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1. 发明专利

JP2016206052A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016206052A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015089294
申请日：2015-04-24
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也
IPC分类号： H01L31/12 , G01N21/17
CPC分类号： G01J1/4228 , G01J1/0204 , B60S1/0837 , G01J2001/446
摘要：【課題】受光素子を高密度でマトリクス状に配置して検出精度の向上を図ることができるようにした半導体装置を提供する。【解決手段】受光部11は、フォトダイオード13とFET17からなる画素Cがマトリクス状に配置される。垂直走査回路14は、行方向の画素CのFET17をオンさせるように選択信号線SEL(y)が共通に接続される。列方向の画素Cのフォトダイオード13の検出信号は、FET17がオンしたときに出力線V(x)に出力される。受光回路16は、コンデンサを介して信号を取り込み、増幅する。画素C毎に受光回路16を設けないコンパクトな構成として、画素Cを密に配置することができる。また、受光回路16で、コンデンサによるAC結合で信号を入力するので、外乱光の影響を低減できる。【選択図】図1
摘要翻译：一种半导体装置，其使得能够通过设置在高密度矩阵的光接收元件，以提高检测精度。光接收单元11，像素C被布置在由光电二极管13和FET 17的矩阵。垂直扫描电路14中，选择信号线SEL，以在像素C（Y）被共同连接的行方向打开FET17。在像素C的列方向光电二极管13的检测信号被输出到输出线V（x）的当FET17导通。接收电路16在信号取通过电容器被放大。为紧凑结构，而没有光接收电路16对于每个像素C，它可以密集地排列的像素C. 此外，光接收电路16中，由于在由AC耦合电容器输入信号，有可能减少干扰光的影响。点域1

2. 发明专利

JP2015171011A 信号処理回路审中-公开
标题翻译：信号处理电路
公开(公告)号：JP2015171011A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014045035
申请日：2014-03-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：林宏明 , 太田則一 , 細川秀記 , 有吉博海 , 本島六都也
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/30 , H03F1/26
摘要：【課題】入力信号を複数の増幅回路を通して増幅する信号処理回路において、高域ノイズの減衰量を向上させる技術を提供すること。【解決手段】信号処理回路1は、複数のオペアンプOP1,OP2,OP3、複数のローパスフィルタ11,12,13及び複数の電源ラインL1,L2,L3を備える。複数のオペアンプOP1,OP2,OP3は、直列接続されており、入力信号を増幅するように構成されている。複数のローパスフィルタ11,12,13の各々は、直列抵抗成分を有している。複数の電源ラインL1,L2,L3の各々は、複数のオペアンプOP1,OP2,OP3のうちの1つと複数のローパスフィルタ11,12,13のうちの1つとを接続するように構成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于改善在通过多个放大器电路放大输入信号的信号处理电路中的高通噪声的衰减安装的技术。解决方案：信号处理电路1包括：多个运算放大器 OP1，OP2和OP3; 多个低通滤波器11,12,13; 和多个电源线L1，L2和L3。多个运算放大器OP1，OP2和OP3串联连接并配置成放大输入信号。多个低通滤波器11,12,13中的每一个具有串联电阻分量。多个电源线L1，L2和L3中的每一个被配置为将多个运算放大器OP1，OP2和OP3中的一个与多个低通滤波器11,12和13中的一个连接。

3. 发明专利

JP5987819B2 電源装置有权
公开(公告)号：JP5987819B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2013267041
申请日：2013-12-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也 , 森永剛
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： H02M1/32 , G01R19/00 , G05F1/575 , G05F1/618 , H02M3/1563

