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1. 发明专利

JP6950315B2 成膜方法、ボロン膜、及び成膜装置有权
公开(公告)号：JP6950315B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2017138289
申请日：2017-07-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：上田博一 , 岡正浩 , 石川拓 , 渡部佳優 , 米澤周平
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/28 , C23C16/511 , H01L21/31

2. 发明专利

JP2020053455A 成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020053455A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018178476
申请日：2018-09-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：生田浩之 , 上田博一
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/318
摘要：【課題】成膜される膜に不均一が発生することを抑制すること。【解決手段】成膜方法は、基板に成膜する成膜方法であって、第1の工程と、第2の工程を有する。第1の工程は、基板が配置され、プラズマが生成された処理容器に対して成膜原料を含んだ成膜原料ガスの供給を開始する際に、成膜原料ガスを第1の流量設定値で流して、成膜原料ガスの流量を上昇させる。第2の工程は、第1の工程の後、第1の流量設定値よりも低い第2の流量設定値で成膜原料ガスを流して、成膜原料ガスの流量を安定させる。【選択図】図2C

3. 发明专利

JP2018110198A 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018110198A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017000730
申请日：2017-01-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：上田博一
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67201 , C23C16/4401 , C23C16/4405 , C23C16/45502 , C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67098 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67745 , H01L21/67763 , H01L21/68764
摘要：【課題】複数の真空処理モジュールにて付帯設備を共通化しつつ、各真空処理モジュールを用いて基板を処理するにあたって発生する制約を低減することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板に対する真空処理が行われるn台(nは4以上の整数)の真空処理モジュール4A、4Bと、付帯設備を構成する処理ガス供給設備81、真空排気設備83、電力供給設備82などの付帯設備群と、を備え、前記n台の真空処理モジュール4A、4Bについて、互いに組み合わせが異なる複数のグループからなる第1、第2のグループ集合にグループ分けし、これらのグループ集合毎に、各グループ内に含まれる真空処理モジュール4A、4Bに対して、付帯設備群から選択される付帯設備を共通化している。【選択図】図6

4. 发明专利

JP2021031706A 処理装置および成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021031706A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019150865
申请日：2019-08-21
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：和田真 , 松本貴士 , 杉浦正仁 , 井福亮太 , 上田博一
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/44 , H01L21/205 , C23C4/11 , H05H1/46 , C23C16/27
摘要：【課題】パーティクルの発生を低減できる処理装置および成膜方法を提供する。【解決手段】処理装置は、プラズマにより成膜を行う処理装置であって、処理容器と、載置台と、制御部とを有する。処理容器は、マイクロ波を放射するアンテナが配置される内壁にセラミックス溶射皮膜を有し、基板を収容する。載置台は、処理容器内で基板を載置する。制御部は、第1の圧力で、第1の炭素含有ガスのプラズマにて、セラミックス溶射皮膜の表面を第1のカーボン膜で被覆するプリコート工程と、第2の圧力で、第2の炭素含有ガスのプラズマにて、基板上に第2のカーボン膜を成膜する成膜工程とを実行する。【選択図】図6

