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1. 发明专利

JP6258148B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6258148B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2014159280
申请日：2014-08-05
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：齋藤渉 , 筒井一生 , 岩井洋 , 角嶋邦之 , 若林整
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/41725 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/452 , H01L29/495 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/7845

2. 发明专利

JP5856537B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5856537B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2012107188
申请日：2012-05-09
申请人：株式会社東芝
发明人：松田志津江 , 佐藤慎吾 , 齋藤渉
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L29/0661 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0653

3. 发明专利

JP2016015355A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016015355A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014135203
申请日：2014-06-30
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉 , 筒井一生 , 岩井洋 , 角嶋邦之 , 若林整
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L21/338
摘要：【課題】エッチングによるダメージの低減とエッチング深さ制御が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】Al X Ga 1−X N(0≦X≦1)を含む第1半導体層の表面にマスク層を形成する工程と、前記マスク層に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第1半導体層にオゾンにより酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を酸により除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，其能够减少由于蚀刻引起的损伤和蚀刻深度的控制。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成掩模层在包含AlGaN（0≤X≤1）的第一半导体层的表面上; 在掩模层中选择性地形成开口; 通过臭氧形成在从开口露出的第一半导体层上的氧化膜; 并用酸除去氧化膜。

4. 发明专利

JP2016058691A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016058691A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014186385
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：内原士 , 齋藤渉 , 安本恭章 , 梁瀬直子
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、化合物半導体層と、絶縁部と、第1導電部と、を含む。前記第1導電部は、第1方向において前記化合物半導体層と離間した複数の導電領域を含む。前記絶縁部は、前記化合物半導体層と前記第1導電部との間に設けられる。前記化合物半導体層と前記複数の導電領域のそれぞれとの間の前記第1方向に沿う距離は、前記化合物半導体層と離れるに従って長くなる。前記複数の導電領域のそれぞれの前記第1方向と交差する第2方向に沿う長さは、前記化合物半導体層と離れるに従って長くなる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高击穿电压的半导体器件。解决方案：实施例的半导体器件包括化合物半导体层，绝缘部分和第一导电部分。第一导电部件包括在第一方向上与化合物半导体层一定距离地布置的多个导电区域。绝缘部分设置在化合物半导体层和第一导电部分之间。化合物半导体层与沿着第一方向的多个导电区域之间的距离随着离化合物半导体层的距离的增加而增加。沿着与第一方向交叉的第二方向的多个导电区域的长度随着离化合物半导体层的距离的增加而增加。图1

5. 发明专利

JP5740108B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5740108B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2010161426
申请日：2010-07-16
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉 , 小野昇太郎 , 谷内俊治 , 渡辺美穂 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/66734 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372

6. 发明专利

JP5758132B2 半導体素子有权
公开(公告)号：JP5758132B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2011014279
申请日：2011-01-26
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/808 , H01L29/0623 , H01L29/1075 , H01L29/1087 , H01L29/4175 , H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402

7. 发明专利

JP2015073122A 半導体素子审中-公开
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：JP2015073122A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014248237
申请日：2014-12-08
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉 , 小野昇太郎 , 仲敏行 , 谷内俊治 , 渡辺美穂 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/78
摘要：【課題】ノイズが発生し難い半導体素子を提供する。【解決手段】実施形態の半導体素子は、第1面と第2面とを有する第1導電形の半導体基板と、半導体基板の第1面側に設けられた第1電極と、半導体基板の第2面側に設けられた第2導電形の第1半導体領域と、第2面の第1領域において、第1半導体領域上に選択的に設けられた第1導電形の第2半導体領域と、第2面上に設けられた絶縁膜と、第1領域に隣り合う第2面の第2領域において、絶縁膜の上側に設けられたゲートパッドと、第1領域において、絶縁膜を介して第1半導体領域上および第2半導体領域上に設けられ、第2領域において、絶縁膜を介して半導体基板とゲートパッドとの間に位置し、ゲートパッドに電気的に接続されたゲート電極と、第1領域に設けられ、第1半導体領域および第2半導体領域に電気的に接続された第2電極と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供难以发生噪声的半导体元件。解决方案：半导体元件包括：具有第一表面和第二表面的第一导电型半导体衬底; 设置在所述半导体基板的第一表面侧的第一电极; 设置在半导体衬底的第二表面侧上的第二导电型第一半导体区; 在所述第二表面上的第一区域中选择性地设置在所述第一半导体区上的第一导电型第二半导体区域; 设置在所述第二表面上的绝缘膜; 栅极焊盘，设置在与所述第一区域相邻的所述第二表面上的第二区域中的所述绝缘膜的上侧上; 经由所述第一区域中的所述绝缘膜设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域上的栅电极，所述栅电极经由所述第二区域中的所述绝缘膜位于所述半导体衬底和所述栅极焊盘之间并电连接到所述栅极焊盘; 以及设置在所述第一区域中并电连接到所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的第二电极。

