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1. 发明专利

JP2017084439A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2017084439A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016225673
申请日：2016-11-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： UMEZAKI ATSUSHI , MIYAKE HIROYUKI
IPC分类号： G11C19/28 , G09G3/20 , G09G3/3275 , G09G3/36 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要：【課題】トランジスタ等の半導体素子の劣化を抑制することができる、シフトレジスタ等のデジタル記憶装置を提供する。【解決手段】シフトレジスタ等のデジタル記憶装置は、ハイレベルの信号を出力する第1のトランジスタと、ロウレベルの信号を出力する第2のトランジスタを有する。そして、第2のトランジスタがオンとオフとを繰り返すように制御することにより、第2のトランジスタがオンになる時間を短くする。これにより、第2のトランジスタの劣化を抑制することができる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017084435A 半導体装置、電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017084435A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016210209
申请日：2016-10-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： MIYAKE HIROYUKI
IPC分类号： G11C19/28 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/36 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： G11C19/28 , G11C19/287 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要：【課題】信頼性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】同じ導電型のトランジスタで構成されたパルス出力回路を含むシフトレジスタなどを有する半導体装置において、パルス出力回路の非選択期間中にソースドレイン間に電位差が無くゲートに正のストレスが印加されるトランジスタに、バックゲートを有するトランジスタを用いる。非選択期間中、ゲートとバックゲートの電位を互いに入れ換えることで、トランジスタに加えられるストレスを緩和する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015046581A 半導体装置及び該半導体装置を用いた表示装置有权
标题翻译：半导体器件和包括半导体器件的显示器件
公开(公告)号：JP2015046581A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014140256
申请日：2014-07-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , MIYAKE HIROYUKI , SATO TAKAHIRO , KAMINAGA MASAMI
IPC分类号： H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要：【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、トランジスタ及び該トランジスタに電気的に接続された電源線または信号線等の配線を高密度に集積した場合、該配線の接続部に不良が生じる。【解決手段】トランジスタ及び接続部を有する半導体装置であって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上に形成される第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成され、ゲート電極と重畳する位置に形成される酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、を有し、接続部は、ゲート電極と同一表面上に形成される第1の配線と、ソース電極及びドレイン電極と同一表面上に形成される第2の配線と、第1の配線と第2の配線を接続する第3の配線と、を有し、第2の配線の端部は、ソース電極及びドレイン電極の端部よりも上端部と下端部の距離が長い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了防止当晶体管和电连接到晶体管的电源线或信号线的布线密集地集成在具有氧化物半导体膜的半导体器件中时，防止布线的连接部分的缺陷。解决方案：半导体器件具有晶体管和连接部分。晶体管包括：栅电极; 形成在栅电极上的第一绝缘膜; 形成在所述第一绝缘膜上并形成在与所述栅电极重叠的位置处的氧化物半导体膜; 以及与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极。连接部具有：与栅电极在同一表面上形成的第一布线; 形成在与源电极和漏电极相同的表面上的第二布线; 以及连接第一布线和第二布线的第三布线。第二布线的上端和下端之间的距离比源电极和漏电极的距离长。

4. 发明专利

JP2015046216A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015046216A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014221068
申请日：2014-10-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： MIYAKE HIROYUKI
IPC分类号： G11C19/28 , G11C19/00 , H03K3/356
CPC分类号： H01L27/1251 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G11C19/00 , G11C19/184 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H03K3/36
摘要：【課題】シフトレジスタにおいて、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、非選択期間中にトランジスタが誤作動することを防止することを目的とする。【解決手段】シフトレジスタに設けられたパルス出力回路において、パルスの出力が行われない非選択期間にゲート電極がオンするように浮遊状態となっているトランジスタのゲート電極に定期的に電位を供給することを特徴としている。また、トランジスタのゲート電極への電位の供給は、他のトランジスタを定期的にオン又はオフすることにより行うことを特徴としている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制移位寄存器中的晶体管的阈值电压的变化，并且防止在非选择期间晶体管发生故障。解决方案：设置在移位寄存器中的脉冲输出电路定期地向处于浮置状态的晶体管的栅电极，使得在不输出脉冲的非选择期间，栅电极导通。此外，通过定期导通或关闭另一个晶体管来提供晶体管的栅电极的电位。

