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    • 6. 发明专利
    • ジャイロセンサの角速度の取得方法及び取得装置
    • 陀螺仪传感器的采集方法和采集装置的角速度
    • JP2016200512A
    • 2016-12-01
    • JP2015081227
    • 2015-04-10
    • 株式会社東芝
    • 池橋 民雄
    • G01C19/5755H01L29/84G01C19/5726
    • G01C19/5726G01C19/5762
    • 【課題】 可動体に強制振動を継続的に与えることなく的確な検出動作を行うことが可能なジャイロセンサの角速度の取得方法を提供する。 【解決手段】 実施形態に係るジャイロセンサの角速度の取得方法は、第1の方向に振動している可動体に働くコリオリ力に基づく第2の方向の振動の振幅に依存する所定物理量を検出することと(S13)、検出された所定物理量に基づいて可動体の角速度を算出することと(S15)、を備え、所定物理量は、コリオリ力に基づく第2の方向の振動が非定常状態であるときに検出される。 【選択図】図4
    • 本发明提供了获得可在不使强制振动所述可移动体连续角速度执行精确的检测操作的陀螺传感器的方法。 获得根据本实施例的陀螺传感器的角速度的方法,检测依赖于在基于作用在可移动体的科里奥利力在第二方向上的振动的振幅的规定的物理量在第一方向上振动 它和(S13),它和(S15),用于计算基于所述检测到的预定物理量的可移动体的角速度,其包括一预定物理量,基于科里奥利力的第二方向的振动处于非稳定状态 这是当检测到。 点域4
    • 10. 发明专利
    • シリコンゲルマニウムを含むデバイスおよびその製造方法
    • 含有硅锗的装置及其制造方法
    • JP2016197659A
    • 2016-11-24
    • JP2015077048
    • 2015-04-03
    • 株式会社東芝
    • 藤本 明中村 直文池橋 民雄
    • H01L21/20
    • B81B3/0072B81C1/00365B81C2201/0167B81C2201/0169
    • 【課題】応力の低減化が図れたシリコンゲルマニウムを含むデバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】製造方法は、非晶質層1上に非晶質金属層2を形成する工程と、非晶質金属層2上に、金属を含み、結晶面が所定の面に配向する金属層2を形成する工程と、金属層2上、にシリコンを含む半導体および前記金属層に含まれる前記金属と同一の金属を含む第1の層を形成する工程とを含む。前記製造方法は、さらに、前記第1の層を、結晶面が前記所定の面に配向する前記半導体と前記金属との化合物を含む第2の層4aに変える工程と、第2の層4a上に、結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第3の層5を形成する工程とを含む。 【選択図】図5
    • 要解决的问题:提供一种包含应力降低的硅锗的器件的制造方法。解决方案:一种制造方法包括在非晶层1上形成非晶态金属层2的步骤,形成金属层的步骤 2,在非晶质金属层2上含有金属并具有定向到预定平面的晶面的步骤,以及形成包含含有与金属层中所含的硅和与金属相同的金属的半导体的第一层的步骤 金属层2.制造方法还包括将第一层改变为含有金属化合物的第二层4a和具有定向到预定平面的晶面的半导体的步骤,以及形成第三层5的步骤 ,含有在第二层4上具有定向到预定平面的晶面的多晶硅锗。选择的图示:图5