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1. 发明专利

JP5925898B2 フルオロカーボン用の金属カーバイドバリア層を形成する方法有权
标题翻译：形成用于碳氟化合物的金属碳化物阻挡层的方法
公开(公告)号：JP5925898B2
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2014531887
申请日：2012-09-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド
发明人：菊地良幸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76801 , C23C14/20 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/22 , C23C16/511 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02362 , H01L21/76841 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , C23C16/45565

2. 发明专利

JP2016145385A 成膜装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：电影沉积装置和方法
公开(公告)号：JP2016145385A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015022626
申请日：2015-02-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地良幸 , 榊原康明 , 三ツ森章祥 , 森田治
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/509 , C23C16/507 , C23C16/511
摘要：【課題】成膜室で発生する異物に起因した、基板に対する汚染を抑制すること。【解決手段】成膜装置は、処理容器と、仕切り板と、成膜室内に設けられた載置台と、成膜室へ成膜ガスを供給する第1のガス供給部と、プラズマ生成室へ希ガスを供給する第2のガス供給部と、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマ、又は希ガスのプラズマを発生させる第1のプラズマ源と、成膜室において、成膜ガスのプラズマを発生させる第2のプラズマ源と、載置台に基板以外の他の基板が載置された状態で、第1のプラズマ源及び第2のプラズマ源に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行い、プリコート処理が行われた成膜室内の載置台に基板が載置された状態で、第1のプラズマ源に希ガスのプラズマを発生させることで、中性粒子を用いて、基板に対して成膜処理を行う制御部とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制由成膜室中产生的异物引起的对基板的污染。解决方案：一种成膜装置，包括处理容器，隔板，安装在成膜室中的安装台，向成膜室供给成膜气体的第一气体供给部，向等离子体生成室供给稀有气体的第二气体供给部，产生成膜气体的等离子体的第一等离子体源和稀有气体的等离子体在等离子体生成室中，产生等离子体产生室中的成膜气体的等离子体的第二等离子体源，以及通过产生成膜等离子体而对等离子体生成室和成膜室进行预涂处理的控制部在待沉积的基板以外的其他基板安装在安装台上的状态下，第一等离子体源和第二等离子体源中的气体，在基板安装在已经进行预涂处理的成膜室的安装台上的状态下，通过在第一等离子体源中产生稀有气体的等离子体，使用中性粒子对基板进行膜沉积处理。选择图：图1

4. 发明专利

JP2017157627A プラズマ処理装置及びプリコート処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017157627A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016037831
申请日：2016-02-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地良幸 , 三ツ森章祥
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01J37/3222 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要：【課題】仕切り板の消耗に起因した被処理体の汚染を抑制すること。【解決手段】プラズマ処理装置10は、仕切り板40と、アンテナ20と、高周波電源72とを有する。仕切り板40は、各々の最大幅がプラズマ励起用ガスのプラズマに対応するシース長の2倍以下である複数の開口40hを有し、処理容器11内をプラズマ生成室S1と処理室S2とに仕切る。アンテナ20は、プラズマ生成室S1へ供給されるプラズマ励起用ガスのプラズマを発生させる。高周波電源72は、プラズマ生成室S1へ供給されて仕切り板40の複数の開口40hを介して処理室S2へ流入するプリコートガスのプラズマを発生させる。そして、プラズマ処理装置10は、プラズマ励起用ガスのプラズマを用いたプラズマ処理が行われる前に、高周波電源72にプリコートガスのプラズマを発生させることで、仕切り板40の処理室S2側の面に対してプリコート処理を行う。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016134519A III−V族半導体のエッチング方法及びエッチング装置审中-公开
标题翻译： III-V族半导体的蚀刻方法和蚀刻器件
公开(公告)号：JP2016134519A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015008647
申请日：2015-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東北テクノアーチ
发明人：谷 ▲シュン▼ , 菊地良幸 , 寒川誠二
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H3/02 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/30621 , H01L21/3081
摘要：【課題】III−V族半導体をエッチングするにあたり、ダメージを抑えつつ高い選択比を確保する。【解決手段】減圧可能な処理容器12内の上方には、水素を含むガス及びプラズマ生成用の希ガスが供給可能なプラズマ生成室S1が形成され、プラズマ生成室S1の下方には、開口40hを有し、紫外線を遮蔽する遮蔽部40を介して、処理室S2が形成されている。プラズマ生成室S1において生成された水素原子のイオンは、開口40hを通過する際に中性化され、水素原子の中性粒子となって、処理室S2内の基板Wに照射される。一方、処理室S2には有機ガス供給部71からエタノールが供給され、基板Wに形成されたIII−V族半導体は、前記中性粒子のエネルギーによる錯体反応によってエッチングされる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了确保高选择性，同时在蚀刻III-V族半导体时减少损伤。解决方案：III-V族半导体的蚀刻装置包括：等离子体产生室S1，其形成在处理的上部能够减压的容器12，并且可以供给含氢气体和用于等离子体产生的稀有气体; 以及处理室S2，其经由具有开口40h并屏蔽紫外线的屏蔽部40形成在等离子体产生室S1的下方。在等离子体发生室S1中产生的氢原子的离子在通过开口40h期间被中和，成为中性粒子并照射在处理室S2中的基板W上。另一方面，从有机气体供给部71将乙醇供给到处理室S2，通过由中性粒子的能量引起的复合反应来蚀刻形成在基板W上的III-V族半导体。图1

