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1. 发明专利

JP2018202458A レーザ加工方法およびレーザ加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018202458A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017111558
申请日：2017-06-06
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 佐橋敬一 , 金澤昌廣
IPC分类号： B23K26/073 , B23K26/062 , B23K26/36
摘要：【課題】薄膜が形成された加工対象物の表面にレーザビームを照射して当該薄膜を除去加工する際に、加工深さを均一にでき、レーザビームのオーバーラップによる下層材料へのダメージや、成膜残りの発生を防ぐことができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供する。【解決手段】薄膜Fが形成された加工対象物Wの表面にレーザビームLBを照射して当該薄膜を除去加工する際、レーザビームは、薄膜の除去加工に足りるエネルギー量に設定されたメインビーム部MBと、当該メインビームに並んで配置されて当該メインビームよりも低いエネルギー量に設定されたサブビーム部SBとし、レーザビームを相対移動させながら、先に照射されるサブビーム部SB1と、後から照射されるサブビーム部SB2とをオーバーラップさせ、メインビーム部の積算エネルギー量とオーバーラップしたサブビーム部の積算エネルギー量とを所定範囲内に設定する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2016172259A 描画装置审中-公开
标题翻译：绘图设备
公开(公告)号：JP2016172259A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052188
申请日：2015-03-16
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：中谷友哉 , 森英治 , 田尾正則
IPC分类号： B23K26/03 , B23K26/08 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/03 , B23K26/08
摘要：【課題】簡易な構成で加工精度の向上と作業時間の短縮を同時に実現可能な描画装置を提供する。【解決手段】描画パターンを記憶する記憶部3と、描画対象物であるガラス基板100を保持する保持部5と、保持部5上のガラス基板100の位置および角度を検出する位置角度検出部7と、位置角度検出部7が検出したガラス基板100の位置および角度を基に、描画パターンを修正した修正描画パターンを生成する加工ヘッドコントローラ9と、修正描画パターンを描画する描画部としてのレーザ描画部11を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过简单的结构实现同时改善工艺容限和缩短工作时间的绘图装置。解决方案：一种绘图装置包括：用于存储绘图图案的存储部分3，用于保持作为绘制对象的玻璃基板100，用于检测保持部5上的玻璃基板100的位置和角度的位置角度检测部7，用于生成校正后的图案的处理头控制器9，基于由位置角检测部7检测到的玻璃基板100的位置和角度的绘图图案，以及作为用于绘制校正后的图案的绘图部的激光拉伸部11。图1

