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1. 发明专利

JP2017172029A Niナノ粒子を用いた接合材料及び接合構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2017172029A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016062676
申请日：2016-03-25
申请人：新日鐵住金株式会社 , 新日鉄住金化学株式会社
发明人：松原典恵 , 宇野智裕 , 清水隆之
IPC分类号： B23K20/00 , B22F1/00 , C22C19/05 , C22C19/03 , H01L21/52 , B22F7/08
摘要：【課題】Niナノ粒子を用いた接合材料であって、接合構造体を構成する2つの被接合部材の間に線熱膨張係数の違いに基づく熱膨張量の差が存在し、また、高温(例えば、200℃以上)での使用が求められるような場合であっても、被接合部材間の剥離や接合層中のクラック発生を未然に抑制することができる接合材料を提供する。また、この接合材料を用いて得られた接合構造体を提供する。【解決手段】Niナノ粒子、金属粉、低熱膨張材料粉、及び有機溶剤を含む接合材料であって、低熱膨張材料粉の線熱膨張係数が5×10 −6 /K以上の差を有してNiの線熱膨張係数よりも低い接合材料である。また、第1被接合部材と第2被接合部材との間が前記の接合材料中のNiナノ粒子、金属粉、及び低熱膨張材料粉の焼結体からなる接合層を介して、互いに接合されている接合構造体である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018172792A ニッケル微粒子組成物、接合構造体及び接合方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018172792A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2018063254
申请日：2018-03-28
申请人：新日鉄住金化学株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：千葉将之 , 宇野智裕 , 清水隆之 , 岡村一人 , 松原典恵
IPC分类号： C22C9/00 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C21/00 , B22F1/02 , C22C5/02 , H01B1/22 , H01B1/00 , B22F1/00
摘要：【課題】低コスト、かつ、高信頼性を実現でき、特に熱伝導性に優れる接合材料を提供する。【解決手段】ニッケル微粒子組成物は、成分A)走査型電子顕微鏡観察による平均粒子径が30〜200nmの範囲内であり、ニッケル元素を原子数濃度にして50%以上含有するニッケル微粒子、並びに、成分B)走査型電子顕微鏡観察による平均粒子径が0.5〜100μmの範囲内であり、コア部及び前記コア部の表面を被覆する被覆部から形成され、被覆部は、ニッケル、パラジウム、金、銀のうち少なくとも1種類を原子数濃度にして50%以上含む、を具備するフィラー粒子を含有する。【選択図】なし

3. 发明专利

JP6358340B2 配向銅板、銅張積層板、可撓性回路基板、及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP6358340B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2016563751
申请日：2015-12-11
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：木村圭一 , 宇野智裕 , 金子和明
IPC分类号： C22F1/08 , C22F1/02 , H01B1/02 , H01B5/02 , H05K1/09 , C22C9/00
CPC分类号： H05K1/09 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H05K1/0393 , H05K1/05 , H05K3/022 , H05K3/06 , H05K3/38 , H05K2201/0154 , H05K2201/0317

4. 发明专利

JP2018059203A エアロゾル成膜装置、及びエアロゾル成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018059203A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017193835
申请日：2017-10-03
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：木村圭一 , ▲徳▼橋恵祐 , 宇野智裕
IPC分类号： B05B7/14 , C23C24/04
摘要：【課題】より均一な固体皮膜を成膜できるエアロゾル成膜装置の提供。【解決手段】エアロゾル生成器12Aと、エアロゾルを噴射するノズル14とを備え、エアロゾル生成器は、円筒内面形状の内周面13を有するエアロゾル化室18Aと原料粉末22をエアロゾル化室内に供給する原料供給部16Aと、媒体ガスをエアロゾル化室にガス導入口23を通じて供給する第1ガス供給管24と、エアロゾルをエアロゾル化室より排出するエアロゾル排出口25とを備え、第1ガス供給管から供給する媒体ガスがエアロゾル化室内で旋回流を生成する様、ガス導入口の向きがエアロゾル化室の内周面に沿う様に配置される構造又は内周面に沿って回転する回転体を有する構造、の少なくとも一方を備え、エアロゾル排出口とノズルの間に、媒体ガスの一部を排気する排気部30又は媒体ガスを供給する第2ガス供給管の少なくとも一方を備えるエアロゾル成膜装置10A。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019047648A 熱光起電力発電装置およびこれを備える製造設備审中-公开
公开(公告)号：JP2019047648A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017169373
申请日：2017-09-04
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：宇野智裕 , 徳丸慎司 , 橋野英児 , 佐藤健也 , 芹澤良洋
IPC分类号： H02S40/42 , H01L31/052 , H02S40/44
摘要：【課題】熱光起電力発電によって製鉄所等の製造設備で発生する熱を利用することに適した熱光起電力発電装置および製造設備を提供する。【解決手段】熱光起電力発電装置10は、加熱または溶融された高温材料90からの輻射光を利用するものである。この発電装置10は、発電装置10の高温材料90側に設けられ、高温材料90の輻射光を透過する1枚または複数枚の透過性保護板30と、透過性保護板30を透過した高温材料90の輻射光が入射する光電素子22を含んで構成された発電ユニット20と、透過性保護板30によって形成された空間12の側部に設けられることで空間12に飛散物が混入することを防止する側面保護部40と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6462715B2 電子部品の導電性接合体及びこれを用いた半導体装置、並びに導電性接合体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6462715B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2016557836
申请日：2015-11-06
申请人：新日鐵住金株式会社 , 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社
发明人：松原典恵 , 石川信二 , 宇野智裕 , 清水隆之 , 北村直也
IPC分类号： B22F7/08 , H01L21/52 , B23K20/00

