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1. 发明专利

JP2015043064A 表示装置及び電子機器有权
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2015043064A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2014032622
申请日：2014-02-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： SHISHIDO HIDEAKI , MIYAKE HIROYUKI , INOUE KIYOKO , TOYOTAKA KOHEI , KUSUNOKI KOJI
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/136204 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66
摘要：【課題】新規な表示装置を提供する。【解決手段】画素部と、画素部の外側に配置された駆動回路部と、を有し、画素部は、マトリクス状に配置された画素電極と、画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有し、駆動回路部は、ゲート電極と同一工程で形成される第1の配線乃至第3の配線と、ソース電極及びドレイン電極と同一工程で形成される第4の配線乃至第6の配線と、画素電極と同一工程で形成される第7の配線と、第2の配線と第5の配線が交差する第1の領域と、第3の配線と第6の配線が交差する第2の領域と、を有し、第1の配線と第4の配線は、第7の配線を介して接続され、第2の領域は、第1の領域よりも配線間の距離が長い。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种新颖的显示装置。解决方案：显示装置包括：像素部分; 以及配置在像素部的外侧的驱动电路部。像素部分包括：以矩阵形式布置的像素电极; 以及与像素电极电连接的晶体管。晶体管包括：栅电极; 栅电极上的栅极绝缘层; 栅极绝缘层上的氧化物半导体层; 氧化物半导体层上的源电极和漏电极。驱动电路部分包括：以与栅极电极相同的工艺形成的第一至第三布线; 在与源电极和漏电极相同的工艺中形成第四至第六布线; 以与像素电极相同的工序形成第七布线; 第二布线和第五布线彼此交叉的第一区域; 以及第三布线和第六布线彼此交叉的第二区域。第一布线和第四布线经由第七布线连接，并且第二区域在布线之间的距离比第一区域中布线的距离更长。

2. 发明专利

JP2015018264A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015018264A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014171287
申请日：2014-08-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： KIMURA HAJIME , YOSHIDA YASUNORI , SHISHIDO HIDEAKI , UMEZAKI ATSUSHI , YANAGISAWA MAKOTO , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/34 , G09G3/36
CPC分类号： G09G3/36 , G02F1/133603 , G02F1/1362 , G09G3/3208 , G09G3/3426 , G09G3/3648 , G09G2300/046 , G09G2320/0238 , G09G2320/062 , G09G2320/066 , G09G2330/021
摘要：【課題】黒を表示しようとしても液晶素子から光が漏れてしまうという課題を低減もしくは克服し、コントラストを向上する表示装置を提供することを課題とする。また、バックライトの点灯状態を画素ごとに制御する機能を有する画素回路を提供することを課題とする。【解決手段】黒の階調を表示するとき、発光素子を消灯することによって、上記課題を解決する。また、画素ごとに発光素子を設け、表示を行う階調に応じて個別に発光素子の点灯、非点灯を制御する機能も画素回路に設ける事によって上記課題を解決する。各画素に対応してバックライトを設けることにより、黒の階調を表現するときに、バックライトとなる発光素子を消灯することができ、液晶素子の光漏れによるコントラストの低下を防ぐことができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种显示装置，其中减少或克服了黑色显示器中的液晶元件的漏光问题，并提高了对比度，并且提供了具有控制a的照明状态的功能的像素电路每个像素的背光。解决方案：发光元件关闭，显示为黑色灰度。在每个像素中设置有发光元件，像素电路具有根据用于显示的灰度级来分别控制发光元件的接通/断开的功能。由于对应于每个像素提供了背光源，所以在黑色灰度级显示时，作为背光源的发光元件被关闭，以防止由于来自液晶元件的光泄漏而造成的对比度降低。

3. 发明专利

JP2013231985A Display device and electronic apparatus 审中-公开
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2013231985A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2013129253
申请日：2013-06-20
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： KIMURA HAJIME , YOSHIDA YASUNORI , SHISHIDO HIDEAKI , UMEZAKI ATSUSHI , YANAGISAWA MAKOTO , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/34 , G09G3/36
CPC分类号： G09G3/36 , G02F1/133603 , G02F1/1362 , G09G3/3208 , G09G3/3426 , G09G3/3648 , G09G2300/046 , G09G2320/0238 , G09G2320/062 , G09G2320/066 , G09G2330/021
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which a problem of light leakage from a liquid crystal element in black display is reduced or overcome and the contrast is improved, and provide a pixel circuit having a function to control the lighting state of a backlight for each pixel.SOLUTION: A light-emitting element is turned off in display of a black gray scale. A light-emitting element is provided in each pixel and a pixel circuit has a function to individually control lighting and non-lighting of the light-emitting element depending on a gray scale to perform display. When a backlight is provided corresponding to each pixel, a light-emitting element that is a backlight is turned off when a black gray scale is displayed, so that reduction in contrast due to light leakage from a liquid crystal element can be prevented.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种显示装置，其中减少或克服了黑色显示器中的液晶元件的漏光问题，并提高了对比度，并且提供了具有控制a的照明状态的功能的像素电路每个像素的背光。解决方案：发光元件关闭，显示为黑色灰度。在每个像素中设置发光元件，像素电路具有根据灰度分别控制发光元件的照明和非点亮的功能，以进行显示。当对应于每个像素提供背光时，当显示黑色灰度时，作为背光的发光元件被关闭，从而可以防止由于来自液晶元件的光泄漏而引起的对比度的降低。

