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1. 发明专利

JP2021170596A 窒化ガリウム半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021170596A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073159
申请日：2020-04-15
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社デンソー , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：小島淳 , 笹岡千秋 , 恩田正一 , 長屋正武 , 原一都 , 河口大祐
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/683 , B23K26/53 , C30B29/38 , C30B33/04 , C30B25/20 , H01L21/304
摘要：【課題】生産性の向上を図ることができるGaN半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】加工ウェハ10をチップ構成ウェハ30とリサイクルウェハ40とに分割し、リサイクルウェハ40を再びGaNウェハ1として利用する。具体的には、レーザ照射によって、窒素がガストして蒸発すると共にガリウムを析出させたウェハ用変質層15を形成し、このウェハ用変質層15にて、チップ構成ウェハ30とリサイクルウェハ40とに分割する。これにより、半導体チップを製造する度にGaNウェハ1を新たに用意する必要がなく、GaNウェハ1を有効利用できることから、生産性の向上を図ることができるGaN半導体装置の製造方法とすることが可能となる。【選択図】図1E

2. 发明专利

JP2021170594A 半導体チップおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021170594A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073157
申请日：2020-04-15
申请人：株式会社デンソー , 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人東海国立大学機構
发明人：長屋正武 , 原一都 , 河口大祐 , 油井俊樹 , 笹岡千秋 , 小島淳 , 恩田正一
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/57 , B23K26/53 , H01L21/301
摘要：【課題】生産性の向上を図ることができるようにする。【解決手段】GaNウェハ1を用意することと、GaNウェハ1の一面1a上にエピタキシャル膜3を形成して複数のチップ形成領域RAを有する加工ウェハ10を構成することと、チップ形成領域RAを割するための分割構造14を形成することと、加工ウェハ10の他面10b側から当該加工ウェハ10の内部にレーザ光Lを照射することにより、加工ウェハ10の面方向に沿って、窒素がガリウムから分離されつつ分割構造16から放出されたウェハ用変質層15を形成することと、ウェハ用変質層15を境界として加工ウェハ10を分割することにより、加工ウェハ10を、チップ構成ウェハ30と、リサイクルウェハ40とに分割することと、チップ構成ウェハ30から半導体チップ100を取り出すことと、リサイクルウェハ40を再びGaNウェハ1として利用することと、を行う。【選択図】図1G

3. 发明专利

JP2021170595A 窒化ガリウム半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021170595A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073158
申请日：2020-04-15
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社デンソー , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：笹岡千秋 , 小島淳 , 恩田正一 , 長屋正武 , 原一都 , 河口大祐
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301 , C30B29/38 , C30B33/00 , B23K26/57 , B23K26/53 , H01L21/02
摘要：【課題】縦型GaNデバイスにおける裏面電極の高い密着性を得ることができるGaN半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】GaNで構成され、一面110aと該一面110aと反対側の他面110bとを有し、一面110a側において、半導体素子のうちの一面110a側の構成部分となる一面側素子構成部分11が形成されたチップ構成基板110と、他面110bに接触させられた裏面電極を構成する金属膜61と、を有した構成とする。そして、他面110bが、断面台形状を成す複数の凸部および該凸部の間に位置する凹部による凹凸を有し、複数の凸部それぞれが構成する断面台形状の上底面が、一面110aに対向するようにする。【選択図】図4B

4. 发明专利

JP5910442B2 炭化珪素単結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP5910442B2
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：JP2012217119
申请日：2012-09-28
申请人：株式会社デンソー
发明人：小島淳 , 牧野英美
IPC分类号： C30B25/10 , H01L21/205 , C30B29/36

5. 发明专利

JP6268761B2 炭化珪素単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6268761B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2013123800
申请日：2013-06-12
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所
发明人：牧野英美 , 小島淳 , 徳田雄一郎 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 星乃紀博
IPC分类号： C30B25/16 , C30B29/36
CPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36

6. 发明专利

JP2015093810A 炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置有权
标题翻译：碳化硅单晶的生产方法和单晶碳酸钙生产设备
公开(公告)号：JP2015093810A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013234385
申请日：2013-11-12
申请人：一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：鎌田功穂 , 土田秀一 , 星乃紀博 , 小島淳
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B33/06
摘要：【課題】高品位の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】炭化珪素からなる第1の種結晶50aにSiC単結晶を成長させ、SiC単結晶を切断して基端部51c、先端部51a及び中間部51bを形成し、中間部51bを取り出すとともに、基端部51c及び先端部51aを接合して第2の種結晶50bとし、その成長面52からSiC単結晶を成長させる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅单晶的制造方法和能够获得高质量碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造装置。解决方案：在第一种子上生长SiC单晶包括碳化硅的晶体50a，并且切割SiC单晶以形成基端部51c，尖端部51a和中间部51b。然后取出中间部51b，将基端部51c和前端部51a接合在一起形成第二晶种50b，从其生长面52生长SiC单晶。

7. 发明专利

JP2016216303A 炭化珪素単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶的制造装置
公开(公告)号：JP2016216303A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015102889
申请日：2015-05-20
申请人：株式会社デンソー
发明人：徳田雄一郎 , 小島淳
IPC分类号： C30B25/14 , H01L21/205 , C30B29/36
摘要：【課題】より長時間の連続成長が可能となるSiC単結晶製造装置を提供する。【解決手段】台座9の周囲などに少なくともSiとCの一方を含む補助ガス15を噴出させるガス噴出口8cを形成し、SiC単結晶6の成長時に、ガス噴出口8cよりSiC単結晶6の成長面よりも低温となる部位に補助ガス15を噴出させる。これにより、SiC単結晶6の成長面よりも低温となる領域でのSiCの過飽和度を下げることが可能となり、この領域に多結晶が付着することが抑制され、SiC単結晶6をより長時間連続成長させることが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：为了提供一个长的连续的生长比可以成为SiC单晶制造装置。的形式的气体喷孔8c中用于喷射含Si和C中的至少一个，如基座9围绕辅助气体15，在SiC单晶6的生长时，SiC单晶6的气体喷射口8c中比生长表面喷射辅助气体15到现场作为低温。因此，能够减小在SiC的过饱和度在该区域是一个温度比SiC单晶6的生长表面时，多晶该区域被附着防止，更长的SiC单晶6 因此能够持续增长。点域1

8. 发明专利

JP5839315B2 炭化珪素単結晶およびその製造方法有权
标题翻译：碳化硅单晶及其制造方法
公开(公告)号：JP5839315B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2010172287
申请日：2010-07-30
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：廣瀬富佐雄 , 小島淳 , 児島一聡 , 加藤智久 , 安達歩 , 西川恒一
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： H01B1/04 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B31/00

9. 发明专利

JP6413925B2 炭化珪素単結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP6413925B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2015102889
申请日：2015-05-20
申请人：株式会社デンソー
发明人：徳田雄一郎 , 小島淳
IPC分类号： C30B25/14 , H01L21/205 , C30B29/36

10. 发明专利

JP6235875B2 炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置有权
公开(公告)号：JP6235875B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013234385
申请日：2013-11-12
申请人：一般財団法人電力中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：鎌田功穂 , 土田秀一 , 星乃紀博 , 小島淳
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B33/06

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