6. 发明专利

JP5710606B2 アモルファスカーボンのドーピングによるフルオロカーボン(CFx)の接合の改善有权
标题翻译：通过掺杂无定形碳氟化合物（CFX）的结合的改进
公开(公告)号：JP5710606B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2012517496
申请日：2010-06-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地良幸
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/26 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/30 , C23C16/45563 , C23C16/511 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146

7. 发明专利

JP6423728B2 成膜装置及び成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP6423728B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2015022626
申请日：2015-02-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：菊地良幸 , 榊原康明 , 三ツ森章祥 , 森田治
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/509 , C23C16/507 , C23C16/511

8. 发明专利

JP5908001B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5908001B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：JP2014005782
申请日：2014-01-16
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東北テクノアーチ
发明人：石橋清隆 , 菊地良幸 , 寒川誠二
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H3/00 , C23C16/511 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/045 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01J37/32422

9. 发明专利

JP2015134943A 基板処理装置有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2015134943A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014005782
申请日：2014-01-16
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東北テクノアーチ
发明人：石橋清隆 , 菊地良幸 , 寒川誠二
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H3/00 , C23C16/511 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/045 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01J37/32422
摘要：【課題】中性粒子を用いて凹パターンの側面に成膜し、面内均一に基板処理を行う方法の提供。【解決手段】処理容器11内のウェハWをプラズマにより処理する基板処理装置1は、処理容器内にプラズマを生成するプラズマ発生室Uと、プラズマ発生室に対向して配置され、処理容器内においてウェハを保持するウェハチャック10と、プラズマ発生室とウェハチャックとの間に配置され、プラズマ発生室で生成されたプラズマを中性化して中性粒子を生成し、且つ当該中性粒子をウェハチャックに保持されたウェハに照射する開口15aが複数形成された分離板15と、ウェハチャックで保持されるウェハ上での中性粒子の入射角度分布のピーク値がウェハの法線方向よりずれた位置で、且つ前記ピーク値が法線方向を挟んだ位置に複数分布するように、分離板からウェハチャック側に導入される中性粒子の指向性を調整する指向性調整機構と、を有する基板処理装置1。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用中性粒子在凹陷图案的侧面上沉积膜的方法，并且具有面内均匀性的基板的处理。解决方案：一种基板处理装置1，其处理处理容器中的晶片W 等离子体包括：等离子体产生室U在处理容器中产生等离子体; 与等离子体产生室相对设置并将晶片保持在处理容器中的晶片卡盘10; 布置在等离子体产生室和晶片卡盘之间的分离板15，并且具有多个开口15a，其形成为通过中和由等离子体产生室产生的等离子体产生中性粒子，然后照射由晶片卡盘保持的晶片与中性粒子; 以及方向性调整机构，其调整从分离板引入到晶片卡盘侧的中性粒子的方向性，使得由晶片卡盘保持的晶片上的中性粒子的入射角分布的多个峰值分布到位置从晶片的正常方向移动到峰值跨越法线方向的位置。

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