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1. 发明专利

JP2018003117A 絶縁膜を形成する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018003117A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016133531
申请日：2016-07-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：渡辺直樹 , 波多野達夫 , 古川真司 , 鈴木直行
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L21/318 , H01L21/31 , H05H1/46 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/02225 , C23C14/3464 , C23C14/505 , H01L21/28061 , H01L21/28202 , H01L43/12
摘要：【課題】隆起部に対するカバレッジ性に優れた絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】一実施形態に係る絶縁膜を形成する方法は、ベース部と該ベース部から突出するように設けられた隆起部とを有する被加工物を準備する工程と、被加工物上にスパッタリングにより絶縁膜を形成する工程と、を含む。絶縁膜を形成する工程では、被加工物がターゲットに対してなす角度を変更しつつ絶縁膜が形成される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6245399B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6245399B2
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2017111866
申请日：2017-06-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：五味淳 , 宮下哲也 , 古川真司 , 前田幸治 , 原正道 , 鈴木直行 , 三木洋 , 平田俊治
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01L43/12 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12

3. 发明专利

JP2016134510A 垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法、及び垂直磁化型磁気トンネル接合素子の製造装置审中-公开
标题翻译：形成磁悬浮磁性连接元件的方法及其制造装置
公开(公告)号：JP2016134510A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015008528
申请日：2015-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：北田亨 , 中村貫人 , 五味淳 , 古川真司 , 鈴木祐介
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F41/18 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L43/12
CPC分类号： C23C14/58 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F41/18 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：【課題】垂直磁化型MTJ素子の垂直磁気異方性エネルギーを向上させる。【解決手段】垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法が提供される。この方法は、被処理体の第1磁性層上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層が形成された被処理体を冷却する工程と、冷却する工程の後に、トンネルバリア層上に第2磁性層を形成する工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高垂直磁化MTJ元件的垂直磁各向异性能。解决方案：形成垂直磁化隧道结元件的方法包括在被处理物体的第一磁性层上形成隧道势垒层的步骤，用于冷却其上形成有隧道势垒层的待处理物体的步骤，在冷却步骤之后，在隧道势垒层上形成第二磁性层的步骤。图1

4. 发明专利

JPWO2018084186A1 ハードマスク及びハードマスクを製造する方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018084186A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2017039569
申请日：2017-11-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸島宏至 , 古川真司
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/3065
摘要：一実施形態のハードマスクは、シリコン含有膜上に形成されるプラズマエッチング用のハードマスクである。このハードマスクは、タングステン及びシリコンを含み、アモルファス膜である。ハードマスクの表面におけるタングステンの濃度とシリコンの濃度の比は、35at.%のタングステン濃度と65at.%のシリコン濃度で規定される比と、50at.%のタングステン濃度と50at.%のシリコン濃度で規定される比との間の範囲内にあり得る。

5. 发明专利

JP2018006378A 基板に形成された凹部に銅配線を形成するための前処理を行う方法、及び、処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018006378A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016126715
申请日：2016-06-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸島宏至 , 波多野達夫 , 古川真司 , 渡辺直樹 , 鈴木直行
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/321 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76862 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01J37/3435 , H01L21/68764 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76871 , H01L21/76873 , H01L21/76879
摘要：【課題】基板の凹部を画成する壁面上に形成された下地金属層の消失を抑制し、且つ、下地金属層によって縮小された凹部の開口の幅を広げることを可能とする。【解決手段】一実施形態の方法は、凹部を画成する基板の表面にバリア層を形成する工程と、バリア層上にシード層を形成する工程と、を含む。この方法は、バリア層をエッチングする工程及びシード層をエッチングする工程のうち少なくとも一方を更に含む。バリア層をエッチングする工程及びシード層をエッチングする工程のうち少なくとも一方において、イオンの照射方向に対して基板が傾斜され且つ回転される。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016053202A 処理装置审中-公开
标题翻译：处理单元
公开(公告)号：JP2016053202A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014180292
申请日：2014-09-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：古川真司 , 戸島宏至 , 北田亨 , 中村貫人 , 小野一修
IPC分类号： G11B5/851 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3488 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733
摘要：【課題】被処理体の十分な回転と、十分な冷却を行い、スパッタリングによる成膜を行うことが可能な処理装置を提供する。【解決手段】スパッタリング用のターゲットが内部に配置される処理容器1と、処理容器1内に配置され、被処理体が載置され、回転可能な載置台2と、載置台2を冷却する冷却機構5と、冷却機構5に対する載置台の相対位置を変更させる駆動機構6を更に備え、駆動機構6は、載置台2を冷却機構5に近接させ、また、離隔させることができる。これにより、載置台2から冷却機構5への熱伝達率を変更することができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够进行溅射沉积的处理单元，其伴随着工件的充分旋转和冷却。解决方案：处理单元包括处理容器1，其中设置溅射靶，可旋转放置架2 安装在处理容器1中并放置有工件的冷却机构5，用于冷却放置台2的冷却机构5和用于将放置台的相对位置改变为冷却机构5的驱动机构6构成。驱动机构6可以使放置台2靠近或远离冷却机构5，从而可以将放置台2的传热速率改变为冷却机构5.选择的图示：图2

7. 发明专利

JP6823392B2 絶縁膜を形成する方法有权
公开(公告)号：JP6823392B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2016133531
申请日：2016-07-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：渡辺直樹 , 波多野達夫 , 古川真司 , 鈴木直行
IPC分类号： C23C14/50 , H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/318 , H01L21/31 , H05H1/46 , C23C14/34

8. 发明专利

JP6788393B2 銅膜を形成する方法有权
公开(公告)号：JP6788393B2
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：JP2016128799
申请日：2016-06-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸島宏至 , 島田篤史 , 平澤達郎 , 波多野達夫 , 古川真司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , C23C14/14 , H01L21/28

9. 发明专利

JP2020112755A ハードマスク及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020112755A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019005444
申请日：2019-01-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸島宏至 , 古川真司 , 石橋翔太
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F7/20
摘要：【課題】半導体デバイスの製造用の基板に形成された被エッチング膜をエッチングしてパターンを形成するにあたり、当該エッチングのための基板の位置合わせに不具合が生じることなく、当該パターンの微細化を図ること【解決手段】Ruと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W及びSiの中から選択された元素と、により構成される化合物からなる膜を備えた、半導体デバイスの製造用の基板に形成されるハードマスクを構成する。【選択図】図8

10. 发明专利

JP6305864B2 成膜装置及び成膜方法有权
公开(公告)号：JP6305864B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014156547
申请日：2014-07-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：五味淳 , 中村貫人 , 北田亨 , 鈴木泰信 , 古川真司
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/3464 , C23C14/3492 , C23C14/541 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/3405

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