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1. 发明专利

JP2020097899A 熱回収システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020097899A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2018235453
申请日：2018-12-17
申请人：株式会社ジェイテクト , 光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社トヨタエナジーソリューションズ
发明人：上田裕介 , 中井基生 , 松原周 , 脇田恭之 , 森本泰弘 , 遠藤康浩 , 盛昭雄
IPC分类号： F01D25/10 , F01K27/02
摘要：【課題】第一流体の温度低下を抑制し、発電効率を高める。【解決手段】熱回収システム10は、熱源から第一流体が流れる一次側流路31と、一次側流路31を流れる前記第一流体から第二流体に熱交換を行う熱交換器20と、前記第二流体が流れる二次側流路32と、二次側流路32の前記第二流体により発電を行う発電装置22と、発電装置22を通過した前記第二流体を冷却して凝縮する凝縮器24とを備える。一次側流路31は、前記第一流体が通過する内側流路部と、当該内側流路部の周囲に設けられた外側流路部と、を含む多重配管50を有する。前記外側流路部に、凝縮器24から出る熱により得られた温風を供給する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6040602B2 モータユニット有权
标题翻译：运动单位
公开(公告)号：JP6040602B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2012158756
申请日：2012-07-17
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：中井基生 , 脇田恭之
IPC分类号： H02K5/22 , H02K7/116 , H02K11/30
CPC分类号： H02K5/22 , H02K11/225 , H02K11/33 , H02K11/38 , H02K5/225 , H02K7/116

3. 发明专利

JP2016162885A 電子部品及び電子部品の製造方法审中-公开
标题翻译：电子元件和制造电子元件的方法
公开(公告)号：JP2016162885A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015040279
申请日：2015-03-02
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：脇田恭之
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065
摘要：【課題】半導体素子を重ね合わせた電子部品であって、配線の接続が容易で小型な電子部品を1種類の半導体素子で構成することができる電子部品、及び当該電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】表面に第1表面電極と第2表面電極とが形成されて裏面に裏面電極が形成された1種類の半導体素子11、12を重ね合わせた電子部品であって、第2表面電極11G、12Gは中央部よりも縁部に近い位置に形成されており、半導体素子には、中央部よりも縁部に近い位置であって第1表面電極12Sも第2表面電極12Gも形成されていない位置に、貫通孔12Kあるいは切欠部が形成されている。そして、重ね合わされた一方である第1半導体素子11の第2表面電極11Gが、重ね合わされた他方である第2半導体素子12の貫通孔12Kあるいは切欠部の位置と一致するように、第1半導体素子11と第2半導体素子12とが重ね合わされている。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种叠加半导体元件的电子部件，其能够构成紧凑的电子部件，便于一种半导体元件的布线的连接，并提供制造电子部件的方法。解决方案：在叠置在表面上形成有第一和第二表面电极的一种半导体元件11,12的电子部件，在背面形成有背面电极，第二表面电极11G，12G形成在靠近边缘部分的位置并且在半导体元件中，在比中心部分更靠近边缘部分的位置处形成通孔12K或凹口，其中不形成第一表面电极12S和第二表面电极12G。第一半导体元件11和第二半导体元件12重叠，使得第一半导体元件11的第二表面电极12G与第二半导体元件12的通孔12K或凹口对准。图示10：

4. 发明专利

JP2015204375A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015204375A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014083007
申请日：2014-04-14
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：武田恭英 , 脇田恭之
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66704 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L29/1095 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10162 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】ゲート入力信号に対する出力遅延時間を短くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】n + 型基板4、n − 型エピタキシャル層5およびp − 型ボディ層6から構成される半導体層上に、ゲートパッド2が配置されている。ゲートパッド2は、平面視において、半導体層の中央部に配置されている。半導体層には、トレンチ型MOSFET素子を構成する単位セルCが、複数設けられている。複数の単位セルCは、平面視において、ゲートパッド2を中心として放射方向に配列されており、ゲートパッド2に最も近い単位セルC(中央側単位セルCc)のゲート電極11は、ゲートパッド2に電気的に接続されている。放射方向に隣接する単位セルCのゲート電極11は互いに接続されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以减少相对于栅极输入信号的输出延迟时间的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：由n型衬底4，n型外延层5和p型体组成的半导体层层6; 以及布置在半导体层上的栅极焊盘2。栅极焊盘2在平面图中布置在半导体层的中心部分上。半导体层包括构成沟槽MOSFET元件的多个单电池C. 多个单元电池C在栅极焊盘2的中心并且在俯视图中沿辐射方向布置。最靠近栅极焊盘2的单元电池C（中央侧单元电池Cc）的栅电极11与栅极焊盘2电连接。在辐射方向上彼此相邻的单元电池C的栅极11被连接与彼此。