4. 发明专利

JP2013225683A Display device 审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2013225683A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2013121647
申请日：2013-06-10
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , ABE TAKAMASA , SHISHIDO HIDEAKI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3248 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/78606 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the following problem: A threshold voltage sometimes shifts to the minus side or plus side due to an unspecified factor in the manufacturing process of a thin-film transistor and, when a value shifted from 0 V is large, a drive voltage increases and hence the power consumption of a semiconductor device is increased.SOLUTION: After a resin layer with high flatness is formed as a first protective insulation film covering oxide semiconductor layer, a second protective insulation film deposited under a low power conditions using the spatter method or plasma CVD method is formed as the second protective insulation film on the resin layer. Further, to control a threshold voltage to be a desired value, a gate electrode is provided on the top and bottom of the oxide semiconductor layer.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决以下问题：由于薄膜晶体管的制造过程中的未指定因素，阈值电压有时偏移到负侧或正侧，并且当从0V移位的值大时，驱动电压增加，因此半导体器件的功耗增加。解决方案：在形成具有高平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜之后，在低功率条件下沉积第二保护绝缘膜，使用形成溅射法或等离子体CVD法作为树脂层上的第二保护绝缘膜。此外，为了将阈值电压控制为期望值，在氧化物半导体层的顶部和底部设置栅电极。

5. 发明专利

JP2013218331A Display device 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2013218331A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2013080075
申请日：2013-04-08
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： KIMURA HAJIME , SHISHIDO HIDEAKI
IPC分类号： G09G3/30 , G09G3/20 , H01L51/50 , H04N5/70 , H05B33/08 , H05B33/14
CPC分类号： G09G3/32 , G09G3/2033 , G09G3/204 , G09G2300/08 , G09G2300/0809 , G09G2320/0266
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce pseudo contours generated during display by a time-gradation system.SOLUTION: When displaying a gradation in n bits (n: integer), each bit of the gradation represented by binary digits is divided into three bit group, and one frame is divided into two sub-frame groups. A sub-frames (a: an integer of 0
摘要翻译：要解决的问题：减少由时间灰度系统显示期间产生的伪轮廓。解决方案：当以n位（n：整数）显示灰度时，由二进制数字表示的灰度的每个位被分成三位组，一帧分为两个子帧组。将与第一位组中包含的位相当的子帧（a：0

6. 发明专利

JP2013191648A Semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013191648A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2012055292
申请日：2012-03-13
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SHISHIDO HIDEAKI , KUWABARA HIDEAKI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To correct the tendency that electric characteristics vary depending on a top surface shape of an oxide semiconductor layer, a top surface shape of a source electrode layer, a top surface shape of a drain electrode layer and positional relationship among the top surface shapes.SOLUTION: A semiconductor device comprises an oxide insulation film provided on a source electrode layer and a drain electrode layer. A circumference of the source electrode layer is arranged on an inner side of a circumference of an oxide semiconductor layer, and a circumference of the drain electrode layer is arranged on an inner side of the circumference of the oxide semiconductor layer, and end faces of the oxide semiconductor layer are covered with the oxide insulation film. The semiconductor device has a layout where a distance between the circumference of the source electrode layer and the circumference of the oxide semiconductor layer is equal to or more than a channel length L, and a layout where a distance between the circumference of the drain electrode layer and the circumference of the oxide semiconductor layer is equal to or more than the channel length L.
摘要翻译：要解决的问题：为了校正电特性根据氧化物半导体层的顶表面形状，源极电极层的顶表面形状，漏电极层的顶表面形状和顶部之间的位置关系而变化的趋势表面形状。解决方案：半导体器件包括设置在源电极层和漏电极层上的氧化物绝缘膜。源极电极层的周围配置在氧化物半导体层的周围的内侧，漏极电极层的周围配置在氧化物半导体层的周围的内侧，氧化物半导体层被氧化物绝缘膜覆盖。半导体器件具有其中源极电极层的周长与氧化物半导体层的周长之间的距离等于或大于沟道长度L的布局，以及布置在漏极电极层的周长之间的距离并且氧化物半导体层的周长等于或大于沟道长度L.

