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1. 发明专利

JP5914605B2 半導体受光素子有权
公开(公告)号：JP5914605B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2014190679
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社東芝 , 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
发明人：吉田春彦 , 大平和哉 , 江崎瑞仙
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： G02B6/29338 , G02B6/1228 , G02B6/29341 , H01S5/0264 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , H01S5/1075

2. 发明专利

JP6581022B2 半導体発光デバイスおよび光半導体デバイス有权
公开(公告)号：JP6581022B2
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：JP2016048033
申请日：2016-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：大平和哉 , 江崎瑞仙 , 上村紘崇 , 吉田春彦 , 飯塚紀夫 , 古山英人
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/026 , H01L31/10 , H01S5/183

3. 发明专利

JP2018063975A 半導体光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018063975A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016199844
申请日：2016-10-11
申请人：株式会社東芝
发明人：上村紘崇 , 江崎瑞仙 , 大平和哉 , 飯塚紀夫 , 吉田春彦
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01L33/10 , H01L31/12 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/10 , H01L27/14621 , H01L27/14818 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02165 , H01L31/02327 , H01L31/165 , H01L31/173
摘要：【課題】製造プロセスを簡素化でき、小型で大量生産が可能で、分光検知器として利用可能な半導体光デバイスを提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体光デバイスは、基板と、前記基板上に配置されたフィルタ層と、前記フィルタ層上に配置された半導体受光素子とを備え、前記フィルタは入射光の所望の波長を透過する、異なる屈折率材料からなる周期構造を有する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016178293A 光半導体デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：光半导体器件和制造方法
公开(公告)号：JP2016178293A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016048033
申请日：2016-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：大平和哉 , 江崎瑞仙 , 上村紘崇 , 吉田春彦 , 飯塚紀夫 , 古山英人
IPC分类号： H01S5/024 , H01L31/10 , H01S5/183
摘要：【課題】放熱性が良好で、デバイス構造内に歪の発生が少ない半導体発光デバイス等の光半導体デバイスを提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体発光デバイスは、基板と、基板に接して設けられた第1の光反射構造と、第1の光反射構造を取り囲む埋め込み層と、第1の光反射構造上に設けられた、活性層を含む光半導体構造と、前記光半導体構造上に設けられた第2の光反射構造と、前記光半導体構造に通電するための一対の電極とを備える。第1の光反射構造の表面と前記埋め込み層の表面は、同一平面内に含まれる。ことを特徴とする【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有令人满意的散热性能的半导体发光器件的光半导体器件，并且在器件结构中产生很小的变形。解决方案：半导体发光器件包括：衬底; 形成为与基板接触的第一光反射结构; 包围第一光反射结构的掩埋层; 在包括有源层的第一光反射结构上形成的光半导体结构; 形成在所述光半导体结构上的第二光反射结构; 以及用于向光半导体结构提供电力的一对电极。第一光反射结构的表面和掩埋层的表面被包括在相同的平面中。选择图：图1

5. 发明专利

JP2018032043A 光デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018032043A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017213923
申请日：2017-11-06
申请人：株式会社東芝
发明人：大平和哉 , 江崎瑞仙 , 鈴木信夫 , 飯塚紀夫 , 吉田春彦
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/132 , G02B6/26 , G02F1/295 , G02B6/122
摘要：【課題】オンチップ多層光配線の光配線層間接続に使用できる実用的な光デバイスを提供する。【解決手段】光デバイスは、基板200と、基板上の第1の配線分離層201と、第1の光導波路207aを含む第1の光配線層202と、第1の光導波路と離間して略平行に伸長し、第2の光導波路208bを含む第2の光配線層204と、第1の光配線層と第2の光配線層との間にあり、第1の光導波路と第2の光導波路の間に設けられた第2の配線分離層203と、を備え、第1の光導波路、接続部、第2の光導波路がすべて重なる領域を有し、厚さをH、平均屈折率をn core 、光の中心波長をλとするとき、接続部の長さLが、を満たす。【選択図】図25

