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1. 发明专利

JPWO2020116247A1 プラズマ処理装置及び下部ステージ有权
公开(公告)号：JPWO2020116247A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2019046216
申请日：2019-11-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：池田太郎 , 田中澄 , 川上聡 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H1/46
摘要：プラズマの面内均一性を向上可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる下部ステージが期待されている。一つの例示的実施形態において、下部ステージは、上部電極との間にプラズマを発生させるための下部ステージを対象とする。下部ステージは、セラミックスからなる下部誘電体と、下部誘電体内に埋設された下部電極と、下部誘電体内に埋設された発熱体と、を備えている。下部誘電体の中央領域の上部表面と下部電極との間の離隔距離よりも、下部誘電体の外縁位置の上部表面と下部電極との間の離隔距離は小さい。下部電極は、上記外縁位置と上記中央領域との間に、上記上部表面に対して傾斜した傾斜領域を有している。

2. 发明专利

JP6407803B2 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP6407803B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2015120801
申请日：2015-06-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：古家元 , 杉原紳太郎 , 房野泰明 , 田中澄 , 町山弥
IPC分类号： B23K20/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/02

3. 发明专利

JP2018093087A 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018093087A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016236088
申请日：2016-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：小澤潤 , 田中澄
IPC分类号： H01L21/324 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/677
摘要：【課題】ロードロックモジュールや真空処理モジュールの取り扱い易さを維持しつつ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、真空雰囲気下で基板Wを処理する真空処理モジュール4A、4Bを備え、基板搬送部20の第1の基板搬送機構2は常圧雰囲気下で基板Wを搬送する。処理ユニット支持部6は、複数の真空処理モジュール4A、4Bと、前記基板搬送部20と、各真空処理モジュール4A、4Bとの間で基板Wを搬送するための第2の基板搬送機構33が設けられたロードロックモジュール3と、を備えた処理ユニットUを支持し、処理ユニット収容部7は、ロードロックモジュール3が基板搬送部20に接続された状態にて、処理ユニット支持部6に支持された複数の処理ユニットUを上下方向に多段に並べて収容する。【選択図】図8

4. 发明专利

JP2016058722A 熱処理方法及び熱処理装置有权
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：JP2016058722A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015161286
申请日：2015-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐藤雅敏 , 鈴木智博 , 田中澄 , 大矢和広 , 本田倫基
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26
摘要：【課題】光源を熱源とする熱処理装置において、被処理体の表面状態によらず所望の温度に加熱する。【解決手段】複数の発光素子ユニット30を熱源に用いてウェハWを熱処理する熱処理方法は、発光素子ユニット30から第1の照度UでウェハWに光を照射し、ウェハWの反射率Rを求め、ウェハWの反射率Rと、予め求められた、第1の照度UにおけるウェハWの昇温カーブとウェハWの反射率Rとの相関関係Qに基づいて、発光素子ユニット30からの光の照度を、第1の照度Uから第2の照度Uxに補正する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：在使用光源作为热源的热处理装置中，加热到所需温度，而不管被处理物体的表面状态如何。热处理方法，用于对晶片W进行热处理通过使用多个作为热源的发光元件单元30，利用第一照明U从发光元件单元30照射光，晶圆W的反射率R确定晶片W的照度，基于晶片W的反射率R从发光元件单元30从第一照明U到第二照明Ux的光和第一照明U中的晶片W的升温曲线的预定相关值Q以及反射率R 的晶片W。选择图：图5

5. 发明专利

JP2021114546A 基板を処理する装置、及び基板を処理する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021114546A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2020006866
申请日：2020-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：田中澄 , 小林民宏
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/458 , H01L21/683
摘要：【課題】基板処理装置において、処理チャンバの非加熱状態と加熱状態とにおける、ステージと、ステージ周辺部材と、の位置ずれを小さくすること。【解決手段】ステージ周辺部材を処理チャンバに設置するにあたって、基準位置に近い位置に配置された第1の位置決めピンより処理チャンバに対してステージ周辺部材を固定している。一方、基準位置から見て第1の位置決めピンよりも離れた位置にある第2の位置決めピンは、当該第2の位置決めピンの移動する方向に沿って長孔形状に形成された第2の孔部に挿入されている。この構成により、処理チャンバを非加熱状態から加熱状態に切り替えたときのステージ周辺部材の位置ずれを第1の位置決めピンの移動量程度に抑え、位置ずれ寸法を小さくすることができる。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2018098387A 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018098387A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016242428
申请日：2016-12-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：小澤潤 , 田中澄
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/07 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/02
摘要：【課題】メンテナンス時などにおける取り扱いが容易であり、且つ、複数の真空処理モジュールを配置することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板搬送部20と、基板を処理する第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bとロードロックモジュール3とが設けられた複数の処理ユニットUを上下に並べて収容する処理ユニット収容部7とを備える。処理ユニット収容部7の段内を上面側から見て、ロードロックモジュール7の側方には、基板搬送部と第1の真空処理モジュール4Aとの間の領域Rに第1の貫通配管51Aが配設され、基板搬送部20と第2の真空処理モジュール4Bとの間の領域Rに第2の貫通配管51Bが配設される。さらに横断配管51、832は、各処理ユニットU内の第1、第2の真空処理モジュール4A、4Bに接続され、処理ユニット収容部7の各段70A〜70Cを横断するように配設される。【選択図】図4

