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1. 发明专利

JP6059589B2 光変調器およびそれを用いた光変調装置有权
标题翻译：光调制器和使用同样的光调制器
公开(公告)号：JP6059589B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013084374
申请日：2013-04-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：才田隆志 , 野坂秀之 , 菊池清史 , 山崎裕史 , 美野真司 , 村田浩一
IPC分类号： H04B10/516 , H04B10/54 , H04B10/556 , G02F1/01

2. 发明专利

JP5908872B2 コヒーレント通信用光受信器およびその制御方法有权
标题翻译：相干通信光接收器及其控制方法
公开(公告)号：JP5908872B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：JP2013168810
申请日：2013-08-15
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：伊藤敏洋 , 野坂秀之 , 村田浩一
IPC分类号： G02F2/00 , H04B10/61

3. 发明专利

JP5719461B1 コヒーレント光通信用増幅器有权
标题翻译：相干光通信放大器
公开(公告)号：JP5719461B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2014064952
申请日：2014-03-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：野坂秀之 , 村田浩一
IPC分类号： H04B10/61 , H03G3/20
摘要：【課題】コヒーレント光通信用増幅器の集積回路を低コスト化し、かつ実装面積を小さくする。【解決手段】コヒーレント光通信用増幅器1の集積回路は、読み書き可能な8ビット構成の複数のレジスタアレイ3と、シリアル通信により各レジスタアレイ3を外部から読み書きさせる制御回路2と、各レジスタアレイ3のうちの第1のモニタレジスタに上位8ビットのデジタル値を書き込み、第2のモニタレジスタに下位2ビットのデジタル値を書き込むA/D変換器5aとを備える。【選択図】図1
摘要翻译：相干光通信放大器和低成本的集成电路，并减少安装面积。相干光通信放大器1的一种集成电路，包括：多个寄存器阵列3中的读写的8位结构，用于读取和通过串行通信，寄存器阵列3写入来自外部的寄存器阵列3的控制电路2 写入的高8位到的第一监视器寄存器的数字值，并且用于写入数字值的低2位到第二监控寄存器的A / D转换器5a中。点域1

4. 发明专利

JP2016201576A 高周波半導体モジュール有权
标题翻译：高频半导体模块
公开(公告)号：JP2016201576A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2016172849
申请日：2016-09-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：伊藤敏洋 , 綱島聡 , 村田浩一
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49175
摘要：【課題】セラミックパッケージに適用可能な高周波特性を有する高周波半導体モジュールを提供する。【解決手段】高周波半導体モジュール10は、キャビティ40を有する積層セラミック基板11と、キャビティ40内の下部に設けられたヒートシンク20と、ヒートシンク20上に設けられ、信号用リードと信号配線15a,15bを介して接続されるICチップ31と、ヒートシンク20上に設けられたコンデンサ32と、積層セラミック基板11上面に設けられ、コンデンサとボンディングワイヤ33を介して接続される直流端子50と、積層セラミック基板11下面に設けられた直流用リード51と、を備え、直流端子50と直流用リード51が、積層セラミック基板11内部に形成されたビアを介して電気的に接続されている。【選択図】図3
摘要翻译：以提供具有在陶瓷封装适用频率特性的高频半导体模块。的高频半导体模块10包括多层陶瓷基板具有设置在散热器20中，信号引线和信号线15A的空腔40，在空腔40的底部提供一个散热器20，11，和15b 经由设置在散热器20的电容器32相连接的IC芯片31，设置在陶瓷多层基板11上表面上，和一个直流端子50通过电容器连接和键合线33，陶瓷多层基板11 一个DC引线设置在下表面上的51，设置有DC引线51和DC终端50经由通孔形成于其中的多层陶瓷基板11电连接。点域

5. 发明专利

JP5992860B2 マーチャントバラン有权
标题翻译：马尔尚不平衡变压器
公开(公告)号：JP5992860B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2013081111
申请日：2013-04-09
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：濱田裕史 , 小杉敏彦 , 村田浩一
IPC分类号： H01P5/10

6. 发明专利

JP5898125B2 コヒーレント通信用光受信器有权
标题翻译：相干通信的光接收器
公开(公告)号：JP5898125B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2013114432
申请日：2013-05-30
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：伊藤敏洋 , 野坂秀之 , 村田浩一
IPC分类号： H04B10/073 , H04B10/61

7. 发明专利

JP5806200B2 疑似ランダムビット列発生器有权
公开(公告)号：JP5806200B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2012270087
申请日：2012-12-11
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：イブスボウビア , 村田浩一 , 野坂秀之 , 長谷宗彦
IPC分类号： G06F7/58 , H03K3/84

8. 发明专利

JP2015188178A 差動増幅器审中-公开
标题翻译：差分放大器
公开(公告)号：JP2015188178A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2014065257
申请日：2014-03-27
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：野坂秀之 , 村田浩一
IPC分类号： H03F3/45
摘要：【課題】差動増幅器の帯域を拡大させ、かつ線形性を向上させて群遅延偏差を抑圧させる。【解決手段】差動増幅器1は、非反転入力端子IN+にベースが接続され、反転出力端子OUT−にコレクタが接続されたトランジスタQ1と、反転入力端子IN−にベースが接続され、非反転出力端子OUT+にコレクタが接続されたトランジスタQ2と、電源端子VCCとの間に接続された抵抗R1と、電源端子VCCとの間に接続された抵抗R2と、トランジスタQ1のエミッタとトランジスタQ2のエミッタとの間に接続された抵抗R3〜R6と、抵抗R5にシャント接続された容量素子C1と、抵抗R6にシャント接続された容量素子C1と、電源端子VEEに一端が接続され、抵抗R3〜R6のいずれかのノードに他端が接続された電流源I1とを備え、抵抗R3〜R6は、容量素子C1,C2がシャント接続されていない抵抗R3,R4を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在频带上增大并且线性增强以抑制组延迟偏差的差分放大器。解决方案：差分放大器1具有晶体管Q1，其基极连接到非反相输入端IN +和集电极连接到反相输出端子OUT-，晶体管Q2，其基极连接到反相输入端子IN-，集电极连接到非反相输出端子OUT +，电阻器R1连接到电源端子VCC和电阻器 R2连接到电源端子VCC，连接在晶体管Q1的发射极和晶体管Q2的发射极之间的电阻器R3至R6，分流连接到电阻器R5的电容元件C1，分流连接到电阻器R6和电流源I1，其连接到电流源I1的一端处的电源端子VEE，并连接到电阻器R6的另一端的电阻器R3至R6的任何节点电流源I1。电阻器R3至R6包含电容器元件C1，C2不分流连接的电阻器R3，R4。

9. 发明专利

JP6006163B2 ピーク検出回路有权
标题翻译：峰值检测电路
公开(公告)号：JP6006163B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2013102809
申请日：2013-05-15
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：武藤美和 , 福山裕之 , 野坂秀之 , 村田浩一
IPC分类号： G01R19/04

10. 发明专利

JP6288879B2 高周波半導体モジュール有权
公开(公告)号：JP6288879B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2016172849
申请日：2016-09-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：伊藤敏洋 , 綱島聡 , 村田浩一
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L25/00 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014

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