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    • 1. 发明专利
    • 反応性スパッタ装置
    • 反应溅射装置
    • JP2015178682A
    • 2015-10-08
    • JP2015117781
    • 2015-06-10
    • 株式会社アルバック
    • 武井 応樹磯部 辰徳清田 淳也大野 哲宏佐藤 重光
    • C23C14/35
    • C23C14/54C23C14/08C23C14/3407C23C14/35H01J37/3408H01J37/3417H01J37/3455H01J37/347
    • 【課題】化合物膜と化合物膜以外の他の部材との境界にて化合物膜の特性がばらつくことを抑える反応性スパッタ装置を提供する。 【解決手段】カソードユニット22は、走査部27が走査を開始する開始位置にて、走査方向におけるターゲット23の第1端部23e1と形成領域の第1端部との間に配置される第1遮蔽板28aを備える。ターゲット23の第1端部23e1は、走査部27が開始位置にあるとき、走査方向にて形成領域の第1端部に近いターゲット23の端部である。第1遮蔽板28aは、第1エロージョン領域E1からターゲット23が向かう方向に放出されるスパッタ粒子SPのうち、形成領域への入射角度θ1が30°以下であるスパッタ粒子SPを形成領域に到達させない。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种反应性溅射装置,其抑制化合物膜与化合物膜之间的边界处的边界处的化合物膜的性质的变化。解决方案:阴极单元22包括从起始位置 扫描部分27开始扫描的第一屏蔽板28a,布置在目标23的扫描方向的第一边缘部分23e1和形成区域的第一边缘之间的第一屏蔽板28a。 目标23的第一边缘部分23e1是当扫描部分27处于起始位置时目标物23的沿扫描方向的形成区域的第一边缘部分的边缘。 第一屏蔽板28a防止溅射的颗粒SP到达形成区域,溅射的颗粒SP的入射角为与第一侵蚀区域E1沿着方向排出的溅射颗粒之间的形成面积的30°以下的入射角 目标23被引导到其上。
    • 3. 发明专利
    • カソードユニット
    • CATHODE单位
    • JP2016041855A
    • 2016-03-31
    • JP2016001285
    • 2016-01-06
    • 株式会社アルバック
    • 大野 哲宏佐藤 重光大空 弘樹
    • C23C14/34
    • C23C14/3407H01J37/34H01J37/3435
    • 【課題】一つの成膜空間において、一つのバッキングプレートの一面および他面に設けた母材により形成される第一スパッタ膜および第二スパッタ膜を、多数の母材の面積に及ぶ広さを有し、母材に静止対向させた被処理体上に、均一に形成することが可能なカソードユニットを提供する。 【解決手段】本発明のカソードユニット230は、成膜空間内に、バッキングプレート204の第1主面に第一母材205を、第2主面に第二母材206を配してなる複数のターゲットC1〜C3と、前記複数のターゲットの各々に対応し、前記複数のターゲットを回転させるように設けられた複数の制御部E1〜E3とを備える。各々のバッキングプレート204の非処理面側に、バッキングプレート204の処理面に特定の分布磁場を生成する磁場生成部H1〜H3を個別に備えている。 【選択図】図1A
    • 要解决的问题:提供一种阴极单元,其在膜沉积空间中均匀地形成第一溅射膜和由布置在背板的另一表面上的基材形成的第二溅射膜, 其具有覆盖多个基材的区域并且固定面为基材的区域。解决方案:根据本发明的阴极单元230在膜沉积空间中包括:多个靶C1-C3,其中第一基材 205布置在背板204的第一主表面上,第二基材206布置在背板204的第二主表面上; 以及多个控制部分E1-E3,其布置成旋转对应于多个目标中的每一个的多个目标。 在背板204的处理表面中产生特定磁场分布的磁场产生部分H1-H3分别设置在每个背板204的非处理表面侧。图1A