3. 发明专利

JP2021129033A チップ転写装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021129033A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020023044
申请日：2020-02-14
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 岡田正剛 , 松井祐樹
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/52
摘要：【課題】ドナー基板がたわんだ状態で支え保持されていても、所望の位置精度でチップ転写を行うことができるチップ転写装置を提供すること。【解決手段】ドナー基板の表面に配置された転写対象チップにレーザビームを照射して、当該転写対象チップをターゲット基板の表面に設定された転写ターゲット部位に転写させるチップ転写装置において、ターゲット基板保持部と、ドナー基板保持部と、たわみ量測定部と、レーザ照射部と、相対移動部と、制御部とを備え、相対移動部は、ターゲット基板とドナー基板との隙間距離を変更するギャップ変更部を備え、制御部は、ドナー基板越しに転写対象チップに向けてレーザビームを逐次照射する際、たわみ量測定部で測定したドナー基板のたわみ量に基づいて、ギャップ変更部を制御する。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2020203313A レーザ加工装置および方法、チップ転写装置および方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020203313A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2020011353
申请日：2020-01-28
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 星野真一 , 岡田正剛 , 常吉豪
IPC分类号： B23K26/57 , H01L21/52 , B23K26/36
摘要：【課題】ワーク上に縦横所定ピッチでマトリクス状に配列された複数チップのうち、加工対象チップが多数斑らに分布していても、迅速に加工できるレーザ加工装置を提供すること。【解決手段】レーザ発振器と、相対移動部と、ワークに対して1ショットのビーム照射で加工できるビーム照射範囲を変更するビームサイズ変更部と、ワーク上に分布した加工対象チップの分布情報を取得する加工チップ分布情報取得部と、加工対象チップの分布情報に基づいて、加工対象のワーク毎に加工パターンを生成する加工パターン生成部と、加工パターンに基づいて、ワーク上に分布した複数の加工対象チップを逐次加工する加工制御部とを備え、加工パターン生成部は、隣接する複数の加工対象チップに対して、1ショットでまとめ加工できるエリアを探索する一括加工エリア探索部を備えたことを特徴とする、レーザ加工装置である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2020163414A レーザ加工装置、レーザ加工システムおよびレーザ加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020163414A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019065279
申请日：2019-03-29
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：佐橋敬一 , 森英治
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/067
摘要：【課題】エネルギーの利用効率が高く、タクトタイムの短縮化と加工位置の高精度化とを両立させることができる、レーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供すること。【解決手段】加工エリア内に複数の加工対象部位が設定されたワークにレーザビームを集光させたビームスポットを照射して、当該加工対象部位を加工するレーザ加工装置およびレーザ加工方法において、レーザビームを出射するレーザ発振器と、レーザビームを通過させる領域の空間光位相分布を変調させるホログラムパターンを表示させて、所定のビームスポットを生成させる位相変調器と、位相変調器を通過させたレーザビームを集光させる集光レンズとを用い、複数のビームスポットが複数の加工対象部位と合致するように、位相変調器にホログラムパターンを表示させ、当該複数のビームスポットを同時にワークに照射させて、当該複数の加工対象部位を加工する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018118293A レーザ加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018118293A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017012929
申请日：2017-01-27
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：佐橋敬一 , 森英治 , 北村慎章
IPC分类号： B23K26/073 , B23K26/066
摘要：【課題】本来加工すべきで無い部分に対して少なからず加工の影響を及ぼす要因となるサテライトの照射を防止するレーザ加工装置を提供すること。【解決手段】レーザビームを加工対象となるワークに向けて照射し、当該レーザビームのエネルギー吸収によって当該ワークに加工をおこなうレーザ加工装置1において、エネルギー分布がガウシアン分布のレーザビームを照射するレーザ照射部2と、レーザビームのエネルギー分布をガウシアン分布からトップハット分布に変更するホモジナイザー3とを備え、ホモジナイザーを通過または反射したレーザビームを集光させる集光レンズ部4と、集光レンズにより集光されたレーザビームのビームウエスト位置の近傍に配置され、当該集光されたレーザビームを通過させつつサテライト成分を遮光するマスク部5とを備える。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2020116599A レーザ加工装置およびレーザ加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020116599A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019008730
申请日：2019-01-22
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：佐橋敬一 , 森英治 , 北村慎章
IPC分类号： B23K26/064
摘要：【課題】加工速度を速くしたり変えたりしても、加工不良の部位の発生を防止または低減させることができる、レーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供すること。【解決手段】薄膜が形成されたワークにレーザビームを集光させたビームスポットを照射して、当該薄膜を加工するレーザ加工装置およびレーザ加工方法において、レーザビームを出射するレーザ発振器と、レーザビームを通過させる領域の空間光位相分布を変調させるホログラムパターンを表示させて、所定のビームスポットを生成させる位相変調器と、位相変調器を通過させたレーザビームを集光させる集光レンズとを用い、ワークの厚み方向に焦点位置の異なる複数のビームスポットを連続的に配置させたビームスポット群を、薄膜の表面位置を含むように照射して当該薄膜を加工する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017070989A マーキング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017070989A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2015200742
申请日：2015-10-09
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 佐橋敬一 , 北村慎章 , 梅田英知
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/064
摘要：【課題】単純構成で高速かつ微細に描画が実現可能なマーキング装置を提供する。【解決手段】マーキング装置1は、第1のドット径303および第1のドット径303よりもドット径の小さい第2のドット径304でフィルム100にマーキングを行うレーザ加工部3と、レーザ加工部3のドット径を変更するアクチュエータ71と、全体描画パターン113の一部を構成するパターンであり、第1のドット径303で描画する第1描画パターン115および全体描画パターン113の一部を構成するパターンであり、第2のドット径304で描画する第2描画パターン117を登録する、部分描画パターン登録部としての装置PC7を有する。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2021118284A チップ転写装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021118284A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020011371
申请日：2020-01-28
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 岡田正剛 , 梅田英知
IPC分类号： B23K26/57 , H01L21/52
摘要：【課題】チップ転写に要する時間の短縮を図ることができるチップ転写装置を提供すること。【解決手段】ドナー基板の表面に配置された転写対象チップにレーザビームを照射して、当該転写対象チップをターゲット基板の表面に設定された転写ターゲット部位に転写させるチップ転写装置において、ターゲット基板保持部と、ドナー基板保持部と、レーザ照射部と、相対移動部と、転写チップ分布情報取得部と、転写加工パターン情報生成部と、制御部とを備え、転写加工パターン情報生成部は、スキャン加工パターン生成モードと、ステップ加工パターン生成モードとを有し、ドナー基板の表面に配置された転写対象チップの残数又は割合に基づいて、スキャン加工パターン生成モードおよびステップ加工パターン生成モードのいずれかを選択して、転写加工パターン情報を生成する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021082769A チップ分離装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021082769A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019211019
申请日：2019-11-22
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：森英治 , 岡田正剛 , 松井祐樹
IPC分类号： B23K26/57 , B23K26/03 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/301 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要：【課題】光透過性を有する基板全面に亘ってデバイスチップが多数配置されていても、当該デバイスチップにダメージが生じさせずに、所定範囲内でエネルギー分布を均一化させたレーザビームを照射して、デバイスチップと基板を分離させるチップ分離装置を提供すること。【解決手段】光透過性を有する基板の表面に積層形成された窒化物半導体を含むデバイスチップと当該基板を分離させるチップ分離装置において、基板保持部と、レーザ照射部と、ビームサイズ変更部と、相対移動部と、加工パターン情報登録部と、加工制御部とを備え、加工パターン情報として、1ショットのビーム照射で加工できるレーザビームの照射範囲が、デバイスチップのダイシングラインで囲まれた範囲と一致するように設定されている。【選択図】図1

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