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1. 发明专利

JP5815967B2 基板洗浄装置及び真空処理システム有权
标题翻译：基板清洗装置和一个真空处理系统
公开(公告)号：JP5815967B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2011080098
申请日：2011-03-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 岩谷産業株式会社
发明人：土橋和也 , 井内健介 , 清水昭貴 , 安田健太 , 吉野裕 , 相田敏広 , 妹尾武彦
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01L21/67051 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069

2. 发明专利

JP2018160565A ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018160565A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017057086
申请日：2017-03-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 岩谷産業株式会社
发明人：土橋和也 , 折居武彦 , 齋藤幸正 , 小池国彦 , 妹尾武彦 , 泉浩一 , 吉野裕 , 荘所正 , 兼平圭太
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】基板にガスクラスターを照射して基板処理を行う際に、短時間でガスクラスターの生成に必要なガス供給圧力に到達させることができ、かつガス供給圧力の制御性が良好な技術を提供する。【解決手段】基板Sにガスクラスターを照射して基板Sに所定の処理を行うガスクラスター処理装置100は、処理容器1と、ガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部13と、ガス供給部13から供給されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ14と、ガスクラスターを生成するためのガスが所定の供給圧力で供給され、そのガスを真空保持された処理容器内に噴出して断熱膨張によりクラスター化させるクラスターノズル11と、マスフローコントローラ14とクラスターノズル11の間の配管12に設けられ、ガスクラスターを生成するためのガスの供給圧力を制御する、背圧制御器17を有する圧力制御部15とを有する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6496200B2 ニッケルのガスエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6496200B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2015128671
申请日：2015-06-26
申请人：岩谷産業株式会社
发明人：吉野裕 , 妹尾武彦
IPC分类号： C23F1/12

4. 发明专利

JP6113019B2 ウエーハの分割方法有权
公开(公告)号：JP6113019B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2013164095
申请日：2013-08-07
申请人：株式会社ディスコ , 岩谷産業株式会社
发明人：松崎栄 , 増田隆俊 , 前本希 , 吉野裕 , 妹尾武彦 , 相田敏広 , 枇榔智也
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/2686 , H01L21/3065

5. 发明专利

JP6073172B2 エッチング方法有权
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP6073172B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2013072444
申请日：2013-03-29
申请人：岩谷産業株式会社
发明人：守谷修司 , 妹尾武彦 , 吉野裕 , 堀口誠 , 相田敏広 , 枇榔智也
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31116

6. 发明专利

JP5964182B2 クラスタによる加工方法有权
标题翻译：使用集群加工方法
公开(公告)号：JP5964182B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012189770
申请日：2012-08-30
申请人：岩谷産業株式会社 , 国立大学法人京都大学
发明人：吉野裕 , 小池国彦 , 妹尾武彦 , 松尾二郎 , 瀬木利夫
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C23F1/00 , B81C1/00531 , H01L21/02046 , H01L21/3065 , B81C2201/0132

7. 发明专利

JP6925900B2 切断加工方法有权
公开(公告)号：JP6925900B2
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2017140871
申请日：2017-07-20
申请人：岩谷産業株式会社 , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：真鍋俊樹 , 妹尾武彦 , 泉浩一 , 荘所正 , 荻原孝文 , 坂本剛志
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/3065 , H01L21/301

8. 发明专利

JP2017008406A ニッケルのガスエッチング方法审中-公开
标题翻译：用于镍气体蚀刻方法
公开(公告)号：JP2017008406A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015128671
申请日：2015-06-26
申请人：岩谷産業株式会社
发明人：吉野裕 , 妹尾武彦
IPC分类号： C23F1/12
摘要：【課題】プラズマを使用することなくニッケルを均一にエッチングできる、ニッケルのガスエッチング方法を提供する。【解決手段】ニッケルが存在するチャンバー内に三塩化リンを導入し、上記ニッケルに三塩化リンガスを接触させる。したがって本発明は、プラズマを使用することなく、ガスの接触でニッケルを均一にエッチングできる。このため本発明は、従来のようにニッケルの形状によってエッチングの不十分なところが生じにくい。また本発明は、チャンバー内の汚染が軽微で、メンテナンスの手間を軽減し、メンテナンス周期も延長できる。さらに本発明は、チャンバー内がニッケルで汚染されたとしても、三塩化リンガスを接触させることによってエッチングし、汚染されたチャンバー内をクリーニングすることができる。【選択図】図1
摘要翻译： A可以被均匀地蚀刻镍，而不使用等离子体的，以提供一气体蚀刻方法镍。的导入三氯化磷进入室镍存在时，三氯化爱尔兰航空接触到镍。因此，在不使用等离子体的本发明中，可以在与气体接触均匀地蚀刻镍。因此，本发明中，常规的地方蚀刻不足由镍的形状是不太可能发生如。本发明中，在所述腔室轻微污染，减少维护的劳动，维护间隔也可以被扩展。本发明中，甚至在室中污染有镍，并且可以通过接触的三氯化艾尔林格斯清洁污染腔室被蚀刻。点域1

9. 发明专利

JP6957252B2 切断加工方法有权
公开(公告)号：JP6957252B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2017140872
申请日：2017-07-20
申请人：岩谷産業株式会社 , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：真鍋俊樹 , 妹尾武彦 , 泉浩一 , 荘所正 , 荻原孝文 , 坂本剛志
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/3065 , H01L21/301

10. 发明专利

JP6725911B2 クラスタ噴射式加工方法および装置有权
公开(公告)号：JP6725911B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2016169401
申请日：2016-08-31
申请人：岩谷産業株式会社 , 国立大学法人京都大学
发明人：小池国彦 , 妹尾武彦 , 泉浩一 , 荘所正 , 松尾二郎 , 瀬木利夫
IPC分类号： H01L21/302

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