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1. 发明专利

JP2021097100A 電子装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021097100A
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2019226522
申请日：2019-12-16
申请人：株式会社東芝
发明人：蕨かほり , 古山英人 , 栗田洋一郎 , 大平和哉
IPC分类号： H05K7/12 , H01L23/40
摘要：【課題】電子部品の高さの違いに対応しつつ、電子部品の電極を基板の電極に安定した力で接続させることができ、また電子部品を基板から容易に取り外し可能である電子装置を提供する。【解決手段】電子装置1において、ばね部材40は、第1固定部41と第2固定部42との間に連続して設けられた第1曲げ部43、第2曲げ部44および第3曲げ部45を含む少なくとも3つの曲げ部を有する。第3曲げ部は、第1曲げ部と第2曲げ部との間に設けられ、第1曲げ部および第2曲げ部から電子部品30に向かって突出して電子部品に接し、電子部品に対して基板10に向かう方向に弾性復元力を与える。第1曲げ部は、第1固定部と第3曲げ部との間で第3曲げ部の突出方向の反対方向に突出して電子部品から離間し、第2曲げ部は、第2固定部と第3曲げ部との間で第3曲げ部の突出方向の反対方向に突出して電子部品から離間している。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019145647A 半導体受光素子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145647A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018027879
申请日：2018-02-20
申请人：株式会社東芝
发明人：古山英人
IPC分类号： H01L31/107
摘要：【課題】暗電流が低く受光特性に優れた化合物半導体受光層とSiアバランシェ増倍層からなる半導体受光素子の提供。【解決手段】Si基板1に設けられたSiアバランシェ増倍部と、Siアバランシェ増倍部を取り囲み且つSiアバランシェ増倍部と異なる高さに接合端部を有するSi−pn接合と、Si−pn接合端部に設けられたパッシベーション膜8と、Siアバランシェ増倍部上のSi−pn接合領域内に選択的に設けられた化合物半導体受光層6を備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018159791A 光結合モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2018159791A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017056520
申请日：2017-03-22
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：上村浩 , 古山英人 , 栗田洋一郎 , 石橋史隆
IPC分类号： H01L33/58 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4243 , G02B6/3644 , G02B6/3809 , G02B6/3885 , G02B6/423 , G02B6/4245 , G02B6/4249 , G02B6/4292
摘要：【課題】一つの実施形態は、光ファイバの実装を容易化できる光結合モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、光結合モジュールにおいて、アダプタは、光デバイスに装着される。光デバイスは、光素子とビアとを有する。光素子は、基板における第1の主面に配されている。ビアは、基板における光素子に対応した位置に配されている。ビアは、基板における第2の主面に第1の開口部を有する。第2の主面は、基板における第1の主面の反対側の主面である。ビアは、第1の主面まで達していない。アダプタは、ガイド穴を有する。ガイド穴は、アダプタにおける第3の主面に第2の開口部を有する。第3の主面は、第2の主面に対向する主面である。第2の開口部は、第1の開口部に対応している。ガイド穴は、アダプタにおける第4の主面に第3の開口部を有する。第4の主面は、アダプタにおける第3の主面の反対側の主面である。【選択図】図4

4. 发明专利

JP2018014532A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018014532A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017191275
申请日：2017-09-29
申请人：株式会社東芝
发明人：糸永修司 , 古山英人 , 遠藤光芳
IPC分类号： H01L21/683
摘要：【課題】転写時の位置精度に優れた半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造装置100は、第1面31aを有する第1テープ31と、第1面31aの反対側で第1テープ31を支持する第1支持部11と、第1テープ31の第1面31aに対向する第2面32aを有する第2テープ32と、第2面32aの反対側で第2テープ32を支持する第2支持部12と、第1テープ31と第2テープ32との間に設けられ、第1面31aおよび第2面32a側に通じる孔41を有するシールリング40と、を備える。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6045999B2 半導体発光装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6045999B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013159346
申请日：2013-07-31
申请人：株式会社東芝
发明人：富澤英之 , 小島章弘 , 島田美代子 , 秋元陽介 , 下宿幸 , 古山英人 , 杉崎吉昭
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L33/44 , H01L33/46

6. 发明专利

JP5989420B2 半導体発光装置有权
公开(公告)号：JP5989420B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012146031
申请日：2012-06-28
申请人：株式会社東芝
发明人：秋元陽介 , 杉崎吉昭 , 小島章弘 , 島田美代子 , 富澤英之 , 古山英人
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2924/0002 , H01L33/62

7. 发明专利

JP5985322B2 半導体発光装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5985322B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2012202760
申请日：2012-09-14
申请人：株式会社東芝
发明人：秋元陽介 , 島田美代子 , 小島章弘 , 富澤英之 , 杉崎吉昭 , 古山英人
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/507

8. 发明专利

JP5818952B2 光配線デバイス有权
标题翻译：光布线装置
公开(公告)号：JP5818952B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2014157434
申请日：2014-08-01
申请人：株式会社東芝
发明人：飯塚紀夫 , 大平和哉 , 吉田春彦 , 江崎瑞仙 , 古山英人 , 小林賢太郎 , 上村浩
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/42 , G02B6/122

9. 发明专利

JP5758359B2 光配線デバイスおよびその製造方法有权
标题翻译：光布线装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5758359B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2012177604
申请日：2012-08-09
申请人：株式会社東芝
发明人：飯塚紀夫 , 大平和哉 , 吉田春彦 , 江崎瑞仙 , 古山英人 , 小林賢太郎 , 上村浩
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/131 , H01L31/173 , H01S5/0264 , H01S5/1071 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/1228

10. 发明专利

JP2015088524A 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：JP2015088524A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013223446
申请日：2013-10-28
申请人：株式会社東芝
发明人：富澤英之 , 島田美代子 , 小島章弘 , 秋元陽介 , 下宿幸 , 古山英人 , 杉崎吉昭
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/501 , H01L33/002 , H01L33/505 , H01L33/0079 , H01L33/385 , H01L33/44
摘要：【課題】実施形態は、蛍光体層側から半導体層側への戻り光を抑制できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層とp側電極とn側電極とp側配線部とn側配線部と樹脂層と蛍光体層とを備えている。半導体層は、第1の面と第1の面の反対側の第2の面とを持ち、発光層を有する。p側電極及びn側電極は第2の面側において半導体層に設けられている。p側配線部は第2の面側に設けられ、p側電極に接続されている。n側配線部は第2の面側に設けられ、n側電極に接続されている。樹脂層は、p側配線部とn側配線部との間に設けられている。蛍光体層は、第1の面側に設けられ、第1の面との間で鈍角を形成する側面を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制从荧光体层侧到半导体层侧的返回光的半导体发光器件。解决方案：半导体发光器件包括半导体层，p侧电极，n p侧配线部，n侧配线部，树脂层和荧光体层。半导体层具有与第一表面相反一侧的第一表面和第二表面，并且具有发光层。 p侧电极和n侧电极设置在第二表面侧的半导体层上。 p侧配线部设置在第二面侧，与p侧电极连接。 n侧配线部设置在第二面侧，与n侧电极连接。树脂层设置在p侧配线部和n侧配线部之间。荧光体层设置在第一表面侧，并且具有与第一表面形成钝角的侧表面。

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