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1. 发明专利

JP6028461B2 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6028461B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2012185740
申请日：2012-08-24
申请人：日立化成株式会社
发明人：尾崎義信 , 畠山恵一 , 平理子 , 丹治美香 , 宮原正信
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562

2. 发明专利

JP6094031B2 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6094031B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2012000756
申请日：2012-01-05
申请人：日立化成株式会社
发明人：宮原正信 , 畠山恵一 , 尾崎義信 , 中村祐樹 , 片山陽二
IPC分类号： H01L21/301 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C09J4/00 , C09J4/02 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J177/06 , C09J179/08 , H01L21/52
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L24/73 , H01L2924/15311

3. 发明专利

JP2016143671A 半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016143671A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015015666
申请日：2015-01-29
申请人：日立化成株式会社
发明人：頼華子 , 峯岸知典 , 畠山恵一 , 満倉一行 , 税所亮太
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/301
摘要：【課題】半導体チップ上の接着剤層の剥離を抑制し、積層された半導体ウェハもしくは半導体チップの外周部における接着剤層のはみ出しを抑制することで、高い接続信頼性を実現できる半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。【解決手段】電極4を有する半導体ウェハ1の、電極4を有する面に接着剤層5を形成する接着剤層形成工程(S2)と、接着剤層5における、電極4上の第一領域8と、スクライブライン10上の領域の少なくとも一部を含む第二領域9と、を除去する接着剤層除去工程(S3)と、接着剤層が形成された半導体ウェハ1の、接着剤層5側の面に粘着テープ13を貼付する粘着テープ貼付工程(S4)と、半導体ウェハ1をスクライブライン10に沿って切断して、半導体チップ14を得る個片化工程(S6)と、半導体チップ14を粘着テープ13から剥離する剥離工程(S7)と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制半导体芯片上的粘合剂层的剥离和粘合层从层叠半导体晶片或半导体芯片的外周突出而能够实现高连接可靠性的方法半导体器件的制造方法包括：在包括电极4的半导体晶片1的表面上形成粘合剂层5的粘合剂层形成步骤（S2）; 去除电极4上的第一区域8的粘合剂层去除步骤（S3）和在粘合剂层5中包括划线10上的至少一部分区域的第二区域9; 将粘合带13粘附在其上形成有粘合剂层的半导体晶片1的粘合剂层5侧的表面上的粘合带粘贴步骤（S4）通过沿着划线10切割半导体晶片1来获得半导体芯片14的分割步骤（S6）; 以及从粘合带13剥离半导体芯片14的剥离步骤（S7）。图示：图1

4. 发明专利

JP5962759B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5962759B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2014522658
申请日：2013-06-26
申请人：日立化成株式会社
发明人：川守崇司 , 牧野竜也 , 祖父江省吾 , 畠山恵一 , 松崎隆行
IPC分类号： C09J133/04 , C09J167/08 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J179/08 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2924/0002

5. 发明专利

JP6085928B2 半導体素子の製造方法、接着剤層付き半導体素子、及び半導体装置有权
标题翻译：一种制造半导体器件中，粘合剂层的半导体元件的方法，和半导体器件
公开(公告)号：JP6085928B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2012209498
申请日：2012-09-24
申请人：日立化成株式会社
发明人：満倉一行 , 祖父江省吾 , 畠山恵一 , 尾崎義信 , 中村祐樹
IPC分类号： H01L21/683 , C09J201/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247

6. 发明专利

JP6017398B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6017398B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2013217087
申请日：2013-10-18
申请人：日立化成株式会社
发明人：榎本哲也 , 本田一尊 , 永井朗 , 畠山恵一
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191

7. 发明专利

JP5805925B2 ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置有权
标题翻译：模片粘合膜和使用其的半导体装置
公开(公告)号：JP5805925B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2009230511
申请日：2009-10-02
申请人：日立化成株式会社
发明人：畠山恵一 , 尾崎義信 , 山下幸彦 , 山下剛
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311

8. 发明专利

JP6028460B2 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6028460B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2012185739
申请日：2012-08-24
申请人：日立化成株式会社
发明人：平理子 , 畠山恵一 , 尾崎義信 , 丹治美香 , 宮原正信
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562

9. 发明专利

JP5807341B2 ダイシングテープ一体型接着シート有权
公开(公告)号：JP5807341B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2011033421
申请日：2011-02-18
申请人：日立化成株式会社
发明人：畠山恵一 , 尾崎義信 , 丹治美香 , 片山陽二 , 中村祐樹 , 宮原正信 , 菊地庄吾 , 池谷卓二
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/10253

10. 发明专利

JP5755396B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5755396B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2008210906
申请日：2008-08-19
申请人：日立化成株式会社
发明人：榎本哲也 , 本田一尊 , 永井朗 , 畠山恵一
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301 , H01L23/12 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2924/0002

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