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1. 发明专利

JP2016171246A 熱電子発電素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译： THERMIONIC发电元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016171246A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051168
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 学校法人東京理科大学
发明人：片岡光浩 , 木村裕治 , 祖父江進 , 森岡直也 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 加藤宙光 , 渡辺一之
IPC分类号： H02N11/00 , H01J45/00 , H01L37/00
CPC分类号： H01J45/00 , H01L37/00 , H02N3/00
摘要：【課題】発電効率が高い熱電子発電素子を提供する。【解決手段】熱電子発電素子1は、熱電子を発生させるエミッタ2と、熱電子を収集するコレクタ3とを有する。エミッタ2は、電気伝導性を有するエミッタ基板21と、エミッタ基板21に積層された第1層22と、第1層22に積層された第2層23と、第2層23の最表面に形成された終端層24とを有している。第1層22はPをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されている。第2層23はNをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されており、40nm以下の膜厚を有する。終端層24はアルカリ金属元素及びMgからなる群より選ばれる1種または2種以上の特定金属元素Mを含んでいる。コレクタ3は、電気伝導性を有するコレクタ基板31を少なくとも有し、エミッタ2に対面して間隙dを介して配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高发电效率的热电子发电元件。解决方案：热电子发电元件1包括：用于产生热量的发射极2; 以及用于收集热量的收集器3。发射极2包括：具有导电性的发射极基板21; 堆叠在发射极基板21上的第一层22; 堆叠在第一层22上的第二层23; 以及形成在第二层23的最外表面上的终止层24.第一层22由包括P作为供体的n型金刚石半导体制成。第二层23由包括N作为供体并且具有等于或小于40nm的膜厚度的n型金刚石半导体制成。端接层24包括选自由碱金属元素和Mg构成的组中的一种或两种以上的特定金属元素M. 收集器3至少包括具有导电性的集电器基板31，并且经过间隔d设置成与发射体2相对。图1

2. 发明专利

JP2018137096A 電子放出材料および電子放出素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018137096A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017030085
申请日：2017-02-21
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人静岡大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 森岡直也 , 荻野明久 , 加藤宙光 , 山崎聡 , 牧野俊晴
IPC分类号： H01J1/34 , H01L37/00 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01J9/04 , H01J9/12 , H01J1/14
摘要：【課題】仕事関数を低減することができる電子放出材料および電子放出素子を提供する。【解決手段】表面が水素で終端されたダイヤモンド膜11を備え、ダイヤモンド膜11は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウムのうち少なくとも1つが存在する雰囲気とされた空間に配置されている。これによれば、ダイヤモンド膜11の表面が水素で終端されており、さらに、ダイヤモンド膜11の表面に常にセシウム等が存在するようになる。したがって、ダイヤモンド膜11の表面を水素で終端することによる仕事関数の低減と、ダイヤモンド膜11の表面にセシウム等が存在することによる仕事関数の低減の効果が得られる。これにより、従来よりも仕事関数を低減することができる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6165000B2 熱電子発電素子有权
公开(公告)号：JP6165000B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013190103
申请日：2013-09-13
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：片岡光浩 , 木村裕治 , 祖父江進 , 竹内大輔 , 加藤宙光 , 山崎聡
IPC分类号： H02N3/00 , H01J45/00 , H01L37/00
CPC分类号： H01J45/00

4. 发明专利

JP6265075B2 熱移動装置、温度制御装置、内燃機関、内燃機関排気システムおよび溶解炉有权
公开(公告)号：JP6265075B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014148157
申请日：2014-07-18
申请人：株式会社デンソー
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 祖父江進
IPC分类号： H02N11/00 , F01N5/02 , H01L37/00
CPC分类号： F01N5/025 , F01N13/146 , F01N2260/08 , H01J45/00 , H01L35/30 , H01L37/00 , H02N3/00 , Y02T10/16

5. 发明专利

JP6024598B2 熱電子発電素子有权
公开(公告)号：JP6024598B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2013115586
申请日：2013-05-31
申请人：株式会社デンソー
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 祖父江進
IPC分类号： H02N3/00 , H01J45/00 , H01L37/00