5. 发明专利

JP2015045846A 表示装置审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2015045846A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014150559
申请日：2014-07-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： HIRAKATA YOSHIHARU , MIYAKE HIROYUKI , INOUE KIYOKO , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： G09G5/00 , G06F1/32 , G06F3/048 , G09F9/00 , G09G3/20 , G09G3/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： G06F1/1652 , G06F3/041 , G06F2203/04102
摘要：【課題】消費電力が低減された表示装置を提供する。または、折り畳まれた状態で使用可能な領域に画像を表示する表示装置を提供する。【解決手段】展開および折り畳み可能な表示部と、その折り畳まれた状態を検知する検知部と、折り畳まれた状態に応じて表示部の一部に黒画像を表示する画像を生成する画像処理部を有する構成に想到した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有低功耗的显示装置或显示装置，其中在可以在折叠状态下使用的区域中显示图像。解决方案：构思的显示装置包括可以打开的显示部分并且折叠，感测显示部分的折叠状态的感测部分，以及当显示部分处于折叠状态时，生成在显示部分的一部分中显示黑色图像的图像的图像处理部分。

6. 发明专利

JP2015043575A 半導体装置及び表示装置有权
公开(公告)号：JP2015043575A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2014178652
申请日：2014-09-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： INOUE KIYOKO , TOYOTAKA KOHEI , MIYAKE HIROYUKI , MIYAZAKI AYA , SHISHIDO HIDEAKI , KUSUNOKI KOJI
IPC分类号： H03K19/0175 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/36 , G11C19/00 , G11C19/28 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H03K19/096 , H03K23/54
CPC分类号： G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
摘要：【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第1乃至第10のトランジスタを有し、第1のトランジスタおよび第3のトランジスタのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比W/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタのW/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタのW/Lは、第7のトランジスタのW/Lと等しく、第3のトランジスタのW/Lは、第4のトランジスタのW/Lよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2014199406A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014199406A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：JP2013189245
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , MIYAKE HIROYUKI , SHISHIDO HIDEAKI , KOYAMA JUN
IPC分类号： G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/7869
摘要：【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置を提供する。また、消費電力を低減する可能な半導体装置を提供する。【解決手段】透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、一対の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子と、透光性を有する半導体膜上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第1の透光性を有する導電膜とを有し、容量素子において、一方の電極として機能する第1の透光性を有する導電膜と、誘電体として機能する上記絶縁膜と、該絶縁膜を介して第1の透光性を有する導電膜と対向し、且つ他方の電極として機能する第2の透光性を有する導電膜を有する。また、該第2の透光性を有する導電膜は、トランジスタの透光性を有する半導体膜と同一表面上に形成され、且つドーパントを含む金属酸化物膜である。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括电容元件的半导体器件，其电容量增加同时提高开口率并提供消耗更少功率的半导体器件。解决方案：半导体器件包括晶体管，其包括透光半导体膜电容元件，其中在一对电极之间设置电介质膜，设置在透光半导体膜上的绝缘膜和设置在绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容元件包括：作为一个电极的第一透光性导电膜，作为电介质的绝缘膜，和位于第一透光性导电膜之间的第二透光性导电膜，绝缘膜位于第一透光性导电膜之间，作为另一个电极。第二透光导电膜形成在与晶体管的透光半导体膜相同的表面上，并且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。