4. 发明专利

JP2015125450A 電源装置有权
标题翻译：电源设备
公开(公告)号：JP2015125450A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267041
申请日：2013-12-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也 , 森永剛
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： H02M1/32 , G01R19/00 , G05F1/575 , G05F1/618 , H02M3/1563
摘要：【課題】負荷の正常な動作を妨げることなく、出力端子に接続された容量または負荷電流の異常を判定する。【解決手段】判定回路14は、出力電圧Voutが目標電圧V1に整定している時に切替信号φDをΔTの時間幅だけHからLに変更し、スイッチ12aをオフ、12bをオンする。これにより出力電圧Voutはしきい値電圧Vthよりも低い中間電圧V2に向かって低下する。規定容量をCL、規定負荷電流をIL、V1−VthをΔV、1より小さい正の係数をKとすると、時間幅ΔTはK・(CL・ΔV/IL)である。異常の場合、出力電圧Voutは時間幅ΔTの間にしきい値電圧Vthを超えて低下し、監視回路13は電圧低下信号PORをHにする。正常の場合、監視回路13は電圧低下信号PORをLに維持する。判定回路14は、時間幅ΔT内における電圧低下信号PORに基づいて異常の有無を判定する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：确定连接到输出端子的电容或负载电流的异常，而不妨碍负载的正常工作。解决方案：确定电路14将开关信号＆amp; D从高变为低，时间宽度当输出电压Vout被设定为目标电压V1并使开关12a断开并且开关12b接通时，Dgr; T。输出电压Vout开始向低于阈值电压Vth的中间电压V2下降。假设CL表示规定的电容，IL表示规定的负载电流，＆Dgr; V表示V1-Vth，K表示小于1的正系数，时间宽度＆Dgr; T = K×（CL×＆Dgr; V / IL ）。当异常时，输出电压Vout在时间宽度＆Dgr; T期间下降到阈值电压Vth以下，监视电路13将电压降信号POR驱动为高电平。正常时，监视电路13将电压降信号POR保持为低电平。确定电路14基于时间宽度＆Dgr; T内的电压降信号POR来确定异常的存在。

5. 发明专利

JP2020088138A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020088138A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018219795
申请日：2018-11-23
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/41
摘要：【課題】コンタクトオープンの不良を低減させることができる構成を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体層11の主表面19のうちソース領域12に対応する領域に接続された第1電極部17と、半導体層11の主表面19のうちドレイン領域13に対応する領域に接続された第2電極部18と、を含む。第1電極部17は、ソース領域12に対応する領域に接続された複数の第1コンタクト23を有する。第2電極部18は、ドレイン領域13に対応する領域に接続された複数の第2コンタクト24を有する。半導体層11の主表面19の面方向のうちの一方向をゲート電極15のゲート幅方向と定義する。複数の第1コンタクト23は、ゲート電極15のゲート幅方向に沿って一列に配置されている。複数の第2コンタクト24は、ゲート電極15のゲート幅方向に沿って一列に配置されている。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6702087B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6702087B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2016164650
申请日：2016-08-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/3185 , G11C29/46

7. 发明专利

JP6610508B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6610508B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2016219029
申请日：2016-11-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：山田明 , 櫻井晋也 , 中野敬志 , 近藤陽介 , 本島六都也
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8222 , H01L21/8234

8. 发明专利

JP2018078198A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018078198A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016219029
申请日：2016-11-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：山田明 , 櫻井晋也 , 中野敬志 , 近藤陽介 , 本島六都也
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8222 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/78 , H01L29/7818
摘要：【課題】寄生PNPトランジスタをより動作させ易くしつつ、GGMOSをより均一に動作させることができる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】GGMOSの1セルに対してN型ボディ領域5が複数個配置されるようにしつつ、N型ボディ領域5のN型不純物濃度を低く設定することで、カソード電極11とショットキー接触させられるようにする。具体的には、GGMOSを構成するセルを囲むようにN型ボディ領域5を複数個配置する。これにより、ボディコンタクト抵抗を高くでき、ベース抵抗を高くできるため、より早く寄生PNPトランジスタをオンさせることが可能となる。したがって、被保護素子に対してサージ電流が流れることを的確に抑制することが可能となる。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2018032458A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018032458A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016164650
申请日：2016-08-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：本島六都也
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28 , G01R31/3185 , H01L27/115 , G11C29/14
CPC分类号： G11C29/38 , G01R31/28 , G01R31/31701 , G01R31/3185 , G06F11/22 , G11C7/1096 , G11C7/24 , G11C29/14
摘要：【課題】テストモード切り替えとメモリ書込み電圧印加を同時に行うことができ、しかもメモリ書込み電圧が負電圧の場合にも対応した構成の半導体装置を提供する。【解決手段】入力端子Aは、過電圧保護回路2を介して正パルス検出回路3および負パルス検出回路4に接続される。入力端子Aには、テスト制御信号およびメモリ書込み/消去の電圧が入力信号Vinとして入力される。正パルス検出回路3は、バッファ回路3aにより閾値電圧Vth+を超える電圧を検出してハイレベルの信号を出力する。負パルス検出回路4は、インバータ回路4a、MOSFET4bなどからなり、負の電圧によりMOSFET4bがオンし、インバータ回路4aを介して反転した信号を出力する。OR回路5を介して、正負のいずれの入力に対しても出力端子Bに出力することができる。【選択図】図1

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