6. 发明专利

JP2018014161A 電子放出材料および電子放出素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018014161A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2016140962
申请日：2016-07-18
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人静岡大学
发明人：森岡直也 , 木村裕治 , 片岡光浩 , 荻野明久
IPC分类号： H01J1/34 , H01J1/14
CPC分类号： H01J1/14 , H01J1/34 , H01J45/00
摘要：【課題】高温駆動時においても仕事関数を低く維持できる電子放出材料および当該材料を使用した電子放出素子を実現する。【解決手段】ダイヤモンド膜(11)と、ダイヤモンド膜の表面に結合する酸素(12)と、酸素を介してダイヤモンド膜に結合する終端金属(13)と、を含む電子放出材料であって、ダイヤモンド膜は、不純物をドープしたN型ダイヤモンド半導体であり、終端金属は、Na、K、Rb、Cs、Mgのうち少なくとも1つを含む電子放出材料。互いに対向するように配置されたエミッタ電極(3)とコレクタ電極(4)からなる一対の電極を備え、エミッタ電極は、電子放出を行う電極であって、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子放出材料で構成される電子放出素子。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016025208A 熱移動装置、温度制御装置、内燃機関、内燃機関排気システムおよび溶解炉有权
标题翻译：热转移装置，温度控制器，内燃机，内燃机排气系统和熔炼炉
公开(公告)号：JP2016025208A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014148157
申请日：2014-07-18
申请人：株式会社デンソー
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 祖父江進
IPC分类号： H02N11/00 , F01N5/02 , H01L37/00
CPC分类号： F01N5/025 , H01L35/30
摘要：【課題】熱電子発電素子を用いて熱源の温度制御を可能とする【解決手段】熱移動装置2は、熱電子発電素子11と配線12と負荷抵抗13とスイッチ14とを備える。熱電子発電素子11は、電極間距離d1を隔てて互いに対向して配置されるエミッタ電極21とコレクタ電極22とを備え、エミッタ電極21から放出される熱電子をコレクタ電極22で捕獲することにより熱エネルギーを電気エネルギーに変換する。配線12は、エミッタ電極21とコレクタ電極22とを電気的に接続する。負荷抵抗13は、配線12を介してエミッタ電極21とコレクタ電極22との間で電流が流れる通電経路上に接続される。スイッチ14は、通電経路を連通するオン状態と、通電経路を遮断するオフ状態との何れかの状態に切り替わる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过使用热电发电元件来允许对热源的温度控制。热转印装置2包括热电发电元件11，布线12，负载电阻13和开关14。热电发电元件11包括发射电极21和集电极22，其间隔开距离d1相对设置，并且通过从发射极21发射的热量通过集电体将热能转换成电能电极22.电线12电连接发射电极21和集电极22。负载电阻13连接在通电路径上，电流路径通过布线12在发射电极21和集电极22之间流动。开关14切换到导通状态中的任一个互连通电路径，并且断开状态中断通电路径。选择图：图1

8. 发明专利

JP2020183332A ダイヤモンド層の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020183332A
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2019088331
申请日：2019-05-08
申请人：株式会社デンソー
发明人：西谷大祐 , 小山和博 , 土屋義規 , 木村裕治 , 星野雄斗 , 森岡直也 , 竹内有一 , 磯部良彦
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
摘要：【課題】NVセンタを高密度に形成できるダイヤモンド層の製造方法を提供する。【解決手段】主面10aを有すると共に主面10aが所定面に対して所定のオフ角を有し、主面10aに初期キンク11が形成されている基板10を用意することと、主面10a上に、NVセンタを有するダイヤモンド層20を形成することと、を行う。そして、ダイヤモンド層20を形成することでは、主面10aに新キンク12を形成することと、窒素およびメタンを含む反応ガスを用いて化学気相成長法を行うことにより、NVセンタを有するダイヤモンド層20を所定面の面方向に沿って二次元成長させることと、を行う。【選択図】図2B

9. 发明专利

JP2017143198A 熱電子発電素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017143198A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016024239
申请日：2016-02-11
申请人：株式会社デンソー
发明人：木村裕治 , 片岡光浩
IPC分类号： H02N3/00 , H02N11/00 , H01L37/00
CPC分类号： H01L37/00 , H02N11/00 , H02N3/00
摘要：【課題】リーク電流を抑制できる熱電子発電素子を提供する。【解決手段】互いに対向するように配置された一対の電極を備え、一対の電極の間を移動する熱電子を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電子発電素子であって、互いに対向するように配置された2つの基板1、2と、互いに離された状態で2つの基板1、2の間に配置され、2つの基板1、2にそれぞれ積層された2つの電極3、4と、2つの電極3、4から離された状態で2つの基板1、2の間に配置され、2つの基板1、2と接続され、2つの電極3、4の間の距離を規定するスペーサ5と、を備え、2つの基板1、2のうち少なくともいずれか一方は、絶縁体で構成されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017143011A 電子放出素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017143011A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016024237
申请日：2016-02-11
申请人：株式会社デンソー , 株式会社シィアイテクノ
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 高橋久也
IPC分类号： H01J1/30 , H01L37/00 , H01J1/304
摘要：【課題】リーク電流を抑制できる電子放出素子を提供する。【解決手段】互いに対向するように配置された一対の電極を備え、一対の電極の間を電子が移動する電子放出素子であって、互いに対向するように配置された2つの基板1、2と、互いに離された状態で2つの基板1、2の間に配置され、2つの基板1、2にそれぞれ積層された2つの電極3、4と、2つの電極3、4から離された状態で2つの基板1、2の間に配置され、2つの基板1、2と接続され、2つの電極3、4の間の距離を規定するスペーサ5と、を備え、2つの基板1、2のうち少なくともいずれか一方は、絶縁体で構成されている。【選択図】図1

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