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1. 发明专利

JPWO2007142239A1 半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2007142239A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：JP2008520592
申请日：2007-06-05
申请人：日本電気株式会社 , Necエレクトロニクス株式会社
发明人：和也上嶋 , 和也上嶋 , 中村　英達 , 英達中村 , 明仁榊谷 , 明仁榊谷 , 渡辺　英一郎 , 英一郎渡辺
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/092
CPC分类号： H01L29/7843 , H01L21/76232 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/45 , H01L29/6653 , H01L29/66636
摘要： MISFETを有する半導体装置であって、MISFETのソース/ドレイン8上部の少なくとも一部を覆うとともにゲート電極4の高さより膜厚が薄いシリコン窒化膜12と、シリコン窒化膜12の上に配されたシリコン窒化膜10と、を有する。ソース/ドレイン8は、シリコン窒化膜10との界面にニッケルシリサイド9を有する。シリコン窒化膜10は、応力を有する応力具有膜である。シリコン窒化膜12とソース/ドレイン8表面との密着性と、シリコン窒化膜12とシリコン窒化膜10との密着性は、シリコン窒化膜10とソース/ドレイン8を密着した場合の密着性よりも高くなるように構成されている。

2. 发明专利

JPWO2008156182A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008156182A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009520571
申请日：2008-06-16
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋 , 和也上嶋 , 公一八高 , 公一八高 , 正巳羽根 , 正巳羽根
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834
摘要：シリコン基板の上部領域でゲート電極の側壁より外側に形成された深いソース・ドレイン領域と、シリコン基板の上部領域で深いソース・ドレイン領域より浅く、深いソース・ドレイン領域からゲート電極の下部のチャネル領域に向かって延びたソース・ドレイン拡張領域と、深いソース・ドレイン領域の上部のうち、チャネル側の先端から内側に向かって延びた深いソース・ドレイン先端領域と、深いソース・ドレイン領域の上部の少なくとも一部が掘り込まれた深いソース・ドレイン掘り込み領域と、この深いソース・ドレイン掘り込み領域を含む深いソース・ドレイン領域の上部表面のうち、少なくとも深いソース・ドレイン先端領域を除く領域に形成されたシリサイド層と、を備えた半導体装置が得られる。

3. 发明专利

JPWO2008081753A1 ＭＩＳ型電界効果トランジスタおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008081753A1
公开(公告)日：2010-04-30
申请号：JP2008552101
申请日：2007-12-21
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋 , 和也上嶋
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/41775 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/7836
摘要：【課題】微細なMISFETの寄生抵抗を低減する。【解決手段】 MIS型電界効果トランジスタにおいて、半導体基板に形成されたゲート電極の側壁より外側に形成されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域より浅く前記ソース・ドレイン領域から前記ゲート電極の下部のチャネル領域に向かって延びたソース・ドレイン拡張領域と、前記ソース・ドレイン拡張領域の一部と前記ソース・ドレイン領域の表面に形成されたシリサイド層とを有している。そして、前記シリサイド層の一部が、前記ゲート電極の側方に形成されるサイドウォールによって制御される長さ分だけ前記ソース・ドレイン拡張領域に伸張している。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5408132B2 Mis-type method of manufacturing a field effect transistor 有权
公开(公告)号：JP5408132B2
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：JP2010517952
申请日：2009-06-17
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋 , 公一八高
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7834 , H01L29/66507 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628

5. 发明专利

JP5182703B2 Semiconductor device 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5182703B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2008520592
申请日：2007-06-05
申请人：日本電気株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：和也上嶋 , 英達中村 , 明仁榊谷 , 英一郎渡辺
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/532 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7843 , H01L21/76232 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/45 , H01L29/6653 , H01L29/66636

6. 发明专利

JPWO2005067058A1 ＭＩＳ型電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JPWO2005067058A1
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：JP2005516855
申请日：2004-12-28
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋 , 和也上嶋
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
摘要：下地SiGe層1上に歪みSi層2をエピタキシャル成長させ、ゲート絶縁膜3aとゲート電極4aを形成した後、ゲート電極4aをマスクにして、下地SiGe層1及び歪みSi層2に不純物をイオン注入し(図2(a))、活性化のための熱処理を行ってソース・ドレイン領域6を形成する(図2(b)、(c))。このとき、歪みSi層2の膜厚は、最終的なMISFETのソース・ドレイン領域6の不純物濃度が最大となる深さをTp(=Rp)としたとき、2Tp以下にする。

7. 发明专利

JP5315784B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5315784B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2008126682
申请日：2008-05-14
申请人：日本電気株式会社
发明人：公一八高 , 和也上嶋 , 正巳羽根
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a method for manufacturing thereof, which is equipped with a protective insulating film which is little in substrate oxidation, and does not cause the drive power reduction of a PMOS. SOLUTION: A CMOS includes an NMISFET having a first protective insulating film 5 covering the surface of an N-type source-drain region and the periphery of a first gate electrode, and a PMISFET having a second protective insulating film 6 covering a P-type source-drain region 8 formed in both sides of a second gate electrode and the periphery of the second gate electrode, wherein the first protective insulating film 5 consists of one layer or more, the one layer is a silicon nitride film or an silicon oxynitride film, a portion contacting a semiconductor substrate among the second protective insulating film 6 is an silicon oxide film, and wherein the distance from the silicon substrate under the second protective insulating film 6 to the silicon nitride film or the silicon oxynitride film is longer than the distance from the silicon substrate under the first protective insulating film 5 to the silicon nitride film or the silicon oxynitride film. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

8. 发明专利

JPWO2009154242A1 ＭＩＳ型電界効果トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2009154242A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010517952
申请日：2009-06-17
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋 , 和也上嶋 , 公一八高 , 公一八高
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7834 , H01L29/66507 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628
摘要：ソース・ドレイン拡張領域先端とゲート電極端とを短絡させることなく制御性良く接近させて、接合が浅く且つ寄生抵抗が低いMISFETを製造できるMIS型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程(S1)と、ゲート電極表面を含む半導体基板上に絶縁膜を形成する工程(S2)と、絶縁膜のゲート電極の表面を覆う部分を、エッチング速度が遅くなるように改質する工程(S3)と、絶縁膜の改質されていない部分を、等方性エッチングによって半導体基板表面上から除去する工程(S4)と、改質された絶縁膜をマスクとして、半導体基板の表面上に選択的に半導体膜を形成する工程(S5)と、半導体膜を基にソース・ドレイン部を形成する工程と(S6)を有する。

9. 发明专利

JP4892976B2 Mis-type field effect transistor 有权
公开(公告)号：JP4892976B2
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：JP2005516855
申请日：2004-12-28
申请人：日本電気株式会社
发明人：和也上嶋
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834

10. 发明专利

JPWO2008108339A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008108339A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：JP2009502575
申请日：2008-03-03
申请人：日本電気株式会社
发明人：中村　英達 , 英達中村 , 和也上嶋 , 和也上嶋
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L29/78 , H01L29/7843
摘要：半導体装置では、ゲート長方向に並んだMISFET群(11)を覆う、応力を有するコンタクトのストッパー膜(15)が形成される。ストッパー膜は、MISFET群(11)の最端部のMISFETのゲート電極(14)からL=1μm以上外側に延長された延長部分(12)を有する。【選択図】図1A

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