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    • 8. 发明专利
    • 熱電子発電素子及びその製造方法
    • THERMIONIC发电元件及其制造方法
    • JP2016171246A
    • 2016-09-23
    • JP2015051168
    • 2015-03-13
    • 株式会社デンソー国立研究開発法人産業技術総合研究所学校法人東京理科大学
    • 片岡 光浩木村 裕治祖父江 進森岡 直也山崎 聡竹内 大輔加藤 宙光渡辺 一之
    • H02N11/00H01J45/00H01L37/00
    • H01J45/00H01L37/00H02N3/00
    • 【課題】発電効率が高い熱電子発電素子を提供する。 【解決手段】熱電子発電素子1は、熱電子を発生させるエミッタ2と、熱電子を収集するコレクタ3とを有する。エミッタ2は、電気伝導性を有するエミッタ基板21と、エミッタ基板21に積層された第1層22と、第1層22に積層された第2層23と、第2層23の最表面に形成された終端層24とを有している。第1層22はPをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されている。第2層23はNをドナーとして含有するn型ダイヤモンド半導体より構成されており、40nm以下の膜厚を有する。終端層24はアルカリ金属元素及びMgからなる群より選ばれる1種または2種以上の特定金属元素Mを含んでいる。コレクタ3は、電気伝導性を有するコレクタ基板31を少なくとも有し、エミッタ2に対面して間隙dを介して配置されている。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有高发电效率的热电子发电元件。解决方案:热电子发电元件1包括:用于产生热量的发射极2; 以及用于收集热量的收集器3。 发射极2包括:具有导电性的发射极基板21; 堆叠在发射极基板21上的第一层22; 堆叠在第一层22上的第二层23; 以及形成在第二层23的最外表面上的终止层24.第一层22由包括P作为供体的n型金刚石半导体制成。 第二层23由包括N作为供体并且具有等于或小于40nm的膜厚度的n型金刚石半导体制成。 端接层24包括选自由碱金属元素和Mg构成的组中的一种或两种以上的特定金属元素M. 收集器3至少包括具有导电性的集电器基板31,并且经过间隔d设置成与发射体2相对。图1