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1. 发明专利

JP5574126B2 Different element bond formation method 有权
公开(公告)号：JP5574126B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2011547618
申请日：2010-12-23
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：均古性 , 雄貴野原 , 久幸渡邊 , 裕一後藤
IPC分类号： H01L21/265 , C01B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324
CPC分类号： C08J3/28 , B01J19/081 , B01J19/087 , C08J2383/16 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/182 , H01L31/20 , H05H2245/123 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The present invention provides a doping technique that forms a stable amorphous silicon film and a stable polycrystalline silicon film at a low temperature and simultaneously that imparts conductivity in an atmospheric pressure environment. A method for producing a compound containing a bond between different elements belonging to Group 4 to Group 15 of the periodic table, the method included: applying, at a low frequency and atmospheric pressure, high voltage to an inside of an electric discharge tube obtained by attaching high-voltage electrodes to a metal tube or an insulator tube or between flat plate electrodes while passing an introduction gas, so as to convert molecules present in the electric discharge tube or between the flat plate electrodes into a plasma; and applying the plasma to substances to be irradiated, the substances to be irradiated being two or more elementary substances or compounds.

3. 发明专利

JPWO2011078299A1 異種元素結合形成法有权
公开(公告)号：JPWO2011078299A1
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2011547618
申请日：2010-12-23
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：古性　均 , 均古性 , 雄貴野原 , 雄貴野原 , 渡邊　久幸 , 久幸渡邊 , 裕一後藤 , 裕一後藤
IPC分类号： H01L21/265 , C01B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H05H1/24
CPC分类号： C08J3/28 , B01J19/081 , B01J19/087 , C08J2383/16 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/182 , H01L31/20 , H05H2245/123 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：【課題】低温で、安定なアモルファスシリコン膜及び多結晶シリコン膜を形成すると同時に大気圧環境下における導電性を付与するドーピング技術を提供する。【解決手段】大気圧下において金属管又は絶縁体管に高電圧電極を取り付けた放電管内又は平板電極間に導入ガスを流しながら低周波数で高電圧を印加させることにより放電管内又は平板電極間に存在する分子をプラズマ化させ、そのプラズマを2種以上の元素単体又は化合物に照射することを特徴とする周期律表の第4族元素乃至第15族元素間の異種元素結合を含む化合物の製造方法。上記異種元素結合を含む化合物が、周期律表の第13族元素乃至第15族元素間の異種元素結合を含む化合物である。上記プラズマ又はプラズマにより励起された周囲ガスのラジカルを照射すると共に、更に紫外線を照射する製造方法。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2011199045A Solar cell, solar cell module using the same, and method for manufacturing the solar cell 有权
标题翻译：太阳能电池，使用其的太阳能电池模块及制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2011199045A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010064800
申请日：2010-03-19
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： TSUGE TEIJI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/048 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , H02S30/10 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell having excellent mass productivity achieved by controlling a groove depth loosely when a translucent insulating layer is removed after the translucent insulating layer is formed on the entire surface of a transparent conductive film.SOLUTION: The solar cell includes: an n-type amorphous silicon layer 11 formed on the surface side of an n-type single crystal silicon substrate 10; a surface-side transparent conductive film 12 formed on the n-type amorphous silicon layer 11; a p-type amorphous silicon layer 13 formed on the backside of the substrate 10; and a backside transparent conductive film 14 formed on the p-type amorphous silicon layer 13. In the solar cell, a back collector electrode 4 formed by printing is provided on the backside transparent conductive film 14 while a surface-side collector electrode 30 formed by plating is provided on the surface-side transparent conductive film 12.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过在透明导电膜的整个表面上形成半透明绝缘层之后去除半透明绝缘层时松动地控制沟槽深度而获得优异的质量生产率的太阳能电池。解决方案：太阳能电池包括：形成在n型单晶硅衬底10的表面侧的n型非晶硅层11; 形成在n型非晶硅层11上的表面侧透明导电膜12; 形成在基板10的背面的p型非晶硅层13; 以及形成在p型非晶硅层13上的背面透明导电膜14.在太阳能电池中，通过印刷形成的背面集电极电极4设置在背面透明导电膜14上，而表面侧集电极30由在表面侧透明导电膜12上设置电镀。

5. 发明专利

JPS61500087A JPS61500087A - 失效
公开(公告)号：JPS61500087A
公开(公告)日：1986-01-16
申请号：JP50309683
申请日：1983-08-29
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/032 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/032 , Y02E10/50

