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1. 发明专利

JP2019071384A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019071384A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017197705
申请日：2017-10-11
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：山下浩明 , 小野昇太郎 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
摘要：【課題】スイッチング動作時の電磁波ノイズを抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面と第2の面を有する半導体層と、第1導電型の第1の半導体領域と、第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域との間に、第1の半導体領域を挟む第2導電型の第3の半導体領域と、第1の半導体領域と第1の面との間の第1導電型の第1のウェル領域と、第1のウェル領域に対し離間する第1導電型の第2のウェル領域と、第1のウェル領域と第1の面との間の第1導電型の第1のコンタクト領域と、第2のウェル領域と第1の面との間の第1導電型の第2のコンタクト領域と、第1のウェル領域と第2のウェル領域との間の第1の半導体領域の上に設けられたゲート電極と、第1のコンタクト領域に接する第1の領域と、第2のコンタクト領域に接する第2の領域とを有するソース電極と、ドレイン電極と、を備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018206914A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018206914A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017110038
申请日：2017-06-02
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：奥村秀樹 , 小野昇太郎 , 楠直樹 , 佐藤慎吾
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要：【課題】終端のカット位置によって耐圧が左右されない半導体装置を提供すること。【解決手段】絶縁膜は、複数の第2半導体層のうちの横方向の終端に位置する第2半導体層の側面、または複数の第3半導体層のうちの終端に位置する第3半導体層の側面に設けられている。半導電性膜は、絶縁膜の側面に設けられ、第1電極および第2電極と電気的に接続されている。半導電性膜は、第2半導体層の抵抗率および第3半導体層の抵抗率よりも高く、絶縁膜の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6301861B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6301861B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015042034
申请日：2015-03-04
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：小野昇太郎 , 浦秀幸 , 志村昌洋 , 山下浩明
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0634 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802

4. 发明专利

JP5701802B2 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JP5701802B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2012066956
申请日：2012-03-23
申请人：株式会社東芝
发明人：小野昇太郎 , 泉沢優 , 大田浩史 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0634 , H01L29/404 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L2924/0002

5. 发明专利

JP2020047623A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047623A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018172371
申请日：2018-09-14
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：小野昇太郎 , 菅原秀人 , 大田浩史 , 一條尚生 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78
摘要：【課題】ノイズを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1電極、第1導電形の第1半導体領域、第1導電形の不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体領域、第2導電形の第3半導体領域、第1導電形の第4半導体領域、第1導電形の第5半導体領域、第2導電形の第6半導体領域、第1導電形の第7半導体領域、ゲート電極、及び第2電極を有する。第2半導体領域は、第1半導体領域の一部の上に設けられ、第1半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する。第3半導体領域は、第1半導体領域の別の一部の上に設けられている。第4半導体領域は、第1半導体領域と第3半導体領域との間の少なくとも一部に設けられている。第4半導体領域は、第1半導体領域よりも低く、且つ第2半導体領域よりも高い第1導電形の不純物濃度を有する。第5半導体領域は、第1半導体領域と第4半導体領域との間に設けられ、第4半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2019054169A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019054169A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2017178413
申请日：2017-09-15
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：小野昇太郎 , 大田浩史 , 一條尚生 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】スイッチング動作時のノイズを抑制することができ、スイッチング速度の向上とノイズの抑制とのバランス調整が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】MOSFET800において、p−型の高抵抗領域30は、スーパージャンクション構造をシングルエピタキシャル法で形成する際に、半導体層10の中の高抵抗領域30の形成予定箇所に、あらかじめ、n型不純物濃度の高い領域を、xy平面に平行な層状に設けておくことで形成できる。すなわち、高抵抗領域30の形成予定箇所では、pピラー領域形成16a、16bのために、トレンチ内を埋め込んだp型半導体の側面にn型不純物濃度の高い領域18が位置することになる。この領域から、熱拡散によってn型不純物を拡散させ、pピラー領域の幅を狭めることにより、高抵抗領域30を形成することが可能である。【選択図】図14

7. 发明专利

JP6422906B2 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP6422906B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2016048840
申请日：2016-03-11
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：一條尚生 , 小野昇太郎 , 志村昌洋 , 浦秀幸 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7803 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L28/00 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7802

8. 发明专利

JP2017163112A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017163112A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016048840
申请日：2016-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：一條尚生 , 小野昇太郎 , 志村昌洋 , 浦秀幸 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7803 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L28/00 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7802 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0634
摘要：【課題】スイッチング時のノイズを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、第1電極と、第2電極と、を有する。第1半導体領域は、第1部分と、第2部分と、を有する。第2半導体領域は、第3部分と、第4部分と、を有する。ゲート電極は、第3半導体領域の上にゲート絶縁部を介して設けられている。ゲート電極は、第1部分および第2部分の上に位置している。第1電極は、第4半導体領域の上に設けられている。第1電極は、第4半導体領域と電気的に接続されている。第2電極は、ゲート電極の上に設けられている。第2電極は、第1部分の上に位置している。第2電極は、ゲート電極と電気的に接続されている。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2016062944A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016062944A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187330
申请日：2014-09-16
申请人：株式会社東芝
发明人：山下浩明 , 小野昇太郎 , 浦秀幸 , 泉沢優
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/404 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/1095
摘要：【課題】終端領域における半導体領域表面の電界を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、素子領域と、終端領域と、を有する。第2半導体領域は、第1半導体領域内に設けられている。素子領域は、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、を有する。ゲート電極は、ゲート絶縁層を介して、第3半導体領域及び第4半導体領域に向かい合っている。終端領域は、第1電極を有する。終端領域は、素子領域を囲んでいる。第1電極は、第1方向に延びる第1部分と、第2方向に延びる第2部分と、を有する。第1電極は、第1半導体領域上及び第2半導体領域上に複数設けられている。第2方向において隣り合う第1部分の間隔は、第1方向において隣り合う第2部分の間隔よりも狭い。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少终端区域中的半导体区域的表面处的电场的半导体器件。解决方案：根据实施例的半导体器件包括第一导电类型的第一半导体区域，第二导电类型的第二半导体区域第二导电类型的半导体区域，元件区域和端接区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域中。元件区域包括第二导电类型的第三半导体区域，第一导电类型的第四半导体区域和栅电极。栅电极经由栅极绝缘层与第三和第四半导体区域相对。终端区域具有第一电极。终端区域围绕元件区域。第一电极具有沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分。多个第一电极设置在第一和第二半导体区域上。在第二方向相邻的第一部分之间的间隔比在第一方向相邻的第二部分之间的间隔窄。图2

10. 发明专利

JP5863574B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5863574B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2012139012
申请日：2012-06-20
申请人：株式会社東芝
发明人：小野昇太郎 , 泉沢優 , 大田浩史 , 山下浩明
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/60 , H01L29/0634 , H01L29/0684 , H01L29/404 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/405 , H01L2924/0002

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