7. 发明专利

JP6267162B2 熱処理方法及び熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6267162B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015161286
申请日：2015-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐藤雅敏 , 鈴木智博 , 田中澄 , 大矢和広 , 本田倫基
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/26

8. 发明专利

JP2017005219A 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体审中-公开
标题翻译：接合装置，接合系统接合方法，程序和计算机存储介质
公开(公告)号：JP2017005219A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120801
申请日：2015-06-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：古家元 , 杉原紳太郎 , 房野泰明 , 田中澄 , 町山弥
IPC分类号： B23K20/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/02
摘要：【課題】接合される基板同士の水平方向位置を適切に調節し、当該基板同士の接合処理を適切に行う。【解決手段】接合装置は、下面に上ウェハW U を真空引きして吸着保持する上チャック140と、上チャック140の下方に設けられ、上面に下ウェハW L を真空引きして吸着保持する下チャック141と、を有する。下チャック141は、下ウェハW L を載置し、鉛直方向及び水平方向に伸縮自在の載置部200と、載置部200において中心部の高さが外周部の高さより高くなるように、当該載置部200を下方から押圧して変形させる変形機構210と、を有する。【選択図】図6
摘要翻译：经过适当调整板的水平位置被接合，适当地执行板联合处理。接合装置包括在其上保持在晶片WU真空下表面上时，在上卡盘140下面提供的吸附和的卡盘140，下部由下部晶片WL抽空到上表面卡盘吸附保持它有一个141，一个。下卡盘141个安装在下晶片WL，垂直和水平方向可伸展的安装部200，以使得在安装部分200的中心部分的高度比外周部分的高度越高，则具有变形机构210变形以从下方按压安装部200中，。点域6

9. 发明专利

JP2016054242A 熱処理方法及び熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：JP2016054242A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014179954
申请日：2014-09-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木智博 , 田中澄
IPC分类号： H01L21/26
摘要：【課題】光源を熱源とする熱処理において、加熱用の光源からの光を直接測定することなく、光源の劣化をモニタリングして、その結果に基づいて適切な加熱用の光を照射する。【解決手段】複数の発光素子ユニット30を熱源に用いてウェハWを熱処理する場合、所定ロット数のウェハWを処理した後、表面反射率が既知の測定用ウェハWtに対して、発光素子ユニット30から加熱用の光を照射する。その時の反射光を反射光センサ51で測定し、予め用意していた初期値の反射光の測定データと比較し、光量が低下していた場合には、初期値の反射光の光量となるように、発光素子ユニット30に電力を供給する電源40に対して、電力を補正する指令を制御部150が出力する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在将光源用作热源的热处理中，基于监视光源劣化的结果，不用直接测量来自加热用光源的光，来施加适当的加热光。解决方案：以发光器件单元30作为热源对晶片W进行热处理的方法包括：将用于加热的光施加到从光的表面反射率已知的用于测量的晶片Wt的步骤处理给定批号的晶片W后的发光装置单元30; 此时由反射光传感器51测量此时的反射光的步骤; 将测量的反射光与预先准备的初始值的反射光测量数据进行比较的步骤; 以及如果测量光量减少的步骤，则控制部分150将用于校正电力的指令输出到用于向发光装置单元30供电的电源40，用于使测量的光一定量的反射光的初始值。选择图：图1

10. 发明专利

JP2021132148A ステージ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021132148A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2020027271
申请日：2020-02-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 川上聡 , 田中澄
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/3065
摘要：【課題】基板のエッジ近傍において、効率的にプラズマを発生可能なステージ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法が期待されている。【解決手段】一つの例示的実施形態において、載置面を有するステージが提供される。ステージは厚みを有し、高周波電極が埋設されたステージ本体を備え、ステージ本体はセラミックを含み、高周波電極は、載置面の外周部下方領域において上記の厚みの方向に延在することを特徴とする。【選択図】図4

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