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1. 发明专利

JP2020068300A 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020068300A
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2018200313
申请日：2018-10-24
申请人：株式会社デンソー
发明人：藤原剛 , 中野敬志 , 柳振一郎
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/301 , H01L21/66 , H01L21/3205
摘要：【課題】ダイシングラインに沿って分割した際、カット領域の外側に位置する下層配線層および上層配線層が剥離することを抑制する。【解決手段】下層配線層43、44は、カット領域20aの内側に位置する第1下層配線層43aと、カット領域20aの外側に位置する第2下層配線層43b、44と、第1下層配線層43aと第2下層配線層43aとを繋ぎ、カット領域20aにおけるチップ形成領域10側の端部と交差する境界部分43dを有する第3下層配線層43cとを有する構成とする。そして、上層配線層42は、貫通ビア52aを通じて第2下層配線層43bと電気的、機械的に接続され、第3下層配線層43cは、境界部分43dにおける長さL1が、第1下層配線層43aにおける第3下層配線層43cとの境界部分における長さL2より短くなるようにする。【選択図】図4

2. 发明专利

JP2021197483A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021197483A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103997
申请日：2020-06-16
申请人：株式会社デンソー
发明人：池浦奨悟 , 中野敬志
IPC分类号： H01L29/732 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/331
摘要：【課題】電流増幅率の高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は、主面10aを有する半導体基板10と、半導体基板において、主面側の表層に形成されたp導電型のベース領域30と、ベース領域の表層に形成されたn導電型のエミッタ領域31と、主面側の表層において、エミッタ領域とは離れて形成されたn導電型のコレクタ領域32と、主面に形成されたSTI分離部40を備えている。STI分離部の第2分離部402は、ベース領域とエミッタ領域との接合界面が接する熱酸化膜402bを有している。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2017123444A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017123444A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016002918
申请日：2016-01-08
申请人：株式会社デンソー
发明人：中野敬志 , 曽根弘樹 , 中山喜明
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/04
摘要：【課題】より放熱効果を高めることができる放熱構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】通電経路の一部を構成する抵抗素子6に対して直接接続されるように、ヒートシンクを構成する放熱層9c、11c、13bを形成する。これにより、抵抗素子6で発する熱を効率的に放熱層9c、11c、13bに伝えることが可能となり、放熱層9c、11c、13bより高い放熱効果で熱を放出することが可能となる。したがって、より放熱効果を高めることができる放熱構造を有する半導体装置とすることが可能となる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5725230B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5725230B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2014080239
申请日：2014-04-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：曽根弘樹 , 山田明 , 酒井健 , 中野敬志 , 堅田満孝
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/762 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L27/08

5. 发明专利

JP6558213B2 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6558213B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2015210988
申请日：2015-10-27
申请人：株式会社デンソー
发明人：江口浩次 , 中野敬志
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073 , H01L21/301

6. 发明专利

JP6519417B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6519417B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2015176741
申请日：2015-09-08
申请人：株式会社デンソー
发明人：瀧澤伸 , 中野敬志
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822

7. 发明专利

JP2016206144A 導体寿命検査装置审中-公开
标题翻译：导体生命检查设备
公开(公告)号：JP2016206144A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015091637
申请日：2015-04-28
申请人：株式会社デンソー
发明人：芦田洋一 , 中山喜明 , 中野敬志 , 藤原剛
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/26 , G01N27/00
摘要：【課題】加熱を行わなくても、金属配線などの導体寿命をコントロールして的確に導体寿命の検査を行うことができるようにする。【解決手段】試験配線10における評価用部11に対して電界を印加し、その状態で検査用電流を流す。これにより、評価用部11のうち第1、第2電界印加配線20、30と対向する部分に電子が引き寄せられることで集中し、この電子が集中させられた部分が電流経路となるため、実効的な配線幅が小さくなる。したがって、断線寿命を短時間させて断線寿命を測定することが可能となる。よって、加熱を行わなくても配線寿命をコントロールでき、的確に配線寿命の検査を行うことが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：的准确甲即使不加热，以允许检查通过控制导体寿命，如金属线导体的寿命。电场是在检测线10施加到评估单元11，流测试电流在该状态下。因此，第一分析单元11，自聚焦通过电子被吸引到面向第二电场施加用线20和30的部分，其中，所述允许电子以浓缩部分变成电流路径，有效具体布线宽度减小。因此，可以测量通过简单地切断生命的断裂寿命。因此，即使不加热可以控制因而丝的寿命，因此能够准确地进行导线寿命的检查。点域1

8. 发明专利

JP2016105463A 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的半导体晶体管和制造方法
公开(公告)号：JP2016105463A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015210988
申请日：2015-10-27
申请人：株式会社デンソー
发明人：江口浩次 , 中野敬志
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073 , H01L21/301
CPC分类号： H01L22/32 , H01L21/02008 , H01L21/02035 , H01L21/78 , H01L22/34
摘要：【課題】製造工程を複雑化することなく、ダイシングラインにチッピングやクラックが発生することを抑制する。【解決手段】半導体ウェハ1を用意する工程では、ダイシングライン20の幅がダイシングブレード30でダイシングされるカット領域20aよりも広くされ、複数のパッド22の一部がダイシングライン20を挟んで隣接するチップ形成領域10の一方のチップ形成領域10側に形成されていると共に残部が他方のチップ形成領域10側に形成されたものを用意する。そして、ダイシングする工程では、一部のパッド22をダイシングする際にはダイシングブレード30のうちの他方のチップ形成領域10側の部分が当該パッド22と当接せず、残部のパッド22をダイシングする際にはダイシングブレード30のうちの一方のチップ形成領域10側の部分が当該パッド22と当接しないように、半導体ウェハ1をダイシングブレード30でダイシングする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：防止在切割线上产生碎屑或裂纹，而不会使制造工艺复杂化。解决方案：制备半导体晶片1的方法准备晶片，其包括：具有比其宽的宽度的切割线20 使用切割刀片30切割的切割区域20a; 以及多个焊盘22，其中一些焊盘22形成在切割线20上彼此相邻的芯片形成区域10的一个芯片形成区域10的一侧上，并且其余部分形成在另一个芯片形成侧切割工艺使用切割刀片30切割半导体晶片1，使得在切割一些焊盘22时，切割刀片30的另一个芯片形成区域10侧的部分不与一些焊盘22接触，并且在切割剩余的焊盘22时，切割刀片30在一个芯片形成区域10侧的部分不与剩余的焊盘22接触。选择的图示：图3

9. 发明专利

JP6610508B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6610508B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2016219029
申请日：2016-11-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：山田明 , 櫻井晋也 , 中野敬志 , 近藤陽介 , 本島六都也
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8222 , H01L21/8234

10. 发明专利

JP2018078198A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018078198A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016219029
申请日：2016-11-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：山田明 , 櫻井晋也 , 中野敬志 , 近藤陽介 , 本島六都也
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8222 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/78 , H01L29/7818
摘要：【課題】寄生PNPトランジスタをより動作させ易くしつつ、GGMOSをより均一に動作させることができる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】GGMOSの1セルに対してN型ボディ領域5が複数個配置されるようにしつつ、N型ボディ領域5のN型不純物濃度を低く設定することで、カソード電極11とショットキー接触させられるようにする。具体的には、GGMOSを構成するセルを囲むようにN型ボディ領域5を複数個配置する。これにより、ボディコンタクト抵抗を高くでき、ベース抵抗を高くできるため、より早く寄生PNPトランジスタをオンさせることが可能となる。したがって、被保護素子に対してサージ電流が流れることを的確に抑制することが可能となる。【選択図】図3

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