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1. 发明专利

JP5815967B2 基板洗浄装置及び真空処理システム有权
标题翻译：基板清洗装置和一个真空处理系统
公开(公告)号：JP5815967B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2011080098
申请日：2011-03-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 岩谷産業株式会社
发明人：土橋和也 , 井内健介 , 清水昭貴 , 安田健太 , 吉野裕 , 相田敏広 , 妹尾武彦
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01L21/67051 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069

2. 发明专利

JPWO2020066172A1 エッチング方法、エッチング残渣の除去方法、および記憶媒体有权
公开(公告)号：JPWO2020066172A1
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2019024959
申请日：2019-06-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋信博 , 田内啓士 , 入江伸次 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：エッチング方法は、エッチング対象部を有する基板を準備する工程と、基板のエッチング対象部を、CF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより所定パターンにプラズマエッチングする工程と、その後、エッチング残渣として残存するCF系のデポ物を除去する工程と、を有し、CF系のデポ物を除去する工程は、酸素を含むラジカルによってCF系のデポ物の酸化物を含む酸化物を形成する工程と、生成された酸化物を、ガスによる化学的処理またはラジカル処理により除去する工程とを有する。

3. 发明专利

JP2020043180A 基板処理装置及び基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020043180A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018168327
申请日：2018-09-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：羽田敬子 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302
摘要：【課題】基板表面のシリコン含有膜をエッチングするにあたり、基板処理のスループットを向上させる。【解決手段】基板処理装置は、基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する。また、基板処理方法は、基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、フラッシュランプから前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させる昇華工程と、を有する。【選択図】図4

4. 发明专利

JP2020025070A エッチング方法およびエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020025070A
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：JP2019055846
申请日：2019-03-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阿部拓也 , 三好秀典 , 清水昭貴 , 長倉幸一
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】微細凹部の内面に形成されたSiNまたはSiを均一にエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング方法は、凹部を有し、凹部の内面にSiNまたはSiからなるエッチング対象部が存在する基板を処理容器内に設ける工程と、処理容器内で基板に対して酸素含有プラズマ処理を行い、前記凹部のトップ部におけるエッチング対象部の表面を優先的に改質させる工程と、次いで、エッチング対象部を等方的にドライエッチングする工程とを有する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6207947B2 被処理体をプラズマ処理する方法有权
公开(公告)号：JP6207947B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013196901
申请日：2013-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：清水昭貴 , 大石哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/3457 , H01J37/32091 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/32137 , H01J2237/334

6. 发明专利

JP2015228433A エッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2015228433A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2014113908
申请日：2014-06-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋信博 , ▲高▼橋哲朗 , 清水昭貴 , 長倉幸一 , 斉藤剛 , 宇田秀一郎
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】チャンバー内にプラズマを生成させない手法により、窒化シリコン膜を酸化シリコン膜および/またはシリコンに対して高選択比でエッチングすることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】表面に窒化シリコン膜を有し、窒化シリコン膜に隣接してシリコンおよび/または酸化シリコン膜を有する被処理基板Wをチャンバー40内に配置し、チャンバー40内に、フッ素含有ガスと、アルコールガスと、O 2 ガスと、不活性ガスとを励起した状態で供給し、これにより窒化シリコン膜をシリコンおよび/または酸化シリコン膜に対して選択的にエッチングする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种蚀刻方法，通过该蚀刻方法可以以高选择比将氧化硅膜和/或硅蚀刻到氮化硅膜上，使得在室中不产生等离子体。溶解：蚀刻方法包括以下步骤：将在其表面上具有氮化硅膜并且邻近氮化硅膜的待处理衬底W设置在室40中的硅和/或氧化硅膜; 并且在被激发的状态下将含醇气体，O气和惰性气体的含氟气体供给到室40中，从而选择性地蚀刻氮化硅膜而不是硅和/或氧化硅膜。

7. 发明专利

JP6854611B2 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム有权
公开(公告)号：JP6854611B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2016183133
申请日：2016-09-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：羽田敬子 , 清水昭貴 , 長倉幸一 , 立花光博
IPC分类号： H01L21/302

8. 发明专利

JP2018170499A 基板処理装置及び基板処理方法。审中-公开
公开(公告)号：JP2018170499A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2018019439
申请日：2018-02-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：小川裕之 , 大久保智也 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】処理容器内に載置されたウエハにガスを供給するにあたり、ガスの濃度の面内分布を調整することができる技術を提供する。【解決手段】処理容器20内に載置されたウエハWにガスを供して処理するプラズマ処理装置において、処理容器20内を仕切り部5により、NF 3 ガス、O 2 ガス及びH 2 ガスを励起するプラズマ空間Pと、ウエハWにラジカル処理を行う処理空間Sとに区画している。そしてプラズマ空間Pにて励起したNF 3 ガス、O 2 ガス及びH 2 ガスを仕切り部5に形成したスリットを介してラジカルとして供給すると共に、仕切り部5の下面の載置台3の中央側の中央側ガス供給部と、載置台3の周縁側の周縁側ガス供給部からArガスを供給するように構成する。【選択図】図10

9. 发明专利

JP2017147204A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017147204A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016030387
申请日：2016-02-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山崎良二 , 斉藤進 , 長倉幸一 , 清水昭貴 , 木下秀俊
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J2237/334
摘要：【課題】誘導結合型プラズマを用いてウエハに対してプラズマ処理を行う装置において、高周波電磁界の透過窓からウエハまでの高さを小さくして、真空引きに要する時間を短縮し、スループットの低下を抑えること。【解決手段】処理容器1内にて載置台2と対向するようにイオントラップ板を兼用する、複数の通気口31を備えた緩衝板3を設け、更にその上にプラズマ発生空間S1を介して区画板6を設ける。区画板6に例えば同心円状に配列された複数の開口部61の各々に円筒体41を気密に嵌合し、円筒体41の下端付近に石英板4を設けて真空雰囲気と外部雰囲気を仕切る。各石英板4の上に、誘導電界を発生する渦巻き状のアンテナ5を配置する。区画板6と緩衝板3との間にプラズマ発生用のガスを供給するように構成し、また区画板6から緩衝板3の下面まで貫通する、吸着用のガスを供給するガス供給管7を複数設ける。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6601257B2 基板処理方法有权
公开(公告)号：JP6601257B2
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：JP2016030365
申请日：2016-02-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：今井宗幸 , 清水昭貴
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302

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