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1. 发明专利

JP2015053391A 太陽電池用化合物半導体ナノ粒子の作製方法有权
标题翻译：用于生产用于太阳能电池的化合物半导体纳米颗粒的方法
公开(公告)号：JP2015053391A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185403
申请日：2013-09-06
申请人：国立大学法人宮崎大学 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 国立大学法人九州工業大学 , Kyushu Institute Of Technology , 国立大学法人電気通信大学 , Univ Of Electro-Communications
发明人： YOSHINO KENJI , HAYASE SHUJI , SHYAM SUDHIR PANDEY , TOYODA TARO , QING SHEN
IPC分类号： H01L31/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G3/12 , C01G9/08 , C01G15/00 , C01G19/00 , C07C329/12
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】太陽電池の光吸収層を形成する金属材料の硫化物ナノ粒子を、低コストで容易に作製する方法を提供する。【解決手段】金属硫化物ナノ粒子を作製する方法において、キサンテートを配位した金属錯体を、不活性雰囲気下で加熱する。金属キサンテートは、金属イオンにキサンテートを配位させた分子構造である。この金属キサンテートを加熱して金属硫化物であるナノ粒子を作製する。このため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易生产形成太阳能电池的光吸收层的金属材料的低成本硫化物纳米颗粒的方法。解决方案：在金属硫化物纳米颗粒的制备方法中，将黄原酸盐为协调在惰性气氛下加热。金属黄原酸盐具有其中金属离子与黄原酸酯配位的分子结构。通过加热该金属黄原酸盐来生产金属硫化物的纳米颗粒。为此，可以在低温下的非真空工艺中容易地形成光吸收层。

2. 发明专利

JP2015053392A 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法有权
标题翻译：用复合半导体纳米材料生产光吸收层的方法
公开(公告)号：JP2015053392A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185404
申请日：2013-09-06
申请人：国立大学法人宮崎大学 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 国立大学法人九州工業大学 , Kyushu Institute Of Technology , 国立大学法人電気通信大学 , Univ Of Electro-Communications
发明人： YOSHINO KENJI , HAYASE SHUJI , SHYAM SUDHIR PANDEY , TOYODA TARO , QING SHEN
IPC分类号： H01L31/06 , H01L51/42
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：【課題】太陽電池の光吸収層を、非真空プロセスかつ低温で容易に作製する方法を提供する。【解決手段】太陽電池の光吸収層を作製する方法において、キサンテートを配位した金属錯体を、複数混合して溶媒に溶かして溶解液とする第一工程と、溶解液を電極が形成された基板に塗布する第二工程と、基板に塗布された溶解液の溶媒を、不活性ガス雰囲気で70℃〜90℃の温度で蒸発させる第三工程と、溶媒を蒸発させた後、不活性ガス雰囲気で100℃〜300℃の温度で加熱焼成する第四工程とから、非真空プロセス、かつ、低温で光吸収層を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以低成本在非真空工艺中容易地制造太阳能电池的光吸收层的方法。解决方案：在制造太阳能电池的光吸收层的方法中，光吸收层可以在低温下通过以下步骤在非真空过程中形成：将其中配位有黄原酸盐的多种金属配合物混合并将该混合金属络合物溶解在溶剂中的第一步骤，得到溶液; 将溶液施加到其上形成有电极的基板的第二步骤; 在70-90℃的温度下在惰性气体气氛中蒸发施加到基材上的溶液的溶剂的第三步骤; 以及蒸发溶剂的第四步骤，然后在惰性气体气氛中在100-300℃的温度下加热和烘烤该溶液。

3. 发明专利

JP2012087021A Method for producing zinc oxide thin film, antistatic thin film produced by the same, ultraviolet ray cut thin film, and transparent electrode thin film 有权
标题翻译：生产氧化锌薄膜的方法，由其生产的抗静电薄膜，超紫外线切割薄膜和透明电极薄膜
公开(公告)号：JP2012087021A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010235992
申请日：2010-10-20
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , HAGA KENICHI , TOKUTOME KOICHI , YOSHINO KENJI , TAKEMOTO HIROHITO
IPC分类号： C01G9/02 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a zinc oxide thin film that has an average transmittance of 80% or higher for visible light even in low-temperature deposition where the heating temperature of a substrate during deposition is 300°C or lower and the volume resistivity is low enough to be utilizable for an antistatic thin film, from a composition containing, as base, an organic zinc compound or its partial hydrolyzate.SOLUTION: This method of manufacturing the zinc oxide thin film having an average transmittance of 80% or higher for visible radiation includes at least one operation of applying the following composition