8. 发明专利

JP2014143184A Power storage device and method for charging the same 审中-公开
标题翻译：蓄电装置及其充电方法
公开(公告)号：JP2014143184A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2013262612
申请日：2013-12-19
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： MOMO JUNPEI , MIYAKE HIROYUKI , TAKAHASHI KEI
IPC分类号： H01M10/058 , H01M4/38 , H01M10/0566 , H01M10/44
CPC分类号： H02J7/0068 , H01M2/1673 , H01M4/96 , H01M10/02 , H01M10/045 , H01M10/0525 , H01M10/0583 , H01M10/0585 , H01M10/4242 , H01M10/425 , H01M10/44 , H01M10/46 , H01M2004/025 , H01M2010/4271 , H02J7/007 , H02J7/025 , H02J7/35 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/80 , Y02E60/122 , Y02E60/50 , Y02T10/7011
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit a decrease in the capacity of a power storage device by adjusting or rectifying an imbalance in the amount of inserted and extracted carrier ions between a positive electrode and a negative electrode, which is caused by decomposition of an electrolyte at a negative electrode; to restore a decreased capacity of a power storage device; and to decompose impurities in an electrolyte with the use of a third electrode.SOLUTION: A power storage device including a positive electrode, a negative electrode and an electrolyte further comprises a third electrode, while a material exhibiting a non-Faradaic reaction is used for the third electrode. In addition, a method for charging the power storage device is also provided. In the method, the power storage device is charged using the positive electrode and the negative electrode, and then additional charging is performed using the third electrode and the negative electrode.
摘要翻译：要解决的问题：为了通过调节或整流正电极和负极之间插入和提取的载流子离子的量的不平衡来抑制蓄电装置的容量的降低，这是由电解质的分解引起的负极; 恢复蓄电装置的容量降低; 并利用第三电极分解电解质中的杂质。解决方案：包括正极，负极和电解质的蓄电装置还包括第三电极，而使用非法拉第反应的材料用于第三电极。此外，还提供了一种用于对蓄电装置充电的方法。在该方法中，使用正极和负极对蓄电装置进行充电，然后使用第三电极和负极进行附加充电。

9. 发明专利

JP2014112213A Method for driving display device 审中-公开
标题翻译：驱动显示设备的方法
公开(公告)号：JP2014112213A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2013221836
申请日：2013-10-25
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： KOYAMA JUN , IWAKI YUJI , MIYAKE HIROYUKI , TANABE TORU
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20
CPC分类号： G09G5/00 , G09G3/3648 , G09G5/36 , G09G2320/0247 , G09G2320/0613 , G09G2320/103 , G09G2340/0428 , G09G2340/0435 , G09G2340/14 , G09G2360/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel method for driving a display device in which generation of flickers caused by rewriting of pixels is reduced and which has a high aperture ratio.SOLUTION: The driving method includes a first step of determining whether image data to be displayed is two-valued still image data or multivalued still image data, and a second step of performing display by rewriting (refreshing) the two-valued still image data with a lower frequency than that of rewriting (refreshing) the multivalued still image data.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于驱动显示装置的新颖方法，其中由像素的重写引起的闪烁的产生减少并且具有高的开口率。解决方案：驱动方法包括：第一步骤，确定图像数据被显示为二值静止图像数据或多值静止图像数据，以及第二步骤，通过以比重写（刷新）多值静止图像数据的频率更低的频率重写（刷新）二值静止图像数据来执行显示。

10. 发明专利

JP2014075587A Method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014075587A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2013237770
申请日：2013-11-18
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKATA JUNICHIRO , MIYAKE HIROYUKI , KUWABARA HIDEAKI , KAWAMATA IKUKO
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/26
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13454 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1233
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance aperture ratio of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises a driving circuit portion and a display portion (called as a pixel portion), on the same substrate, the driving circuit portion comprises: a channel etched type thin film transistor for a driving circuit comprising a source electrode and a drain electrode constituted of metal and, comprising a channel layer constituted of an oxide semiconductor; and wiring for the driving circuit constituted of metal; and the display portion comprises a channel protective type thin film transistor for a pixel comprising a source electrode layer and a drain electrode layer constituted of an oxide conductor, and comprising a semiconductor layer constituted of the oxide semiconductor, and wiring for the display portion constituted of the oxide conductor.
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的开口率。解决方案：半导体器件包括驱动电路部分和显示部分（称为像素部分），在同一基板上，驱动电路部分包括：通道蚀刻用于驱动电路的薄膜晶体管，包括由金属构成的源电极和漏极，并且包括由氧化物半导体构成的沟道层; 以及由金属构成的驱动电路的接线; 并且显示部分包括用于像素的沟道保护型薄膜晶体管，其包括由氧化物导体构成的源极电极层和漏极电极层，并且包括由氧化物半导体构成的半导体层和由用于由氧化物半导体构成的显示部分的布线氧化物导体。

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