5. 发明专利

JP2019186474A ボロン系膜の成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019186474A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018078543
申请日：2018-04-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：李金望 , 生田浩之 , 岡正浩 , 渡部佳優 , 山本勇生 , 上田博一
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/38 , H01L21/314
摘要：【課題】密着性が良好なボロン系膜を成膜することができるボロン系膜の成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】基板上にボロンを主体とするボロン系膜を形成するボロン系膜の成膜方法は、基板上に、基板表面に含有される元素と窒素とを含む密着層を形成する第1工程と、次いで、密着層の上にボロン系膜を成膜する第2工程とを有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018160656A 成膜方法、ボロン膜、及び成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018160656A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017138289
申请日：2017-07-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：上田博一 , 岡正浩 , 石川拓 , 渡部佳優 , 米澤周平
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/28 , C23C16/511 , H01L21/31
摘要：【課題】半導体装置に適用して有用なボロン膜及びその成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器2内が0.67Pa〜33.3Pa(5mTorr〜250mTorr)の範囲内の圧力となるように調整された処理雰囲気にボロン含有ガスを含む反応ガス(B 2 H 6 ガスとHeガス)を供給して反応ガスをプラズマ化させる。このプラズマにより、ウエハにボロン膜が成膜される。プラズマのエネルギーを利用して成膜することにより、成膜処理時の温度を低下することができ、熱的影響を抑えてボロン膜を成膜することができる。ボロン膜は、エッチング耐性が強く、高いエッチング選択比を備えているので、半導体装置材料として有用である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015213159A プラズマ処理装置および計測方法审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和测量方法
公开(公告)号：JP2015213159A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015075530
申请日：2015-04-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：小林勇気 , 上田博一 , 山下晃平 , ヴェンツェ.ピーター.エル.ジー
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23C14/48 , H01L21/265
摘要：【課題】プラズマを用いたドーピング処理において、ラジカルを含むドーパントのドーズ量を計測する。【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理チャンバを有する処理装置50と、ウォールプローブ30と、OES40と、制御装置20とを備える。処理チャンバは、内部に被処理基板が配置され、ドーパントとなる元素を含有するガスのプラズマにより被処理基板にドーパントを注入する。ウォールプローブ30は、処理チャンバ内に生成されたプラズマ中の荷電粒子の密度に応じた電圧変化を計測する。OES40は、処理装置50の処理チャンバ内に生成されたプラズマ中のドーパントの発光強度を計測する。制御装置20は、ウォールプローブ30による計測結果と、OES40による計測結果とに基づいて、被処理基板に注入されたドーパントのドーズ量を算出する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在使用等离子体的掺杂处理中测量含有自由基的掺杂剂的剂量。解决方案：等离子体处理装置10包括处理器50，处理器50包括处理室，壁探针30，OES 40和控制器20。在处理室中，设置待处理的基板，并且通过含有作为掺杂剂的元素的气体的等离子体将掺杂剂注入待处理的基板中。壁探针30根据在处理室内产生的等离子体中的带电粒子的密度来测量电压变化。 OES 40测量在处理器50的处理室内产生的等离子体中的掺杂剂的发射强度。控制器20基于由所述处理器50的测量结果计算注入到待处理衬底中的掺杂剂的剂量壁探针30和由OES 40测量的结果。

8. 发明专利

JP2021105199A 成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021105199A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2019236943
申请日：2019-12-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：和田真 , 松本貴士 , 冠木伸岳 , 井福亮太 , 杉浦正仁 , 上田博一
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/511 , C01B32/05 , C01B32/186 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/44
摘要：【課題】カーボン膜を成膜する際における残留酸素の影響およびカーボン膜成膜前における被処理基板表面への酸素の影響を抑制することができる成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】カーボン膜を成膜する成膜方法は、処理容器内に基板が存在していない状態で、酸素を含むプラズマにより処理容器内をクリーニングする工程と、その後、処理容器内に基板が存在していない状態で、プラズマにより処理容器内の酸素を引き出し除去する工程と、その後、処理容器内に基板を搬入し、炭素含有ガスを含む処理ガスを用いたプラズマCVDにより基板上にカーボン膜を成膜する工程とを有し、クリーニングする工程、酸素を引き出し除去する工程、および成膜する工程を繰り返し行う。【選択図】図6

9. 发明专利

JP2021064509A 処理方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021064509A
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：JP2019188105
申请日：2019-10-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 上田博一 , 鎌田英紀 , 芦田光利 , 軍司勲男
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , C23C16/44 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマ電子密度を維持しつつ、プラズマ電子温度を下げる。【解決手段】基板を処理する処理容器内においてプラズマを用いて行う処理方法であって、ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理容器内に複数のマイクロ波導入モジュールから出力されるマイクロ波のパワーを間欠的に供給する工程と、を有し、前記マイクロ波のパワーを間欠的に供給する工程は、周期的に、複数の前記マイクロ波導入モジュールの全てのマイクロ波のパワーの供給を所与の時間オフの状態にする、処理方法が提供される。【選択図】図8

10. 发明专利

JP2018206976A ボロン膜の除去方法およびボロン膜によるパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018206976A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017111209
申请日：2017-06-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：渡部佳優 , 岡正浩 , 上田博一
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/01 , C23C16/28 , C23C16/56 , H01L21/306
摘要：【課題】ボロン膜を容易に除去することができ、かつ微細部分を局所的に選択除去が可能なボロン膜の除去方法、および、ボロン膜による微細パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】CVDにより基板上に形成されたボロン膜を、全部または部分的に酸化雰囲気で熱処理し、熱処理した部分を酸化させる工程と、ボロン膜の酸化された部分を水または電解質イオンを含む水溶液により除去する工程とを有する。【選択図】図1

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