to a substrate surface under an inert gas atmosphere and then heating the obtained coating film. The composition is a solution obtained by dissolving the organic zinc compound or its partial hydrolyzate into a mixed solvent of an electron donative organic solvent and an organic solvent of a kind different from that of the electron donative organic solvent. The composition can further contain a group 3B element compound. An antistatic thin film consisting of the zinc oxide thin film obtained by the production method, an ultraviolet ray cut thin film, and a transparent electrode thin film are also provided.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使在沉积期间基板的加热温度为300℃以下的低温沉积中，对于可见光的平均透射率为80％以上的氧化锌薄膜，以及体积电阻率足够低，可用于抗静电薄膜，由含有有机锌化合物或其部分水解产物的组合物组成。解决方案：对于可见光辐射的平均透射率为80％以上的氧化锌薄膜的制造方法，在惰性气体气氛下，至少具有将以下组成施加于基材表面的工序，涂膜。组合物是通过将有机锌化合物或其部分水解产物溶解在给电子性有机溶剂和与供电子性有机溶剂不同的有机溶剂的混合溶剂中而获得的溶液。组合物还可以含有3B族元素化合物。还提供了由通过制造方法获得的氧化锌薄膜，紫外线切割薄膜和透明电极薄膜构成的抗静电薄膜。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012087015A Composition for producing zinc oxide thin film and method for producing zinc oxide thin film using composition for producing doped zinc oxide thin film, antistatic thin film produced by the method, ultraviolet ray cut thin film, and transparent electrode thin film 有权
标题翻译：用于生产氧化锌薄膜的组合物和使用组合物生产氧化锌薄膜的氧化锌薄膜的方法，通过该方法生产的抗静电薄膜，超紫外线切割薄膜和透明电极薄膜
公开(公告)号：JP2012087015A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010235480
申请日：2010-10-20
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , HAGA KENICHI , TOKUTOME KOICHI , YOSHINO KENJI , TAKEMOTO HIROHITO
IPC分类号： C01G9/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for obtaining a transparent zinc oxide thin film and a zinc oxide thin film doped with a group 3B element by coating film-formation such as spin coating, using a composition for producing the zinc oxide thin film that is made of organic zinc compound as raw material, has no ignitability, and is easily treated.SOLUTION: This method for producing the zinc oxide thin film having an average transmittance of 80% or higher for visible light includes at least one operation of applying one of compositions A-C to a substrate surface under an inert gas atmosphere and then heating the obtained coated object. The composition A contains partial hydrolyzate of an organic zinc compound, and the molar ratio of added water to the organic zinc compound is 0.05 or higher and lower than 0.4. The composition B contains a product obtained by adding water to a solution of the organic zinc compound and a group 3B element compound and partially hydrolyzing the organic zinc compound. The molar ratio of the group 3B element compound to the organic zinc compound is 0.005-0.3. The molar ratio of the addition amount of water to the total amount of the organic zinc compound and the group 3B element compound is 0.05 or higher and lower than 0.4. The composition C contains a product obtained by adding the group 3B element compound to the partial hydrolyzate of the organic zinc compound so that the molar ratio thereof to the organic zinc compound is 0.005-0.3. The molar ratio of the added water to the organic zinc compound is 0.05 or higher and lower than 0.4.