8. 发明专利

JP2017076803A 半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017076803A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016220919
申请日：2016-11-11
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉 , 小野昇太郎 , 仲敏行 , 谷内俊治 , 渡辺美穂 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要：【課題】ノイズが発生し難い半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子1においては、第1半導体層としてのn + 形ドレイン層10の上に、第2半導体層としてのn形ドリフト層11が設けられている。素子領域90では、n形ドリフト層の表面に、第3半導体層としてのp形ベース層12が選択的に設けられている。p形ベース層の表面には第4半導体層としてのn + 形ソース層13が選択的に設けられている。素子領域の最外周には、n形ドリフト層の表面にp形層12aが設けられている。n形ドリフト層、p形ベース層、n + 形ソース層、およびp形層の上には、第1絶縁膜として第1ゲート絶縁膜30が設けられている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017034154A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2017034154A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015154132
申请日：2015-08-04
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】SJ構造を構成する半導体領域の幅を狭くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電形の第1半導体領域1と、第1絶縁部21と、導電部40と、積層体LBと、第2導電形の第4半導体領域4と、第1導電形の第5半導体領域5と、ゲート電極10と、ゲート絶縁部20と、を有する。第1絶縁部21は、第1半導体領域1の一部の上に設けられている。導電部40は、第1半導体領域1の他の一部の上に設けられている。導電部40は、第1半導体領域1と接続されている。積層体LBは、第1導電形の複数の第2半導体領域2と、第2導電形の複数の第3半導体領域3と、を有する。第4半導体領域4は、積層体LBの上に選択的に設けられている。第5半導体領域5は、第4半導体領域4の上に選択的に設けられている。【選択図】図2
摘要翻译：一种半导体器件，能够减少构成SJ结构的半导体区域的宽度的。和第一导电类型，第二导电类型的第一绝缘部21，导电部40，和层压LB，和所述第四半导体区域4中，第一导电类型的第一半导体区域1 第五半导体区域5，栅极电极10，栅极绝缘部20。第一绝缘部21被设置在半导体区1的第一部分。导电部分40被设置在半导体区域1的第一另一部分。导电部40被连接到所述第一半导体区1。层压LB包括多个第二半导体区域的第一导电类型的图2中，多个第三半导体区的第二导电类型的图3中，构成。第四半导体区4选择性地设置在层叠体LB. 第五半导体区域5被选择性地设置在所述第四半导体区域4。 .The

10. 发明专利

JP2015173151A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015173151A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014047694
申请日：2014-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤渉 , 斉藤泰伸
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/1066 , H01L29/423 , H01L29/7786 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42316
摘要：【課題】ノーマリーオフ動作を実現させる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、Al X Ga 1−X Nを材料とする第1の半導体層と、第1の半導体層上に設けられ、ノンドープ又はn型のAl Y Ga 1−Y Nを材料とする第2の半導体層と、第2の半導体層上に設けられる第1の電極と、第2の半導体層上に設けられる第2の電極と、第2の半導体層上の第1の電極と第2の電極との間に、第1の電極および第2の電極と離間して設けられ、p型のAl Z Ga 1−Z N(0≦Z U Ga 1−U Nを材料とする第4の半導体層と、第3の半導体層上の制御電極と第2の電極との間に、制御電極と離間して設けられ、n型のAl U Ga 1−U Nを材料とする第5の半導体層と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现常关操作的半导体器件。解决方案：半导体器件具有由AlGaN形成的第一半导体层，第二半导体层设置在第一半导体层上并由非掺杂或n型AlGaN，设置在第二半导体层上的第一电极，设置在第二半导体层上的第二电极，第三半导体层，设置在第二半导体层上的第一电极和第二电极之间，以与第二半导体层分离第一电极和第二电极，由p型AlGaN（0≤Z<1）形成，设置在第三半导体层上的控制电极，设置在第一电极和控制电极之间的第四半导体层，与控制电极分离并由n型AlGaN形成的第三半导体层，以及第五半导体层，其设置在连接辊电极和第三半导体层上的与控制电极分离的第二电极，并由n型AlGaN形成。

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