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1. 发明专利

JP2021030310A MEMS素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021030310A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019148370
申请日：2019-08-13
申请人：株式会社東芝
发明人：石橋史隆 , 中村直文 , 山崎宏明 , 齋藤友博 , 永田友彦 , 増西桂 , 久留井慶彦
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , B81B3/00
摘要：【課題】安定した特性を有するMEMS素子を提供する。【解決手段】MEMS素子は、基体60s、支持体61、膜部65、第1電極11、第2電極12及び絶縁部材50Uを含む。支持体は、基体に固定される。膜部は、支持体に支持され第1方向において基体から離れる。第1電極は、基体と膜部との間に設けられ、基体に固定される。第2電極は、第1電極と膜部との間に設けられ、膜部に固定される。絶縁部材は、第1絶縁領域51及び第2絶縁領域52を含む。第1絶縁領域は、第1電極と第2電極との間に設けられる。第1絶縁領域と第2電極との間に第1間隙が設けられる。第2絶縁領域は、第1方向において第1電極と重ならない。第1絶縁領域の第1方向に沿う第1厚さt1は、第2絶縁領域の第1方向に沿う第2厚さt2よりも薄い。【選択図】図1

2. 发明专利

JP5921477B2 MEMS素子有权
标题翻译： MEMS元件
公开(公告)号：JP5921477B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013062670
申请日：2013-03-25
申请人：株式会社東芝
发明人：山崎宏明
IPC分类号： H01G5/013 , B81B3/00 , H01G5/16
CPC分类号： H01G5/18

3. 发明专利

JP2015173207A MEMS装置审中-公开
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP2015173207A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014048858
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：山崎宏明
IPC分类号： B81B3/00 , H01G5/16
CPC分类号： H01G5/18 , B81B2201/0221
摘要：【課題】キャパシタンスにばらつきを抑制し、高精度の可変キャパシタを実現することが可能なMEMS装置を提供する。【解決手段】実施形態に係るMEMS装置は、下部電極12と、下部電極に対向する部分を有する可動な上部電極14と、上部電極に接続された第1の部材16とを備え、下部電極の主面に垂直な方向から見て、上部電極と第1の部材との接続部分20の少なくとも一部は下部電極とオーバーラップしていない。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过防止电容变化来实现精确的可变电容器的MEMS器件。解决方案：MEMS器件包括：底部电极12; 可动上电极14，其具有面向底电极的部分; 以及连接到上电极的第一构件16。从垂直于底电极的主平面的方向观察，上电极和第一部件的连接部分20的至少一部分不与底电极重叠。

4. 发明专利

JP2021091024A MEMS素子及び電気回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021091024A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2019222325
申请日：2019-12-09
申请人：株式会社東芝
发明人：山崎宏明 , 増西桂
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01G4/40 , H01G17/00 , H01C13/00 , H01F27/00 , H01H85/10 , H01H85/08 , B81B3/00
摘要：【課題】安定した動作が可能なMEMS素子及び電気回路を提供する。【解決手段】MEMS素子110は、第1部材41及び素子部51を含む。前記素子部は、前記第1部材に固定された第1固定電極11と、前記第1固定電極と対向する第1可動電極20Eと、前記第1可動電極に電気的に接続された第1導電部材21と、前記第1可動電極に電気的に接続された第2導電部材22と、を含む。前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に第1電気信号が印加される前の第1状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記第1可動電極を前記第1固定電極から離して支持する。前記第2導電部材と前記第1固定電極との間に前記第1電気信号Sg1が印加された後の第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材が破断状態である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6884900B2 ガス検出装置有权
公开(公告)号：JP6884900B2
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：JP2020042860
申请日：2020-03-12
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：池橋民雄 , 山崎宏明
IPC分类号： G01N27/04 , G01N27/22

6. 发明专利

JP6797852B2 ガスセンサ有权
公开(公告)号：JP6797852B2
公开(公告)日：2020-12-09
申请号：JP2018035682
申请日：2018-02-28
申请人：株式会社東芝
发明人：山崎宏明
IPC分类号： G01N27/22

7. 发明专利

JP2020153709A ガスセンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2020153709A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019050180
申请日：2019-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：林裕美 , 小島章弘 , 山崎宏明
IPC分类号： G01N27/22
摘要：【課題】十分な性能を有するガスセンサを提供する。【解決手段】PdCuSiを含む第1領域と、前記第1領域の外側に設けられたPdCuを含む第2領域と、を有する感応層23を含み、下部構造10と、前記感応層を含む膜構造20と、前記下部構造と前記膜構造の間に設けられた可動電極31と、前記下部構造と前記可動電極の間に設けられた固定電極32と、を備え、前記感応層が所定ガスを吸収することで変形し、前記感応層の変形に基づいて前記可動電極と前記固定電極のキャパシタンスが変化するガスセンサである。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6685839B2 ガス検出装置有权
公开(公告)号：JP6685839B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2016107802
申请日：2016-05-30
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：池橋民雄 , 山崎宏明
IPC分类号： G01N27/22

9. 发明专利

JP2016172292A MEMSデバイス审中-公开
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP2016172292A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052419
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：山崎宏明 , 久留井慶彦 , 池橋民雄
IPC分类号： H01G5/16 , H01G5/011 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0008 , H01G5/18 , B81B2201/0221 , B81B2203/04
摘要：【課題】性能低下を抑制できるMEMSデバイスを提供すること。【解決手段】MEMSデバイスは、基板100と、基板100上に固定された第1の電極111と、第1の電極111上に設けられたキャパシタ絶縁膜113と、基板100上に設けられ、第1の電極111の周辺部に配置された絶縁膜114と、第1の電極111の上方に配置され、上下方向に可動である第2の電極112とを備える。第1の電極111は一端部および他端部を含み、第2の電極112は第1の電極の一端部および他端部に対応する一端部および他端部を含む。第2の電極112の一端部は、第1の電極111の一端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第1の湾曲部Aを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制性能劣化的MEMS器件。解决方案：MEMS器件包括：衬底100; 固定在基板100上的第一电极111; 设置在第一电极111上的电容器绝缘膜113; 设置在基板100上并设置在第一电极111的周边部分的绝缘膜114; 以及第二电极112，其设置在第一电极111的上方并能够在垂直方向上移动。每个第一电极111包括一个端部和另一个端部。每个第二电极112包括一个端部，另一个端部对应于第一电极的一个端部和另一个端部。第二电极112的每个一个端部包括第一弯曲部分A，该第一弯曲部分A比第一电极111的一个端部更外侧突出，并且弯曲下侧。选择的图示：图2

10. 发明专利

JP2021167766A センサ及びセンサモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2021167766A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020071085
申请日：2020-04-10
申请人：株式会社東芝
发明人：秋元陽介 , 工藤浩喜 , 山崎宏明
IPC分类号： G01N27/22
摘要：【課題】安定した動作が可能なセンサ及びセンサモジュールを提供する。【解決手段】実施形態によれば、センサは、ハンドホール部、センサモジュール、及び、保持部を含む。前記ハンドホール部は、内壁を含む。前記センサモジュールは、前記ハンドホール部の中に設けられる。記センサモジュールは、筐体と、前記筐体の中に設けられガスセンサ素子を含むセンサ回路と、前記センサ回路に電力を供給可能な電池と、を含む。前記保持部は、前記内壁と前記筐体との間、及び、前記筐体の下の第1部材と筐体との間に隙間が形成されるように前記センサモジュールを保持する。【選択図】図1

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