摘要翻译：待解决的问题：为了提供一种通过涂覆成膜如旋涂来获得掺杂有3B族元素的透明氧化锌薄膜和氧化锌薄膜的方法，使用用于制备氧化锌的组合物由有机锌化合物作为原料制成的薄膜不具有点火性，易于处理。解决方案：用于生产可见光的平均透射率为80％以上的氧化锌薄膜的方法包括在惰性气体气氛下将组合物AC施加到基板表面的至少一种操作，然后加热获得涂层物体。组合物A含有有机锌化合物的部分水解产物，添加水与有机锌化合物的摩尔比为0.05以上且低于0.4。组合物B包含通过向有机锌化合物和3B族元素化合物的溶液中加入水并部分水解有机锌化合物而获得的产物。 3B族元素化合物与有机锌化合物的摩尔比为0.005〜0.3。水的添加量与有机锌化合物和3B族元素化合物的总量的摩尔比为0.05以上且低于0.4。组合物C含有通过将3B族元素化合物与有机锌化合物的部分水解产物相加而获得的产物，使得其与有机锌化合物的摩尔比为0.005-0.3。加入的水与有机锌化合物的摩尔比为0.05以上且低于0.4。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010126402A Method for forming zinc oxide thin film 有权
标题翻译：形成氧化锌薄膜的方法
公开(公告)号：JP2010126402A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：JP2008303132
申请日：2008-11-27
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , HAGA KENICHI , TOKUTOME KOICHI , YOSHINO KENJI
IPC分类号： C01G9/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a transparent zinc oxide thin film, which needs no heating or the heating to a temperature of 300°C or lower, in consideration of a heat-resistant temperature of a plastic substrate, a cost required for heating, etc.
SOLUTION: The method for forming the thin film includes a process of forming the thin film by spray coating of a solution containing an organozinc compound dissolved in an organic solvent, onto the surface of a substrate under an atmospheric pressure or a pressurized atmosphere, in the presence of water and at 300°C or lower temperature of the substrate. The organic solvent has an electron-donative property and the organozinc compound is expressed by the formula (1): R
1 -Zn-R
1 (wherein R
1 is a 1-7C linear or branched alkyl group).
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：考虑到塑料基板的耐热温度，提供一种形成不需要加热或加热到300℃以下的透明氧化锌薄膜的方法，加热所需的成本等。解决方案：用于形成薄膜的方法包括通过将溶解在有机溶剂中的含有机锌化合物的溶液喷雾涂覆在所述薄膜的表面上而形成薄膜的方法在大气压或加压气氛下，在水的存在下和在基板的300℃或更低的温度下进行。有机溶剂具有给电子性，有机锌化合物由式（1）表示：其中R 1 -Zn-R 1 是1-7C直链或支链烷基）。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2011170979A Method for producing zinc oxide thin film, antistatic thin film produced by the same method, ultraviolet ray blocking thin film, and transparent electrode thin film 有权
标题翻译：用于生产氧化锌薄膜的方法，由该方法生产的抗静电薄膜，超紫外线阻挡薄膜和透明电极薄膜
公开(公告)号：JP2011170979A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：JP2010030916
申请日：2010-02-16
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： TAKEMOTO HIROHITO , YOSHINO KENJI , INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , HAGA KENICHI , TOKUTOME KOICHI
IPC分类号： H01B13/00 , C01G9/02 , C09K3/16 , H01B5/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of preparing a zinc oxide thin film, which has an average transmittance of 80% or more for visible light and a low volume resistivity, from a composition based on a partial hydrolyzate of an organic zinc compound such as diethyl zinc, and also to provide an antistatic thin film or the like using this method. SOLUTION: There is provided a method of producing the zinc oxide thin film having an average transmittance of 80% or more for visible light and a low volume resistivity of 1×10 -3 Ω cm or less, wherein spray coating is applied on the heated substrate surface under an inert gas atmosphere containing steam such as the composition containing the partial hydrolyzate of the organic zinc compound. Also there are provided the antistatic thin film, an ultraviolet ray blocking thin film, and a transparent electrode thin film, each of which includes the zinc oxide thin film produced in the described method. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制备氧化锌薄膜的方法，该方法从基于有机物的部分水解产物的组合物获得平均透射率为可见光的80％以上，体积电阻率低的方法锌化合物如二乙基锌，并且还使用该方法提供抗静电薄膜等。解决方案：提供一种生产氧化锌薄膜的方法，该方法的平均透射率为可见光的80％以上，体积电阻率为1×10 -3 -3Ω/ cm，较少，其中在含有蒸汽的惰性气体气氛（例如含有有机锌化合物的部分水解产物的组合物）下在加热的基底表面上施加喷涂。还提供了抗静电薄膜，紫外线阻挡薄膜和透明电极薄膜，它们都包括在所述方法中制备的氧化锌薄膜。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2014173133A Target material and production method thereof 审中-公开
标题翻译：目标材料及其生产方法
公开(公告)号：JP2014173133A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046636
申请日：2013-03-08
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学
发明人： MITANI ATSUSHI , TANAKA MAKI , SAITA MASATO , KUBO HIROAKI , MATSUNAGA TAIZO , YOSHINO KENJI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a target material capable of forming a thin film having excellent crystallinity, a high carrier concentration and a low volume resistant value, and to provide a production method thereof.SOLUTION: In a target material comprising a sintered body containing zinc oxide and aluminum, when the maximum emission intensity of a luminescence peak positioned near the wavelength of 380 nm in an emission spectrum in cathode luminescence obtained by radiating electrons having an accelerating voltage of 5 kV is specified as I, and the maximum emission intensity of the luminescence peak positioned near the wavelength of 550 nm is specified as I, inequality I/I≤7 is satisfied.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成具有优异的结晶度，高载流子浓度和低体积电阻值的薄膜的目标材料，并提供其制造方法。解决方案：在包含含有氧化锌和铝，当通过辐射具有5kV的加速电压的电子而获得的阴极发光中的发射光谱中位于380nm附近的发光峰的最大发光强度被指定为I，并且最大发射强度将位于550nm附近的发光峰规定为I，满足不等式I /I≤7。

8. 发明专利

JP2012106917A Method for producing thin film by using composition for production of complex oxide thin film 有权
标题翻译：通过使用组合物生产复合氧化物薄膜生产薄膜的方法
公开(公告)号：JP2012106917A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：JP2011229603
申请日：2011-10-19
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： HAGA KENICHI , INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , TOKUTOME KOICHI , YOSHINO KENJI , TAKEMOTO HIROHITO
IPC分类号： C01G9/00 , C01G15/00 , H01L21/368
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for depositing a complex oxide thin film applicable to an oxide semiconductor film etc. such as an IGZO, by using a composition which is based on diethyl zinc or a partial hydrolyzate of an organic zinc compound such as diethyl zinc.SOLUTION: A method for producing a zinc oxide thin film having ≥80% of average transmittance to visible rays includes an operation to apply a composition containing an organic zinc compound represented by general formula (1) or a partial hydrolyzate of the organic zinc compound with water, and a compound of a group 3B element or a partial hydrolyzate of the compound of the group 3B element with water, wherein the molar ratio of the group 3B element to zinc is >0.1 and ≤5, to a substrate surface in an inert gas atmosphere, and next to heat the obtained coated film at least once. R-Zn-R(1) (in formula, Ris a straight-chain or branched 1-7C alkyl group). The composition further optionally contains an organic solvent.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沉积可应用于诸如IGZO的氧化物半导体膜等的复合氧化物薄膜的方法，通过使用基于二乙基锌的组合物或有机锌的部分水解产物化合物如二乙基锌。＆lt; P＆gt;解决方案：一种具有≥80％的对可见光透射率的平均透射率的氧化锌薄膜的制造方法，包括：将通式（1）表示的有机锌化合物或有机锌的部分水解物锌化合物与水的混合物，以及第3B族元素化合物的3B族元素或部分水解产物与水的化合物，其中3B族元素与锌的摩尔比> 0.1和≤5，与基底表面在惰性气体气氛中，然后将得到的涂膜加热至少一次。 1 -Zn-R 1 （1）（在公式中，R 1 SP>是直链或支链的1-7C烷基）。组合物进一步任选地含有有机溶剂。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2010267383A Composition for production of doped zinc oxide thin film, process for production of doped zinc oxide thin film 有权
