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1. 发明专利

JP6047411B2 温度測定機構及び温度測定方法有权
标题翻译：温度测量机构和温度测量方法
公开(公告)号：JP6047411B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2013012332
申请日：2013-01-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木智博 , 本田倫基 , 大矢和広
IPC分类号： G01K7/00

2. 发明专利

JP2016058722A 熱処理方法及び熱処理装置有权
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：JP2016058722A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015161286
申请日：2015-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐藤雅敏 , 鈴木智博 , 田中澄 , 大矢和広 , 本田倫基
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26
摘要：【課題】光源を熱源とする熱処理装置において、被処理体の表面状態によらず所望の温度に加熱する。【解決手段】複数の発光素子ユニット30を熱源に用いてウェハWを熱処理する熱処理方法は、発光素子ユニット30から第1の照度UでウェハWに光を照射し、ウェハWの反射率Rを求め、ウェハWの反射率Rと、予め求められた、第1の照度UにおけるウェハWの昇温カーブとウェハWの反射率Rとの相関関係Qに基づいて、発光素子ユニット30からの光の照度を、第1の照度Uから第2の照度Uxに補正する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：在使用光源作为热源的热处理装置中，加热到所需温度，而不管被处理物体的表面状态如何。热处理方法，用于对晶片W进行热处理通过使用多个作为热源的发光元件单元30，利用第一照明U从发光元件单元30照射光，晶圆W的反射率R确定晶片W的照度，基于晶片W的反射率R从发光元件单元30从第一照明U到第二照明Ux的光和第一照明U中的晶片W的升温曲线的预定相关值Q以及反射率R 的晶片W。选择图：图5

3. 发明专利

JP6267162B2 熱処理方法及び熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6267162B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015161286
申请日：2015-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐藤雅敏 , 鈴木智博 , 田中澄 , 大矢和広 , 本田倫基
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26

4. 发明专利

JP2016054242A 熱処理方法及び熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：JP2016054242A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014179954
申请日：2014-09-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木智博 , 田中澄
IPC分类号： H01L21/26
摘要：【課題】光源を熱源とする熱処理において、加熱用の光源からの光を直接測定することなく、光源の劣化をモニタリングして、その結果に基づいて適切な加熱用の光を照射する。【解決手段】複数の発光素子ユニット30を熱源に用いてウェハWを熱処理する場合、所定ロット数のウェハWを処理した後、表面反射率が既知の測定用ウェハWtに対して、発光素子ユニット30から加熱用の光を照射する。その時の反射光を反射光センサ51で測定し、予め用意していた初期値の反射光の測定データと比較し、光量が低下していた場合には、初期値の反射光の光量となるように、発光素子ユニット30に電力を供給する電源40に対して、電力を補正する指令を制御部150が出力する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在将光源用作热源的热处理中，基于监视光源劣化的结果，不用直接测量来自加热用光源的光，来施加适当的加热光。解决方案：以发光器件单元30作为热源对晶片W进行热处理的方法包括：将用于加热的光施加到从光的表面反射率已知的用于测量的晶片Wt的步骤处理给定批号的晶片W后的发光装置单元30; 此时由反射光传感器51测量此时的反射光的步骤; 将测量的反射光与预先准备的初始值的反射光测量数据进行比较的步骤; 以及如果测量光量减少的步骤，则控制部分150将用于校正电力的指令输出到用于向发光装置单元30供电的电源40，用于使测量的光一定量的反射光的初始值。选择图：图1

5. 发明专利

JP2016115750A 基板処理方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2016115750A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014251767
申请日：2014-12-12
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：洪錫亨 , 鈴木智博 , 小泉正樹
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66
摘要：【課題】安価、かつ、簡便に基板に施す処理の進行度合いを評価する基板処理方法を提供する。【解決手段】ウエハWの位置を検出するオリエンタ27は、ウエハWの位置検出手段の他にウエハWの表層に対向するように配置された複数の放射温度計31(放射率測定機構)を備え、各放射温度計31はウエハWの表層の放射率を測定する。基板処理装置の制御装置は、各放射温度計31によってウエハWの表層の放射率を測定することにより、アモルファスシリコンが形成されたウエハWの熱処理による結晶化の進行度合いを評価し、放射率の変化が停止すると結晶化が完了したと判断する。また、放射率の変化が停止しなくても、放射率の値から結晶化の進行度合いを判定する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于评价基板的处理进度的方法的基板处理方法。解决方案：用于检测晶片W的位置的取向器27包括多个辐射温度计31（发射测量机构），并且每个辐射温度计31测量晶片W的表面层的发射率。基板处理装置的控制器评估晶片W的表面层的程度，通过利用每个辐射温度计31测量晶片W的表面层的发射率，通过热处理形成非晶硅的晶片W进行结晶化处理，并确定当发射率变化停止时结晶已经完成。即使发射率的变化没有停止，结晶的进行程度也取决于发射率的值。选择的图：图4

6. 发明专利

JP2016076529A 温度測定用支持部材及び熱処理装置审中-公开
标题翻译：支持温度测量和热处理设备的会员
公开(公告)号：JP2016076529A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014204460
申请日：2014-10-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木智博 , 大矢和広 , 佐藤雅敏
IPC分类号： G01K1/16 , G01K7/02 , H01L21/26
摘要：【課題】光源を熱源とする熱処理において、被処理体を下面側から加熱する場合であっても、熱処理の均一性を損なうことなく、しかも被処理体の温度を正確に測定する温度測定用支持部材及び熱処理装置を提供する。【解決手段】発光素子からの光をウェハWに照射して熱処理する際に用いられる測定用支持ピン61は、ウェハWの支持面に接触する、加熱光に対して透明な熱伝導部材63と、熱伝導部材63内に検出部64aが位置して、熱伝導部材63と検出部64aが接触する温度センサ64とを有している。熱伝導部材63は、加熱光に対して透明な支持体62によって支持されている。加熱光は、透明支持板50の下面側からウェハWに対して照射される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于温度测量的支撑构件，即使在使用光源作为热源的加热处理中，即使从下表面侧加热被处理物体也能够精确地测量被处理物体的温度而不损害均匀性并提供热处理装置。解决方案：用于通过用来自发光元件的光照射来对晶片W进行热处理时所使用的用于测量的支撑销61具有与支撑表面接触的导热构件63 的晶片W，并且对于加热灯是透明的;以及温度传感器64，其具有位于导热部件63中的与导热部件63接触的检测器64a。导热部件63由透明的支撑体62支撑，加热灯。用透明支撑板50的下表面侧的加热光照射晶片W.图示：图4

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