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1. 发明专利

JPWO2020121588A1 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2020121588A1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019029630
申请日：2019-07-29
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：岩瀬拓 , 磯崎真一 , 横川賢悦 , 森政士 , 佐山淳一
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：プラズマ密度分布を中心高な分布と節分布を両方とも独立に制御することが可能にし、処理の均一性をより高い精度で試料をプラズマ処理することができるようにするために、プラズマ処理装置を、試料がプラズマ処理される真空容器と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、試料が載置される試料台と、真空容器の内部に磁場を形成させ真空容器の外側に配置された磁場形成部とを備えて構成し、磁場形成部には、第1のコイルと、第1のコイルより内側に配置され第1のコイルの直径より小さい直径の第2のコイルと、第1のコイル、真空容器の上方および側面を覆い第1のコイルが内部に配置された第1のヨークと、第2のコイルの周方向に沿って第2のコイルを覆い第2のコイルの下方側に開口部を有する第2のヨークとを具備させた。

4. 发明专利

JP6725176B2 プラズマエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6725176B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2016212459
申请日：2016-10-31
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：石丸亮 , 宇根聡 , 森政士
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/532 , H05H1/46 , C23F4/00 , H01L21/3065

7. 发明专利

JPWO2019229784A1 プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019229784A1
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2018020271
申请日：2018-05-28
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：近藤勇樹 , 横川賢悦 , 森政士 , 宇根聡 , 中本和則
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：試料の面内方向についての処理のバラつきを低減し、処理の歩留まりを向上させることができる技術を提供する。本プラズマ処理装置1は、試料台110内に配置された第1電極(基材110B)と、試料台110の上面部310(誘電体膜部110A)の外周側を囲んで配置されたリング状の第2電極(導体リング114)と、第2電極を覆って、上面部310の外周を囲むように配置された誘電体製のリング状部材(サセプタリング113)と、第1電極および第2電極の各々に高周波電源から高周波電力を供給するための複数の給電経路と、第2電極への給電経路上に配置された整合器117とを備える。そして、第2電極への給電系路上の整合器117と第2電極との間における第1箇所(A1)と接地箇所との間が、所定の値にされた抵抗118を介して電気的に接続されている。

9. 发明专利

JPWO2021124470A1 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2021124470A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2019049535
申请日：2019-12-18
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：梶房裕之 , 横川賢悦 , 荒瀬高男 , 森政士
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：安定したプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置を提供するため、真空容器内部の処理室内の下部に配置され前記プラズマを用いた処理対象のウエハが載せられる試料台であって上部の中央部に配置された凸状部の上面に前記ウエハが載せられる試料台において内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される電極および前記試料台の前記凸状部の外周側で前記上面を囲んで配置された導体製のリング状部材の電極と、このリング状部材と前記処理室との間及び前記試料台の上面との間で前記リング状部材を対して覆って配置された誘電体製の第1のリング状カバーと、前記処理室と第1のリング状カバーの上面との間でこれを覆って配置され導体製の第2のリング状カバーとを備え、ウエハの処理中に導体製のリング状部材に供給する高周波電力の電圧を検出した結果に応じて当該高周波電力の大きさを調節する調節器とを備えた。

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