7. 发明专利

JPWO2017150572A1 セラミックス積層体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017150572A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2017007981
申请日：2017-02-28
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人： ▲徳▼橋恵祐 , 木村圭一 , 宇野智裕 , 佐藤裕
IPC分类号： H01L23/373 , B32B15/04 , C23C24/04
摘要：優れた機械的特性、放熱性、絶縁性、耐熱性、耐反応性を有するセラミックス積層体、特に、優れた熱サイクル信頼性、高い絶縁耐圧を有した絶縁放熱体を提供する。本発明によるセラミックス積層体1は、金属層2上にセラミックス膜3が形成されており、前記セラミックス膜3が、最小膜厚1μm以上であり、窒化珪素および不可避不純物を含んでなり、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径300nm以下、面内方向で平均粒径500nm以下である。これにより、本発明では、優れた機械的特性、放熱性、絶縁性、耐熱性、耐反応性を有するセラミックス積層体、特に、優れた熱サイクル信頼性、高い絶縁耐圧を有した絶縁放熱体を提供できる。

8. 发明专利

JP2018059145A エアロゾル成膜装置、及びエアロゾル成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018059145A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196589
申请日：2016-10-04
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：木村圭一 , ▲徳▼橋恵祐 , 宇野智裕
IPC分类号： B05B7/14 , B05C19/04 , B05D3/00 , B05D1/10 , C23C24/04
摘要：【課題】より均一な固体皮膜を成膜することができるエアロゾル成膜装置及びエアロゾル成膜方法を提供する。【解決手段】固体粒子が媒体ガス中に分散したエアロゾルを生成するエアロゾル生成器と、前記エアロゾルを噴射するスリット状の吐出口を有するスリットノズル14と、前記スリットノズル14と基材16の間に配置され、前記スリットノズル14から噴射されるエアロゾルの気流の方向を前記基材16に向かうように変える防御板18とを備える。防御板18は、スリットノズル14に対向した対向面20が少なくとも樹脂で形成されており、前記固体粒子に含まれる粗大粒子が前記基材16に到達するのを防ぐ。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2015065315A SiC半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015065315A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013198551
申请日：2013-09-25
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：小山田哲哉 , 田中 ▲将▼元 , 宇野智裕 , 小池淳一 , 須藤祐司
IPC分类号： H01L21/28
摘要：【課題】SiC基板に対する接触抵抗が低くて、密着性に優れ、尚且つ、高温環境や大電力条件において動作可能なSiC半導体デバイス、及びその製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板上にNbを成膜し、熱処理して得られたNb電極と、Cu、Ni、Pd、及びAuからなる群から選ばれたいずれか1種又は2種以上からなる金属電極とを備えたSiC半導体デバイスであって、前記Nb電極が、NbとSiを含んだ厚さ0.06μm以上0.5μm以下のNbシリサイド層、NbとCを含んだ厚さ0.06μm以上0.5μm以下のNbカーバイド層、及び厚さ0.01μm以上0.5μm以下のNb層を有するSiC半導体デバイスであり、また、所定の熱処理によって上記SiC半導体デバイスを製造するSiC半導体デバイスの製造方法である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与SiC基板接触电阻低的SiC半导体器件，附着性优异，甚至在高温环境或高功率条件下也可操作; 以及制造这种SiC半导体器件的方法。解决方案：一种SiC半导体器件包括：SiC衬底; 通过在SiC衬底上形成Nb膜并对其进行热处理而制造的Nb电极; 以及由选自Cu，Ni，Pd和Au的任何一种或多种金属制成的金属电极。在SiC半导体器件中，Nb电极具有含Nb和Si的Nb硅化物层，其厚度为0.06-0.5μm; 包含Nb和C并且具有0.06-0.5μm厚度的Nb碳化物层; 和Nb层，其厚度为0.01-0.5μm。一种制造SiC半导体器件的方法包括：通过预定的热处理制造SiC半导体器件的步骤。

10. 发明专利

JP6477968B2 セラミックス積層体、セラミックス絶縁基板、及びセラミックス積層体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6477968B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2018500239
申请日：2017-02-17
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：木村圭一 , ▲徳▼橋恵祐 , 宇野智裕 , 佐藤裕
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/13 , B32B15/04 , C23C24/04

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