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1. 发明专利

JP6844130B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6844130B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2016123882
申请日：2016-06-22
申请人：富士電機株式会社
发明人：村松徹 , 魯鴻飛 , 中澤治雄
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/22 , H01L29/739

2. 发明专利

JP2016096212A 半導体装置、および、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016096212A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014230589
申请日：2014-11-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：村松徹 , 脇本博樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0834 , H01L29/66333 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H03K17/567
摘要：【課題】キズ、スパイクがあっても、逆耐圧の高い半導体装置を提供する。【解決手段】表面側にMOSゲート構造が形成された第1導電型のベース層と、ベース層の裏面側に形成された第2導電型の第1コレクタ層と、第1コレクタ層の裏面側にベース層と同一の材料で形成され、第1コレクタ層よりも薄く、第1コレクタ層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2コレクタ層と、第2コレクタ層の裏面側に形成されたコレクタ電極と、ベース層の表面側においてMOSゲート構造を囲み、かつ、ベース層の表面から第1コレクタ層の表面まで形成された第2導電型の分離層とを備える半導体装置を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使当具有缺陷或尖峰时，也提供具有高反向耐压的半导体器件。解决方案：提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的基极层，其正面侧为MOS栅极结构形成了; 形成在基层的背面侧的第二导电类型的第一集电体层; 所述第二导电类型的第二集电体层，与所述第一集电层的背面相同地形成为与所述基底层相同的材料，并且所述第二集电体层的厚度比所述第一集电体层薄，并且其杂质浓度高于第一收集层; 形成在所述第二集电体层的背面侧的集电极; 以及第二导电类型的分离层，其在基底层的正面侧包围MOS栅极结构，并且从基底层的前表面到第一集电层的正面形成。图示：图1

3. 发明专利

JP6372881B2 不純物導入方法及び半導体素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6372881B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2014174567
申请日：2014-08-28
申请人：国立大学法人九州大学 , 富士電機株式会社
发明人：池上浩 , 池田晃裕 , 浅野種正 , 井口研一 , 中澤治雄 , 関康和 , 村松徹
IPC分类号： H01L21/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L21/228

4. 发明专利

JP2017041626A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2017041626A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016123882
申请日：2016-06-22
申请人：富士電機株式会社
发明人：村松徹 , 魯鴻飛 , 中澤治雄
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/22 , H01L29/739
摘要：【課題】逆阻止型IGBTを提供する。【解決手段】表面側にMOSゲート構造が形成された第1導電型のベース層と、ベース層の裏面側に形成され、第1ドーパントと第1ドーパントと異なる第2ドーパントとが注入された第2導電型のコレクタ層と、コレクタ層の裏面側に形成されたコレクタ電極とを備え、第2ドーパントの不純物濃度ピークは、第1ドーパントの不純物濃度ピークよりも、コレクタ層の裏面からの位置が深く、且つ、第2ドーパントの不純物濃度ピークの大きさが、第1ドーパントの不純物濃度ピークの大きさの1/100より大きい半導体装置を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种反向阻断IGBT。和A上表面侧上的第一导电型的MOS栅极结构的形成有基体层，形成在基体层的背面侧时，从所述第一掺杂剂和所述第一掺杂剂的第一和第二掺杂剂不同的注入和第二导电型集电极层，形成在该集电体层，所述第二掺杂剂的杂质浓度峰的背面侧的集电极电极，比所述第一掺杂剂的杂质浓度峰，从集电层的背面表面上的位置深，以及所述第二掺杂剂的杂质浓度峰的大小提供第一掺杂剂的杂质浓度峰的大小的1/100较大的半导体装置。点域1

5. 发明专利

JP2016051737A 不純物導入方法及び半導体素子の製造方法有权
标题翻译：介绍制造方法和制造半导体元件的方法
公开(公告)号：JP2016051737A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014174567
申请日：2014-08-28
申请人：国立大学法人九州大学 , 富士電機株式会社
发明人：池上浩 , 池田晃裕 , 浅野種正 , 井口研一 , 中澤治雄 , 関康和 , 村松徹
IPC分类号： H01L21/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L21/228
摘要：【課題】レーザードーピングを行う際に、不純物元素以外の化合物塩や溶媒構成材料が、半導体基板の表面に吸着して生じる汚染が生じたり、半導体基板の結晶層中に取り込まれたりすることを回避できる。【解決手段】不純物導入方法は、 (i)半導体基板2の表面上に、不純物液1を用いて、不純物元素の分子の液相を形成する工程 (ii)不純物元素の分子の液相を介して半導体基板2の表面にレーザ光6を照射する工程を含み、半導体基板2の内部の一部に不純物元素を導入する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了避免在进行激光掺杂时，除了杂质元素和溶剂构成材料之外的复合盐被吸附到半导体基板的表面以引起污染并且被吸收在半导体衬底。方法：引入杂质的方法包括以下步骤：（i）在半导体衬底2的表面上形成使用杂质液体1的杂质元素的分子的液相，和（ii）照射半导体衬底2的表面半导体衬底2具有通过杂质元素的分子的液相的激光束6。在该方法中，将杂质元素引入到半导体衬底2的内部的一部分。选择的图示：图1

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