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1. 发明专利

JP2020131552A キャリアおよび半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020131552A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019028074
申请日：2019-02-20
申请人：株式会社東芝 , キオクシア株式会社
发明人：下川一生 , 田嶋尚之
IPC分类号： B32B27/00 , B32B15/08 , H05K3/46 , H01L23/12 , B32B37/26 , B32B7/06
摘要：【課題】支持基板の再利用が可能なキャリアおよび半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】キャリアは、支持基板と、前記支持基板の上に設けられた剥離層と、前記支持基板と前記剥離層との間に設けられた第1の密着層と、前記支持基板と前記第1の密着層との間に設けられ、前記剥離層の厚さおよび前記第1の密着層の厚さよりも厚い保護層と、を備えている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021044447A キャリア及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021044447A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166391
申请日：2019-09-12
申请人：株式会社東芝 , キオクシア株式会社
发明人：下川一生 , 田嶋尚之
IPC分类号： H01L23/12
摘要：【課題】半導体装置の製造時の剥離工程の前には支持基板の剥離を抑制でき、剥離工程では容易に支持基板の剥離が可能なキャリア及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るキャリアは、支持基板と、前記支持基板の上に設けられた剥離層と、前記剥離層の上に設けられた保護層と、を備えている。前記支持基板は、中心を含む中央部と、前記中央部を囲む外周部と、を有する。前記剥離層は、前記中央部の上に設けられる。前記保護層は、前記剥離層の上に設けられた第1部分と、前記外周部の上に設けられ前記剥離層の外周端部を覆う第2部分と、を有する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2020053484A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020053484A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018179285
申请日：2018-09-25
申请人：株式会社東芝 , キオクシア株式会社
发明人：田嶋尚之 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12
摘要：【課題】バンプの接合強度を向上可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層内に設けられた導電部材と、前記絶縁層の第1面上に配置され、前記導電部材に接続されたチップと、前記導電部材に、抵抗率が前記導電部材の抵抗率よりも高いバリア層を介して接続され、少なくとも一部が前記絶縁層の第2面から突出した電極と、を備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2019161003A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019161003A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018045555
申请日：2018-03-13
申请人：株式会社東芝 , 東芝メモリ株式会社
发明人：田嶋尚之 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
摘要：【課題】絶縁層と導電部材との密着性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、再配線層と、前記再配線層の第1面に接合されたバンプと、前記再配線層の第2面に接合されたチップと、を備える。前記再配線層は、絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ、前記バンプを前記チップに接続する導電部材と、前記導電部材と前記バンプとの間に接続された接合電極と、前記絶縁層と前記導電部材との間、及び、前記接合電極と前記導電部材との間に設けられた導電層と、を有する。前記導電部材の抵抗率は前記導電層の抵抗率よりも低い。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019126146A 電気めっき装置、電気めっき用電極ならびにステータコイル組み立て方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019126146A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018004380
申请日：2018-01-15
申请人：株式会社東芝
发明人：冨岡泰造 , 樋口和人 , 田嶋尚之
IPC分类号： C25D7/00 , C25D5/08 , C25D17/06 , C25D17/00 , C25D17/12 , C25D21/00 , C25D21/08 , C25D21/10 , C25D21/12 , C25D5/04 , C25D5/02 , H02K9/193 , H02K15/04
摘要：【課題】大きな手間をかけずに、めっきの膜の厚さが安定した良質のめっきを行う。【解決手段】実施形態に係る電気めっき装置は、箱状体13に装着されたときに箱状体13とともに密閉空間22を形成する装着部21と、めっき液容器32と、酸水溶液容器31と、水容器30と、装着部21に接続された供給配管33と、めっき液と酸水溶液と水とを選択的に密閉空間22に供給するように切り替える供給切り替え弁34と、めっき液と酸水溶液と水を加圧して密閉空間22に送る供給ポンプ35と、装着部21に接続された戻し配管36と、密閉空間22内のめっき液、酸水溶液、水をそれぞれ戻すように切り替える戻し切り替え弁37と、装着部21に取り付けられて密閉空間22内でめっき対象部に向かって延びて密閉空間22外で直流電源28に接続された電極25と、を有する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021163896A 半導体装置の製造方法および製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021163896A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020065531
申请日：2020-04-01
申请人：株式会社東芝
发明人：田嶋尚之 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/60
摘要：【課題】製造歩留りを向上させる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに接続された配線を含む配線層と、前記配線層上に前記半導体チップを封じた樹脂層と、を含む。前記半導体装置の製造方法は、前記配線層が設けられた第1基板の表面とは反対側の裏面と、前記配線層とは別の配線層が設けられた第2基板の表面とは反対側の裏面と、を貼合する工程と、前記第1基板の表面上に設けられた前記配線層上にボンディングされた前記半導体チップを覆う樹脂層と、前記第2基板の表面上に設けられた前記別の配線層上にボンディングされた別の半導体チップを覆う別の樹脂層と、を同時に成形する工程と、前記配線層、前記半導体チップおよび前記樹脂層を含む第1成形体を前記第1基板から剥離する工程と、前記別の配線層、前記別の半導体チップおよび前記別の樹脂層を含む第2成形体を前記第2基板から剥離する工程と、を備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017005187A 半導体装置の製造方法、および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体制造半导体器件的方法，以及元件
公开(公告)号：JP2017005187A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120155
申请日：2015-06-15
申请人：株式会社東芝
发明人：田嶋尚之 , 下川一生 , 小林竜也
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/12 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/8203 , H01L2224/83007 , H01L2224/92124 , H01L2224/97 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L2924/3511
摘要：【課題】複数の半導体チップが積層された積層体を備え、高い生産性を有する半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の方向に延びる複数の第1の溝と、第1の方向と交差する第2の方向に延びる複数の第2の溝と、を有する基板において、前記複数の第1の溝と、前記複数の第2の溝と、により画された複数の領域のそれぞれに、複数の半導体チップを積層する工程と、前記基板の前記複数の半導体チップが積層された側を覆う封止部を形成する工程と、前記基板の前記複数の半導体チップが積層された側とは反対側の面を除去して、前記複数の第1の溝と、前記複数の第2の溝と、を露出させる工程と、前記複数の第1の溝と、前記複数の第2の溝と、に沿って前記封止部を切断する工程と、を備えている。【選択図】図3
摘要翻译： A，其包括多个层压的半导体芯片被堆叠时，提供了一种制造具有高生产率的半导体装置，以及半导体器件的方法。根据实施例的制造半导体器件的方法中，多个在第一方向延伸的第一凹槽，和多个在第二方向交叉的第一方向延伸的第二凹槽，在具有多个第一槽，每个所述多个第二凹槽和多个通过堆叠多个半导体芯片的步骤有界区域中的基板，多个所述基片形成用于覆盖所述半导体芯片的密封部被堆叠侧到侧，其中所述多个半导体芯片被层叠基板除去相反的表面，所述多个第一凹槽的所述包括暴露，并且所述多个第二凹槽，所述多个第一凹槽，所述多个第二凹槽，以及切割沿所述密封部的工序那里。点域

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