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1. 发明专利

JPWO2013058364A1 高分子薄膜構造体及び有機膜の深さ方向の分析方法有权
标题翻译：用于分析的聚合物膜结构的深度方向和有机膜的方法
公开(公告)号：JPWO2013058364A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013539703
申请日：2012-10-19
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：美那松尾 , 美那松尾 , 雄貴野原 , 雄貴野原
IPC分类号： G01N27/64 , G01N27/62
CPC分类号： H01J49/142
摘要： 2種以上の高分子化合物が含まれる高分子薄膜構造体において、そのうち少なくとも1種を安定同位体で標識し、安定同位体を用いて標識した高分子化合物を含む構造体をその深さ方向に沿ってスパッタイオンによってスパッタリングする工程と、飛行時間型二次イオン質量分析法によって該安定同位体を含む二次イオンの質量スペクトルを取得する工程とを繰り返すことで、該安定同位体を含むフラグメントのデプスプロファイルを得る高分子薄膜構造体の深さ方向の分析方法、及び有機膜の表面に導電性カーボンコーティング層を形成し、カーボンコーティングされた上記有機膜をその深さ方向に沿ってスパッタイオンによってスパッタリングする工程と、飛行時間型二次イオン質量分析法によって上記有機膜中の分析対象物質の二次イオン質量スペクトルを取得する工程とを繰り返すことで、上記分析対象物質のデプスプロファイルを得る有機膜の深さ方向の分析方法を提供する。
摘要翻译：在该聚合物膜结构，其中包含两个或更多个聚合物化合物，其中标记有至少一个，包含用稳定同位素标记的该深度方向上的聚合物化合物的结构的稳定同位素通过重复获取包含稳定同位素二次离子的质谱的步骤沿着溅射所述溅射离子，按时间飞行二次离子质谱法的步骤中，包含稳定同位素的片段所述聚合物膜结构以获得深度分布，和有机膜表面的深度分析法来形成导电性碳涂层，通过溅射离子沿所述有机膜是在其深度方向的碳涂层溅射在有机膜的二次离子的步骤，通过分析物的时间飞行二次离子质谱分析通过重复获取质谱的步骤中，提供了分析该有机层的深度方向上，以获得分析物的深度分布的方法。

2. 发明专利

JP5574126B2 Different element bond formation method 有权
公开(公告)号：JP5574126B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2011547618
申请日：2010-12-23
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：均古性 , 雄貴野原 , 久幸渡邊 , 裕一後藤
IPC分类号： H01L21/265 , C01B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324
CPC分类号： C08J3/28 , B01J19/081 , B01J19/087 , C08J2383/16 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/182 , H01L31/20 , H05H2245/123 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The present invention provides a doping technique that forms a stable amorphous silicon film and a stable polycrystalline silicon film at a low temperature and simultaneously that imparts conductivity in an atmospheric pressure environment. A method for producing a compound containing a bond between different elements belonging to Group 4 to Group 15 of the periodic table, the method included: applying, at a low frequency and atmospheric pressure, high voltage to an inside of an electric discharge tube obtained by attaching high-voltage electrodes to a metal tube or an insulator tube or between flat plate electrodes while passing an introduction gas, so as to convert molecules present in the electric discharge tube or between the flat plate electrodes into a plasma; and applying the plasma to substances to be irradiated, the substances to be irradiated being two or more elementary substances or compounds.

3. 发明专利

JPWO2011078299A1 異種元素結合形成法有权
公开(公告)号：JPWO2011078299A1
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2011547618
申请日：2010-12-23
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：古性　均 , 均古性 , 雄貴野原 , 雄貴野原 , 渡邊　久幸 , 久幸渡邊 , 裕一後藤 , 裕一後藤
IPC分类号： H01L21/265 , C01B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H05H1/24
CPC分类号： C08J3/28 , B01J19/081 , B01J19/087 , C08J2383/16 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/182 , H01L31/20 , H05H2245/123 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：【課題】低温で、安定なアモルファスシリコン膜及び多結晶シリコン膜を形成すると同時に大気圧環境下における導電性を付与するドーピング技術を提供する。【解決手段】大気圧下において金属管又は絶縁体管に高電圧電極を取り付けた放電管内又は平板電極間に導入ガスを流しながら低周波数で高電圧を印加させることにより放電管内又は平板電極間に存在する分子をプラズマ化させ、そのプラズマを2種以上の元素単体又は化合物に照射することを特徴とする周期律表の第4族元素乃至第15族元素間の異種元素結合を含む化合物の製造方法。上記異種元素結合を含む化合物が、周期律表の第13族元素乃至第15族元素間の異種元素結合を含む化合物である。上記プラズマ又はプラズマにより励起された周囲ガスのラジカルを照射すると共に、更に紫外線を照射する製造方法。【選択図】図2

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