治 , 今井茂夫 , 小川洋輔
IPC分类号： H03F1/34 , H03F1/02 , H03F3/45 , H03F3/38
CPC分类号： H03F3/393 , H03F1/0205 , H03F1/26 , H03F3/387 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F1/303 , H03F2200/249 , H03F2200/271 , H03F2200/312 , H03F2203/45116 , H03F2203/45138 , H03F2203/45248 , H03F2203/45514 , H03F3/005
摘要：【課題】低消費電力でありかつ信号の切替え時に位相補償容量の電荷状態の遷移時間を短縮できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1および第2の入力部に入力された信号を増幅する増幅段と、第1および第2のノードにおいて増幅段に接続された出力段と、を含む演算増幅部を備える。第1のチョッパスイッチ部は、第1および第2の信号を変調して第1および第2の入力部へ入力する。第1の容量切替部は、第1のノードと第1の出力部との間に第1の位相補償容量を接続しかつ第2のノードと第2の出力部との間に第2の位相補償容量を接続する第1の接続状態と、第2のノードと第2の出力部との間に第1の位相補償容量を接続しかつ第1のノードと第1の出力部との間に第2の位相補償容量を接続する第2の接続状態とを切り替える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低功耗的半导体器件，其可以在信号的切换时间减少相位补偿电容的充电状态的传输时间。解决方案：半导体器件包括：运算放大器部件，包括：放大输入到第一和第二输入部分的信号的放大级以及在第一和第二节点连接到放大级的输出级; 第一斩波开关部分，用于调制第一和第二信号以将调制的第一和第二信号输入到第一和第二输入部分; 以及第一电容切换部，用于切换在第一节点和第一输出部分之间连接第一相位补偿电容的第一连接状态，并且在第二节点和第二输出部分之间连接第二相位补偿电容，以及第二连接状态连接第二节点和第二输出部分之间的第一相位补偿电容，并且在第一节点和第一输出部分之间连接第二相位补偿电容。

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