专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2015168600A III族窒化物単結晶製造装置及び製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造III类氮化物单晶的装置和方法
公开(公告)号：JP2015168600A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014044755
申请日：2014-03-07
申请人：株式会社フジクラ
发明人：高嶋秀行
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06
摘要：【課題】所望の光吸収特性を有するIII族窒化物単結晶を得ることができるIII族窒化物単結晶製造装置を提供する。【解決手段】単結晶製造装置1は、昇華再結晶法を用いて種結晶4の所定領域4aにAlN単結晶2を成長させる装置であり、原料3を収容する収容空間101を有する容器本体11と、所定領域4aが原料3に対向するように種結晶4を保持する蓋体12と、を有する第1の坩堝10と、容器本体11の内側に設けられ、酸素又は炭素の少なくとも一方の濃度を低減させる不純物ゲッター30と、を備えており、不純物ゲッター30は、所定領域4aに対向する第1の開口311と、原料3に対向する第2の開口312と、を持つ筒型形状を有している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够获得具有期望的光吸收特性的III族氮化物单晶的III族氮化物单晶的制造装置。解决方案：用于制造单晶的装置1，其能够生长AlN单使用升华重结晶方法的晶种4的预定区域4a中的晶体2包括：第一坩埚10，其包括容器主体11，容器主体11具有用于存储原料的存储空间101和用于保持晶种4的盖体12 面向原料3的预定区域4a; 以及设置在容器主体11的内部并用于还原至少一个氧和碳的浓度的杂质吸气剂30。杂质吸气剂30是圆柱形的，并且具有面向预定区域4a的第一开口311和面向原料3的第二开口312。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式