6. 发明专利

JPS5743478A Semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JPS5743478A
公开(公告)日：1982-03-11
申请号：JP6452781
申请日：1981-04-27
申请人： Shunpei Yamazaki
发明人： YAMAZAKI SHIYUNPEI
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/20 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE:To enhance the ionization rate of an amorphous semiconductor containing III-valency or V-valency impurity by adding 0.01-5mol% of unpaired bond neutralizing hydrogen or halogen element therto. CONSTITUTION:Relatively large quantity of hydrogen or halogenide is added to a non-single crystalline semiconductor having polycrystalline configuration of short range order of 20-100Angstrom or middle range orfer of 100Angstrom -10mum in crystalline grain size in the region where many unpaired bonding hands of the outer periphery or its vicinity of the crystalline grain boundary or lump exist, thereby neutralizing the unpaired bonding hands. A hydrogen bond is formed by the halogenide, thereby contributing to an electric conduction. Thus, an element or impurity element forming non-single crystalline semiconductor is activated by the induction energy at the position isolated from the surface to be covered of the semiconductor, and is flown as a lumped cluster.
摘要翻译：目的：通过加入0.01-5mol％未配对键中和氢或卤素元素，提高含有III价或V价杂质的非晶半导体的电离速率。构成：在具有多晶构造的非单晶半导体中，相对较大数量的氢或卤化物，其具有晶粒尺寸为20-100A或更小的等于或大于等于或大于等于100A〜存在结晶晶界或块的外周或其附近，从而中和未配对的结合手。由卤化物形成氢键，从而有助于导电。因此，形成非单晶半导体的元件或杂质元素由与被覆盖半导体的表面分离的位置处的感应能激发，并且作为集总簇流动。

7. 发明专利

KR102232038B1 KR102232038B1 - Selenium photomultiplier and its manufacturing method 有权
公开(公告)号：KR102232038B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020187022787A
申请日：2017-01-09
申请人： 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕
发明人： 아미르후세인 골단 , 웨이 자오
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0376 , H01L31/054
CPC分类号： H01L31/0272 , H01L31/107 , G01T1/24 , H01L31/0376 , H01L31/054 , H01L31/085 , H01L31/10 , H01L31/20 , Y02E10/52
摘要： 필드 형상 멀티-웰 포토멀티플라이어 및 이의 제조방법이 제공된다. 포토멀티플라이어는 하부 절연체, a-Se 광전도층 및 상부 절연체를 포함하는 필드-형상 멀티-웰 애벌란시 검출기(field-shaping multi-well avalanche detector)를 포함한다. a-Se 광전도층은 하부 절연체와 상부 절연체 사이에 위치한다. 포토멀티플라이어의 길이를 따라 빛 상호작용 영역, 애벌란시 영역, 및 수집영역이 제공되고, 빛 상호작용 영역 및 수집영역은 애벌란시 영역의 반대편 상에 위치한다.

8. 发明专利

JP2016506620A ＭＯＴＦＥＴを有するピクセル化されたイメージャおよびその製造方法有权
标题翻译：像素化成像器以及它们的MOTFET制造方法
公开(公告)号：JP2016506620A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：JP2015547452
申请日：2013-12-09
申请人：シーブライト・インコーポレイテッドCbrite Inc. , シーブライト・インコーポレイテッドCbrite Inc.
发明人：シェ，チャンロン , ユ，ガン
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/20 , H01L27/1225 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , Y02E10/50
摘要：【課題】金属酸化物半導体(MOS)材料の層を活性層に含むピクセル化されたイメージャ(イメージセンサ)を提供する。【解決手段】底面電極層12と、底面電極層12に堆積され、分離溝22によって検出素子のアレイに分離されている検出素子ブランケット層14、16、18とを備える基板10と、分離溝22の上側にあってTFTを定めているゲート電極30aと、ゲート電極30a上の誘電層32および検出素子ブランケット層の露出した上面24上に配置される金属酸化物半導体層40と、ゲート電極30aを囲む領域のゲート電極30aの両側に分けられたソース/ドレイン金属の層とを有し、前記ソース/ドレイン電極のいずれか1つを形成する金属は、金属酸化物半導体材料40と電気的に接触しており、それによってアレイの各検出素子が前記金属酸化物半導体材料40を通してTFTに電気的に接続している、構造。【選択図】図8
摘要翻译：提供一种金属氧化物半导体（MOS）像素化包括有源层成像器（图像传感器）材料的层。和底部电极层12，沉积在底部电极层12上，一个基板10和一个检测元件毯层被检测器元件的阵列中的通过分离装置分离14，16和18槽22，隔离沟槽22 的限定TFT的栅极电极30A是在上，一个金属氧化物半导体层40设置在上表面的暴露的介电层32的24和在栅电极30a上的检测元件毯层，栅电极30a中和那些在上围绕金属的区域中的栅电极30a的两侧分离，以形成源极/漏极电极的一个源极/漏极金属层与所述金属氧化物半导体材料40的电接触并由此被所述阵列的每个检测器元件电连接到通过金属氧化物半导体材料40中，结构的TFT。点域8

9. 发明专利

JP5774204B2 光起電力素子およびその製造方法、太陽電池モジュール有权
标题翻译：光电装置及其制造方法，太阳能电池模块
公开(公告)号：JP5774204B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2014507001
申请日：2012-03-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松浦努 , 山林弘也 , 時岡秀忠
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521

10. 发明专利

JPWO2012132995A1 光電変換素子の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012132995A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013507402
申请日：2012-03-19
申请人：三洋電機株式会社
发明人：大樹橋口 , 大樹橋口 , 豊桐畑 , 豊桐畑
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/20 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： n型単結晶シリコン基板18の受光面上にi型非晶質シリコン層16及びn型非晶質シリコン層14を形成する第1工程と、n型単結晶シリコン基板18の裏面上にi型非晶質シリコン層22a及びn型非晶質シリコン層23aを形成する第2工程と、第1工程と第2工程を終えた後に、n型非晶質シリコン層14及びn型非晶質シリコン層23a上に保護層を形成する第3工程と、を備える。

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