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1. 发明专利

JP4966526B2 Flow sensor 有权
公开(公告)号：JP4966526B2
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：JP2005259902
申请日：2005-09-07
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間 , 直樹山本 , 健一武田 , 宏福田
IPC分类号： G01F1/692 , G01F1/69
CPC分类号： G01F1/6845 , G01F1/699 , G01P5/10

2. 发明专利

JP5108158B2 Flow sensor 有权
公开(公告)号：JP5108158B2
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：JP2012028940
申请日：2012-02-13
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間 , 直樹山本 , 健一武田 , 宏福田
IPC分类号： G01F1/692

3. 发明专利

JPWO2016084664A1 熱式流量センサ有权
公开(公告)号：JPWO2016084664A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2016561518
申请日：2015-11-18
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：良介土井 , 良介土井 , 忍田代 , 忍田代 , 保夫小野瀬 , 保夫小野瀬 , 佐久間　憲之 , 憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692
CPC分类号： G01F1/692
摘要：従来の空気流量計においては、粒径が大きな異物については慣性力を利用して、検出素子接触を対策しているが、粒径が10um以下の質量が非常に小さな異物については、バイパス構造内部で慣性力がほとんど働かず検出素子に付着する可能性がある。また上記粒径が10um以下の質量が非常に小さな異物は主に、アメリカSAE 規格J726Cで定められているACダストなどが挙げられ、米国アリゾナの砂漠の砂を精製して製造されており、この砂(砂塵)は帯電しやすいことが分かっており、一度静電気を帯びた粒径の小さなダストは、検出素子に一度付着すると、そのクーロン力により脱離しにくくなるという課題がある。上記課題は、流量を検知する半導体素子を備えており、その半導体素子はシリコンなどの半導体基板上に絶縁層と抵抗配線層が形成されており、前記基板の一部を除去して薄膜化された領域(ダイアフラム)があり、そのダイアフラム領域内に少なくとも一つ以上の加熱抵抗体(ヒータ)が設けられ、その上流と下流に温度差を検出するための測温抵抗体が配置されており、前記ダイアフラム内の配線抵抗周辺領域における空気流に晒される表面側の電位が、任意の一定電位となるように導電性膜が半導体素子に形成されていることを特徴とする熱式流量センサで解決することができる。

4. 发明专利

JP5276964B2 Thermal fluid flow sensor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5276964B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2008312359
申请日：2008-12-08
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , G01F1/6845 , G01F1/692 , G01F1/699 , G01F5/00 , Y10T29/49083
摘要： A thermal fluid flow sensor having a diaphragm structure body configured by an insulating film formed by stacking a film having compressive stress and a film having tensile stress on the top and bottom of a temperature-measuring resistive element and a heater resistive element which are processed by microprocessing is provided. The insulating film at a lower layer of the heater resistive element, a temperature-measuring resistive element for heater resistive element, upstream temperature-measuring resistive elements, and downstream temperature-measuring resistive elements, has films having compressive stress (a first insulating film, a third insulating film, and a fifth insulating film) and films having tensile stress (a second insulating film and a fourth insulating film) being alternately arranged, and two layers or more of the films having tensile stress are arranged.

5. 发明专利

JPWO2013080239A1 熱式空気流量センサ有权
标题翻译：热式空气流量传感器
公开(公告)号：JPWO2013080239A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013546826
申请日：2011-11-28
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：石塚　典男 , 典男石塚 , 半沢　恵二 , 恵二半沢 , 保夫小野瀬 , 保夫小野瀬 , 佐久間　憲之 , 憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692
CPC分类号： G01F1/69 , G01F1/692
摘要：計測誤差を低減した熱式空気流量センサを提供すること。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、前記半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体の上層に前記電気絶縁体として形成されたシリコンナイトライド膜を備えた熱式空気流量センサにおいて、前記シリコンナイトライド膜は、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体パターンに対応した段差が形成され、さらに、前記シリコンナイトライド膜を多層構造とした。
摘要翻译：提供具有减少的测量误差的热式空气流量传感器。一种半导体衬底，并且形成在半导体衬底，一个加热电阻器，电阻温度检测器，和电绝缘体包括氧化硅膜，通过除去所述半导体基板的一部分形成的隔膜部上，已形成在隔膜部的发热电阻器和测温电阻体，其包括加热电阻器和形成为RTD的电绝缘体层的氮化硅膜在热式空气流量传感器，氮化硅膜，加热电阻器和对应于所述电阻式温度检测器图案的步骤中形成，进一步，以氮化硅膜和多层结构。

6. 发明专利

JP5526065B2 Thermal sensor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5526065B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2011066964
申请日：2011-03-25
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692 , G01N25/18 , G01N25/64 , G01N27/18 , G01P5/12
CPC分类号： H01L35/34 , G01F1/6845 , G01F1/692 , H01L2224/48091 , Y10T29/49082 , Y10T29/49124 , H01L2924/00014

7. 发明专利

JP5406674B2 Thermal fluid flow sensor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5406674B2
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：JP2009254621
申请日：2009-11-06
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692 , G01N27/18
CPC分类号： G01F1/6845 , G01F1/6842 , G01F1/692 , G01F1/6965 , G01F15/043 , Y10T29/49002

8. 发明专利

JP5202007B2 Thermal fluid flow sensor 有权
公开(公告)号：JP5202007B2
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：JP2008017015
申请日：2008-01-29
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間
IPC分类号： G01F1/692 , G01C19/00
CPC分类号： G01F1/6845 , G01F1/688

9. 发明专利

JP5184592B2 Flow sensor 有权
公开(公告)号：JP5184592B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2010176277
申请日：2010-08-05
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：憲之佐久間 , 直樹山本 , 健一武田 , 宏福田
IPC分类号： G01F1/692

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