6. 发明专利

JP2018029098A 半導体発光デバイスおよび多層反射膜审中-公开
公开(公告)号：JP2018029098A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2016159287
申请日：2016-08-15
申请人：株式会社東芝
发明人：吉田春彦 , 大平和哉 , 上村紘崇 , 飯塚紀夫
IPC分类号： G02B5/08 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S2301/176
摘要：【課題】比較的簡素な構造の光反射構造を備え、もって同一基板上に半導体受光デバイスを同時に作製することを可能にする半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光デバイスは、基板と、活性層を含む半導体発光構造と、前記基板と前記半導体発光構造との間に配置された第1の光反射構造と、前記半導体発光構造の上側に配置された第2の光反射構造と、前記半導体発光構造に電流を印加するための一対の電極を備える。前記第1の光反射構造および前記第2の光反射構造の少なくとも一方は、屈折率が周期的に変化するように配置された高屈折率領域と低屈折率領域とによりそれぞれ構成された複数の構造体層、および隣り合う前記構造体層の間に配置された低屈折率層を含む多層反射膜である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017004006A 光デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：光学装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2017004006A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016172785
申请日：2016-09-05
申请人：株式会社東芝
发明人：大平和哉 , 江崎瑞仙 , 鈴木信夫 , 飯塚紀夫 , 吉田春彦
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/132 , G02F1/295 , G02B6/122
摘要：【課題】オンチップ多層光配線の光配線層間接続に使用できる実用的な光デバイスを提供する。【解決手段】光デバイスは、基板100と、基板上の第1の配線分離層101と、第1の配線分離層上の第1の配線層内クラッド107bと、左右を第1の配線層内クラッドに挟まれ第1のコア材からなる第1の光導波路107aとを含む第1の光配線層102と、第1の配線分離層上方の第2の配線層内クラッド108bと、左右を第2の配線層内クラッドに挟まれ、第1の光導波路と離間して略平行に伸長し、第1のコア材からなる第2の光導波路108aとを含む第2の光配線層104と、第1の光配線層と第2の光配線層との間の周囲層と、周囲層で挟まれ、第1のコア材よりも高い屈折率の第2のコア材からなる接続部110aとを含む第2の配線分離層と、を備え、基板に平行な面に投影した場合に、接続部が、第1の光導波路および第2の光導波路のいずれよりも内側となる。【選択図】図5
摘要翻译：以提供可以用于片上的多层光配线的光配线层间连接一个实际的光学装置。一种光学器件，包括：衬底100，在衬底上的第一布线绝缘层101，在第一布线分离层上包层107B的第一布线层中，左和右第一互连层包括第一光波导107A包括第一芯构件夹住包层，在所述第一布线分离层的包层108b的向上的第二布线层，所述左和右第一的第一光学布线层102 夹在两个布线层之间的包层，从所述第一光波导基本上平行地延伸间隔开，并且所述第二光配线层104和第二光导波路108A包括第一芯构件，和第一光学布线层和第二光学布线层，夹在外围层之间，并且具有比所述第一芯构件更高的折射率制成的第二芯材的连接部分110a之间的周边层包括包括第二布线分离层，在平行于基板的平面投影时，连接区域可以是比任何第一光波导和第二光波导的内部。点域5

8. 发明专利

JP2018155805A 波長フィルタ及び受光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018155805A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017050244
申请日：2017-03-15
申请人：株式会社東芝
发明人：吉田春彦 , 大平和哉 , 上村紘崇 , 蕨かほり
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B5/28
CPC分类号： G02B5/20 , G01J1/0488 , G02B5/284 , G02F2203/055
摘要：【課題】高指向性を有する波長フィルタを提供する。【解決手段】実施形態の波長フィルタは、第1の材料を含む複数の第1の領域と、複数の第1の領域の間のそれぞれに設けられ第1の材料より屈折率の高い第2の材料を含む複数の第2の領域と、を有する第1の層と、第1の層上に設けられ、第1の材料を含む第2の層と、第2の層上の、複数の第1の領域のそれぞれの上に設けられ第1の材料を含む複数の第3の領域と、複数の第3の領域の間のそれぞれに設けられ第2の材料を含む複数の第4の領域と、を有する第3の層と、を備える。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017174838A 半導体受光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2017174838A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016055631
申请日：2016-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：吉田春彦 , 大平和哉
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/035236 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要：【課題】基板側から光が入射可能で、かつ小さい受光面積で光吸収層での入射光の吸収効率を向上させることが可能な半導体受光デバイスを提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられた光伝播層と、前記光伝播層上に設けられた光吸収層を含む半導体層と、前記光吸収層に電圧を印加する電極と、を備え、前記光伝播層および前記半導体層の最下層は、互に対向する第1、第2の光入力層と、当該第1、第2の光入力層の周囲に所望の距離を隔てて配置され、互に対向する第1、第2の環状層と、前記第1、第2の光入力層と前記第1、第2の環状層が互に対向する第1、第2の光導波路とを備え、前記第1の光入力層は回折格子を含み、前記半導体層のうち、前記最下層を除く層は、環状をなす半導体受光デバイス。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2016178234A 半導体受光デバイス审中-公开
标题翻译：半导体接收器件
公开(公告)号：JP2016178234A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015058196
申请日：2015-03-20
申请人：株式会社東芝
发明人：吉田春彦 , 大平和哉 , 江崎瑞仙
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/105
摘要：【課題】基板側から光が入射可能で、かつ光吸収層での入射光の吸収効率を向上させることが可能な受光デバイスを提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に配置された光吸収層を含む半導体層と、前記基板と前記半導体層の間に配置され、光が前記基板側から入射される、屈折率が周期的に変化する第1の構造体層と、前記半導体層上に配置された反射層と、前記光吸収層に電圧を印加する一対の電極と、を備えることを特徴とする半導体受光デバイス。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够使从基板侧入射的光并提高光吸收层中的入射光的吸收效率的半导体光接收装置。解决方案：半导体光接收装置包括：基板; 包括布置在所述基板上的光吸收层的半导体层; 布置在基板和半导体层之间并且从基板侧入射光并且折射率周期性变化的第一结构层; 布置在半导体层上的反射层; 以及一对向光吸收层施加电压的电极

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