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1. 发明专利

JP5355533B2 Manufacturing method of the n-type SiC single crystal 有权
公开(公告)号：JP5355533B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2010250492
申请日：2010-11-09
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：一彦楠 , 一人亀井 , 将斉矢代 , 晃治森口 , 信宏岡田 , 克典旦野 , 寛典大黒
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/00
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36

2. 发明专利

JP5558268B2 Defect observation method of a semiconductor single crystal substrate 有权
公开(公告)号：JP5558268B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2010189627
申请日：2010-08-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 一般財団法人ファインセラミックスセンター
发明人：克典旦野 , 広明斎藤 , 由加里石川 , 永昭姚 , 義弘菅原 , 柴田　　典義
IPC分类号： H01L21/66

3. 发明专利

JP5519305B2 Defect detection method of single-crystal silicon carbide 有权
公开(公告)号：JP5519305B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2010013376
申请日：2010-01-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 一般財団法人ファインセラミックスセンター
发明人：克典旦野 , 広明斎藤 , 由加里石川 , 永昭姚 , 柴田　　典義
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/308

4. 发明专利

JP5115413B2 Manufacturing apparatus and method for manufacturing the silicon carbide single crystal 有权
公开(公告)号：JP5115413B2
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：JP2008231237
申请日：2008-09-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：克典旦野 , 広明斎藤
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06 , H01L21/208

5. 发明专利

JPWO2011007457A1 ＳｉＣ単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011007457A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2011522676
申请日：2009-07-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：克典旦野 , 克典旦野 , 関　章憲 , 章憲関 , 広明斎藤 , 広明斎藤 , 洋一郎河合 , 洋一郎河合
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04
CPC分类号： C30B29/36 , C30B15/14 , C30B17/00 , C30B19/04
摘要：本発明は、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、種結晶を溶液に接触させるシードタッチに起因する欠陥の発生を防止して、欠陥密度を低減したSiC単結晶を成長させる方法を提供する。本発明の方法は、黒鉛るつぼ内でSiを含む融液にSiC種結晶を接触させることにより、該SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、上記SiC種結晶を接触させた後に、該接触時の温度よりも高くかつ上記成長させる温度よりも高い温度まで上記溶液を一旦昇温させることを特徴とする。

6. 发明专利

JPWO2016147673A1 ＳｉＣ単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016147673A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2017506103
申请日：2016-03-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：和明関 , 和明関 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 楠　一彦 , 一彦楠 , 克典旦野 , 克典旦野 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 雅喜土井 , 雅喜土井
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10
CPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
摘要：本発明の実施形態の溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法は、生成工程と、成長工程とを備える。生成工程では、坩堝(5)に収容されるSi−C溶液(7)の原料を溶融し、Si−C溶液(7)を生成する。成長工程では、シードシャフト(6)に取り付けられたSiC種結晶(8)をSi−C溶液(7)に接触させ、SiC種結晶(8)の結晶成長面(8S)にSiC単結晶を成長させる。成長工程では、Si−C溶液(7)を昇温させながらSiC単結晶を成長させる。本発明の実施形態によるSiC単結晶の製造方法は、所望の結晶多形のSiC単結晶を成長させやすい。

7. 发明专利

JPWO2013157418A1 ＳｉＣ単結晶及びその製造方法有权
标题翻译： SiC单晶及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2013157418A1
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014511168
申请日：2013-04-05
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：克典旦野 , 克典旦野
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10
CPC分类号： C30B19/12 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/10 , C30B29/36
摘要：らせん転位、刃状転位、及びマイクロパイプ欠陥といった貫通転位密度を低減した高品質なSiC単結晶、及びそのようなSiC単結晶の溶液法による製造方法を提供することを目的とする。内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、Si−C溶液の表面領域の温度勾配を10℃/cm以下にすること、Si−C溶液にSiC種結晶の(1−100)面を接触させること、及び種結晶の(1−100)面に、SiC単結晶を、20?10-4cm2/h・℃未満の、温度勾配に対するSiC単結晶の成長速度の比(単結晶の成長速度/温度勾配)で、成長させること、を含む、SiC単結晶の製造方法。
摘要翻译：螺旋位错，刃型位错，并且具有减小的位错密度，如微管缺陷的高品质的SiC单晶，并且其目的是提供一种通过溶液法这样的SiC单晶的制造方法。具有温度梯度由SiC晶种接触以生长SiC单晶，用溶液法进行SiC单晶的制造方法从内部降低温度朝向表面的SiC溶液，SiC溶液到低于10℃/厘米的表面区域的温度梯度，接触SiC晶种的SiC溶液的（1-100）面，和晶种的（1-100）面，SiC单晶和20？在10 -4厘米2以下/小时·℃，SiC单晶的相对于所述温度梯度（生长率/单晶的温度梯度），生长，其中包括的SiC单晶的方法中的生长速率比。

8. 发明专利

JPWO2013005347A1 ＳｉＣ単結晶及びその製造方法有权
标题翻译： SiC单晶及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2013005347A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013522671
申请日：2011-08-02
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：克典旦野 , 克典旦野
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10
CPC分类号： C30B11/14 , C30B9/06 , C30B29/36 , Y10T428/24488
摘要：結晶性の高い大口径のSiC単結晶を提供する。c面及び非c面を有する種結晶と、前記種結晶のc面及び非c面を基点としてc面方向及び非c面方向に成長したc面成長部及び口径拡大部とを含むSiC単結晶であって、前記種結晶のc面に並行な平面であって前記種結晶及び前記口径拡大部を含む平面内において、貫通転位が含まれない連続領域が前記平面内の周辺部に存在し、前記連続領域の面積が前記平面全体の面積に対して50%以上の面積を占める、SiC単結晶。
摘要翻译：为了提供高的结晶度大直径的SiC单晶。和具有c面和非c面上的籽晶，碳化硅包含所述种子c面和c面生长部分单晶生长的非c面在c面方向和非c面方向作为基点和晶体的直径扩大部一个是，在含有晶种和扩大部分平行于所述籽晶的c面的平面上的直径的平面上，其中包括无错位连续区域存在于所述平面的周边，它占相对于连续区域，SiC单晶的平面的整个区域的面积的面积的50％或更多。

9. 发明专利

JP5668724B2 ＳｉＣ単結晶のインゴット、ＳｉＣ単結晶、及び製造方法有权
标题翻译： SiC单晶，SiC单晶，和制造的方法的锭
公开(公告)号：JP5668724B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2012128072
申请日：2012-06-05
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：嵩幸白井 , 嵩幸白井 , 克典旦野 , 克典旦野
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04
CPC分类号： C30B19/062 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36

10. 发明专利

JP5234184B2 Method of manufacturing a SiC single crystal 有权
公开(公告)号：JP5234184B2
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：JP2011522676
申请日：2009-07-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：克典旦野 , 章憲関 , 広明斎藤 , 洋一郎河合
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04
CPC分类号： C30B29/36 , C30B15/14 , C30B17/00 , C30B19/04

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