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1. 发明专利

JP2015065315A SiC半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015065315A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013198551
申请日：2013-09-25
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：小山田哲哉 , 田中 ▲将▼元 , 宇野智裕 , 小池淳一 , 須藤祐司
IPC分类号： H01L21/28
摘要：【課題】SiC基板に対する接触抵抗が低くて、密着性に優れ、尚且つ、高温環境や大電力条件において動作可能なSiC半導体デバイス、及びその製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板上にNbを成膜し、熱処理して得られたNb電極と、Cu、Ni、Pd、及びAuからなる群から選ばれたいずれか1種又は2種以上からなる金属電極とを備えたSiC半導体デバイスであって、前記Nb電極が、NbとSiを含んだ厚さ0.06μm以上0.5μm以下のNbシリサイド層、NbとCを含んだ厚さ0.06μm以上0.5μm以下のNbカーバイド層、及び厚さ0.01μm以上0.5μm以下のNb層を有するSiC半導体デバイスであり、また、所定の熱処理によって上記SiC半導体デバイスを製造するSiC半導体デバイスの製造方法である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与SiC基板接触电阻低的SiC半导体器件，附着性优异，甚至在高温环境或高功率条件下也可操作; 以及制造这种SiC半导体器件的方法。解决方案：一种SiC半导体器件包括：SiC衬底; 通过在SiC衬底上形成Nb膜并对其进行热处理而制造的Nb电极; 以及由选自Cu，Ni，Pd和Au的任何一种或多种金属制成的金属电极。在SiC半导体器件中，Nb电极具有含Nb和Si的Nb硅化物层，其厚度为0.06-0.5μm; 包含Nb和C并且具有0.06-0.5μm厚度的Nb碳化物层; 和Nb层，其厚度为0.01-0.5μm。一种制造SiC半导体器件的方法包括：通过预定的热处理制造SiC半导体器件的步骤。

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