7. 发明专利

JP2013109375A Liquid crystal display device 审中-公开
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：JP2013109375A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2013033164
申请日：2013-02-22
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： ARASAWA AKIRA , SHISHIDO HIDEAKI
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/40 , G09G3/3648 , G09G2300/0447 , H01L27/1225 , H01L27/1255
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device in which a pixel including a thin film transistor using an oxide semiconductor has a higher aperture ratio.SOLUTION: In a liquid crystal display device, a pixel includes a transistor, first wiring functioning as a scan line, second wiring functioning as a signal line and a pixel electrode. The pixel has no capacitance line formed simultaneously with the first wiring.
摘要翻译：解决的问题：提供一种液晶显示装置，其中包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素具有较高的开口率。解决方案：在液晶显示装置中，像素包括晶体管，用作扫描线的第一布线，用作信号线的第二布线和像素电极。像素没有与第一布线同时形成的电容线。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2013066234A Semiconductor device, display module and electronic apparatus 有权
标题翻译：半导体器件，显示模块和电子设备
公开(公告)号：JP2013066234A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2012267996
申请日：2012-12-07
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： INOUE KIYOKO , TOYOTAKA KOHEI , MIYAKE HIROYUKI , MIYAZAKI AYA , SHISHIDO HIDEAKI , KUSUNOKI KOJI
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pulse signal output circuit and a shift register including the pulse signal output circuit, which can stably operate.SOLUTION: A pulse signal output circuit of an embodiment comprises first through tenth transistors. A ratio W/L of a channel width W to a channel length L of each of the first transistor and the third transistor is set larger than W/L of the sixth transistor; W/L of the fifth transistor is set larger than W/L of the sixth transistor; W/L of the fifth transistor is set identical to W/L of the seventh transistor; and W/L of the third transistor is set larger than W/L of the fourth transistor. As a result, the pulse signal output circuit and a shift register including the pulse signal output circuit, which can stably operate can be provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以稳定操作的脉冲信号输出电路和包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。解决方案：实施例的脉冲信号输出电路包括第一至第十晶体管。第一晶体管和第三晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比W / L被设定为大于第六晶体管的W / L; 第五晶体管的W / L设定为大于第六晶体管的W / L; 将第五晶体管的W / L设定为与第七晶体管的W / L相同; 并且第三晶体管的W / L被设定为大于第四晶体管的W / L。结果，可以提供脉冲信号输出电路和包括可稳定操作的脉冲信号输出电路的移位寄存器。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012252349A Display device and liquid crystal display device 有权
标题翻译：显示装置和液晶显示装置
公开(公告)号：JP2012252349A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2012168007
申请日：2012-07-30
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： ARASAWA AKIRA , SHISHIDO HIDEAKI
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/40 , G09G3/3648 , G09G2300/0447 , H01L27/1225 , H01L27/1255
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an opening ratio in each pixel having a transistor using an oxide semiconductor.SOLUTION: The display device or the liquid crystal display device has first pixels each having the first transistor and a first pixel electrode, second pixels each having a second transistor and a second pixel electrode, and a wiring that can function as a scanning line. The first transistor has an oxide semiconductor layer. The oxide semiconductor layer is superimposed on the wiring with a gate insulating film therebetween. The oxide semiconductor layer has an area wider than the wiring.

10. 发明专利

JP2011029614A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2011029614A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：JP2010136708
申请日：2010-06-16
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： HIROSE ATSUSHI , SHISHIDO HIDEAKI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L23/62 , H01L27/14609 , H01L27/14616 , H01L27/14692 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make a protection circuit used for a semiconductor device function effectively and prevent breakage of the semiconductor device due to surges. SOLUTION: The semiconductor device includes a terminal electrode, a protection circuit, an integrated circuit, and wiring for electrically connecting them to one another. In the semiconductor device, the protection circuit is provided between the terminal electrode and the integrated circuit, and the terminal electrode, the protection circuit, and the integrated circuit are connected to one another without branching the wiring. Breakage of the semiconductor device caused by electrostatic discharge can be reduced. The occurrence of failures of the semiconductor device can be reduced. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：使用于半导体器件的保护电路有效地起作用并防止由于浪涌引起的半导体器件的损坏。解决方案：半导体器件包括端子电极，保护电路，集成电路和用于将它们彼此电连接的布线。在半导体器件中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，并且端子电极，保护电路和集成电路彼此连接而不分支布线。可以减少由静电放电引起的半导体器件的破损。可以减少半导体器件的故障的发生。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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