基本信息:
- 专利标题： エッチング方法およびエッチング装置
- 申请号：JP2019055846 申请日：2019-03-25
- 公开(公告)号：JP2020025070A 公开(公告)日：2020-02-13
- 发明人： 阿部 拓也 , 三好 秀典 , 清水 昭貴 , 長倉 幸一
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 代理人： 高山 宏志
- 优先权： JP2018142005 2018-07-30
- 主分类号： H01L27/11582
- IPC分类号： H01L27/11582 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H05H1/46 ; H01L21/3065
摘要：
【課題】微細凹部の内面に形成されたSiNまたはSiを均一にエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。 【解決手段】エッチング方法は、凹部を有し、凹部の内面にSiNまたはSiからなるエッチング対象部が存在する基板を処理容器内に設ける工程と、処理容器内で基板に対して酸素含有プラズマ処理を行い、前記凹部のトップ部におけるエッチング対象部の表面を優先的に改質させる工程と、次いで、エッチング対象部を等方的にドライエッチングする工程とを有する。 【選択図】図1
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11578 | ........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ------------------------H01L27/1158 | .........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的 |
| --------------------------H01L27/11582 | ..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道 |