5. 发明专利

JP2020067003A 熱回収システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020067003A
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2018198619
申请日：2018-10-22
申请人：株式会社ジェイテクト , 光洋サーモシステム株式会社 , 株式会社トヨタエナジーソリューションズ
发明人：上田裕介 , 中井基生 , 松原周 , 脇田恭之 , 森本泰弘 , 盛昭雄
IPC分类号： F01K27/02 , F01K25/10
摘要：【課題】例えば熱源部で得られる廃熱の温度が変化する場合であっても、発電を効率良く実行する。【解決手段】熱回収システム10は、処理品7を処理することで得られる熱によって第一流体の温度を上昇させる複数の熱源部(16)と、第一流体が流れる一次流路部24を介して複数の熱源部(16)と繋がり当該第一流体から第二流体に熱交換を行う熱交換器20と、一次流路部24に設けられ熱交換器20と熱源部(16)とを繋げる流路を選択するためのバルブ機構22と、第二流体が流れる二次流路部26を介して熱交換器20と繋がり当該第二流体を入力として発電を行う発電ユニット14とを備える。一つの熱源部(16)における第一流体の温度上昇のタイミングが、他の熱源部(16)における第一流体の温度上昇のタイミングと異なり、複数の熱源部(16)それぞれにおける第一流体の温度上昇のタイミングに応じてバルブ機構(22)が動作する。【選択図】図2

6. 发明专利

JP6064479B2 制御装置および同装置を備えるモータユニット有权
标题翻译：控制装置，并包括在相同设备的马达单元
公开(公告)号：JP6064479B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2012206019
申请日：2012-09-19
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：中井基生 , 脇田恭之
IPC分类号： H02K5/22 , H02K11/33 , H05K7/20 , H02K5/18
CPC分类号： H02K15/02 , B62D5/0406 , H02K11/38 , H02K3/50 , H02K5/225 , H05K1/0203 , H05K1/0263 , H05K1/185 , H01L2924/0002 , H02K2203/03 , H05K2201/10166 , H05K2201/2009 , H05K3/0058 , H05K3/4632

7. 发明专利

JP2015204374A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015204374A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014083006
申请日：2014-04-14
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：武田恭英 , 脇田恭之 , 瀬川雅也 , 長瀬茂樹
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/60 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66704 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】半導体装置の基板への実装時に半導体装置が回転した場合でも、ゲートパッドおよび主電極パッドへの接続金属部材のボンディング位置の補正を極力行わなくて済むようになる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層上に、ゲートパッド2とソースパッド3とが配置されている。ゲートパッド2は、平面視において、前記半導体層の中央部に配置されており、前記半導体層の中心を中心とした円形状である。ソースパッド3は、ゲートパッド2を取り囲むように配置されており、平面視において、前記半導体層の中心を中心とした円環状である。前記半導体層には、トレンチ型MOSFET素子を構成する単位セルCが、複数形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使半导体器件在安装半导体时，半导体器件尽可能地减少了将连接金属元件的接合位置校正到栅极焊盘和主电极焊盘的半导体器件，器件。解决方案：栅极焊盘2和源极焊盘3布置在半导体层上。在平面图中，栅极焊盘2设置在半导体层的中心部分周围环绕其中心。源极焊盘3布置成在平面图中围绕半导体层的中心围绕栅极焊盘2环绕。构成沟槽MOSFET元件的多个单元电池C形成在半导体层上。

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