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1. 发明专利

JPWO2020008703A1 プラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020008703A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JP2019016735
申请日：2019-04-19
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：高松知広 , 荒瀬高男 , 梶房裕之
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本発明は、ポリシリコン膜のマスク層を形成するプラズマ処理方法において、エッチング形状異常を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。本発明は、ポリシリコン膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ハロゲンガスとフルオロカーボンガスと酸素ガスと硫化カルボニルガスの混合ガスを用いて前記ポリシリコン膜をプラズマエッチングすることを特徴とする。

5. 发明专利

JPWO2021124470A1 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2021124470A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2019049535
申请日：2019-12-18
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：梶房裕之 , 横川賢悦 , 荒瀬高男 , 森政士
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：安定したプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置を提供するため、真空容器内部の処理室内の下部に配置され前記プラズマを用いた処理対象のウエハが載せられる試料台であって上部の中央部に配置された凸状部の上面に前記ウエハが載せられる試料台において内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される電極および前記試料台の前記凸状部の外周側で前記上面を囲んで配置された導体製のリング状部材の電極と、このリング状部材と前記処理室との間及び前記試料台の上面との間で前記リング状部材を対して覆って配置された誘電体製の第1のリング状カバーと、前記処理室と第1のリング状カバーの上面との間でこれを覆って配置され導体製の第2のリング状カバーとを備え、ウエハの処理中に導体製のリング状部材に供給する高周波電力の電圧を検出した結果に応じて当該高周波電力の大きさを調節する調節器とを備えた。

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