标题翻译：用于生产氧化锌薄膜的组合物，用于生产氧化锌薄膜的方法
公开(公告)号：JP2010267383A
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：JP2009115111
申请日：2009-05-12
申请人： Tosoh Finechem Corp , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 東ソー・ファインケム株式会社
发明人： INABA KOICHIRO , TOYODA KOJI , HAGA KENICHI , TOKUTOME KOICHI , YOSHINO KENJI
IPC分类号： H01B13/00 , C01G9/02 , C08J7/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for production of a doped zinc oxide thin film, with which the zinc oxide thin film with transparency and low resistance can be obtained without heating at a film manufacturing stage or with heating at 300°C or less even if heated, and to provide a process for production of the doped zinc oxide thin film using the composition.
SOLUTION: The composition for forming the zinc oxide thin film contains in its electron-donating organic solvent: an organic zinc compound represented by general formula (1) R
1 -Zn-R
1 (in the formula, R
1 is an alkyl group); and an organic group 3B element compound represented by general formula (2) (in the formula, M is a group 3B element; and R
2 , R
3 and R
4 are independently hydrogen or an alkyl group). A molar ratio of the organic group 3B element compound to the organic zinc compound is in a range of 0.001 to 0.3. The process for production of the doped zinc oxide thin film to form the zinc oxide thin film with the doped group 3B element includes spray coating of the composition on a substrate surface under an atmospheric pressure or under an added pressure, under an atmosphere of water existence, and under a condition of substrate temperature of 300°C or less.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于生产掺杂的氧化锌薄膜的组合物，通过该组合物可以获得具有透明度和低电阻的氧化锌薄膜，而不在膜制造阶段加热或在300℃加热即使加热，也可以使用该组合物提供生产掺杂的氧化锌薄膜的工艺。解决方案：用于形成氧化锌薄膜的组合物在其给电子有机溶剂中含有：由通式（1）表示的有机锌化合物R 1 -Zn-R 1 （式中，R 1 为烷基）; 和通式（2）表示的有机基团3B元素化合物（式中，M为第3B族元素，R SP 3，R SP，R SP > 4 独立地是氢或烷基）。有机基团3B元素化合物与有机锌化合物的摩尔比为0.001〜0.3。用掺杂的3B族元素形成氧化锌薄膜的掺杂氧化锌薄膜的制造方法包括在大气压或加压下，在水存在的气氛下，在基板表面上喷涂该组合物，并且在基板温度为300℃以下的条件下进行。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2010245238A Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same, as well as method of manufacturing sulfide sintered compact target 审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法，以及制造硫化物烧结紧凑目标的方法
公开(公告)号：JP2010245238A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2009091572
申请日：2009-04-03
申请人： Promatic Kk , Univ Of Miyazaki , プロマティック株式会社 , 国立大学法人宮崎大学
发明人： FUKUSHIMA KAZUHIRO , UEHARA MASATSUGU , YOSHINO KENJI
IPC分类号： H01L31/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a photoelectric conversion element using a CZTS semiconductor light absorbing layer of high quality, at ≤250°C, without using toxic gas such as hydrogen sulfide, being stable, safe, and low cost. SOLUTION: A p-type semiconductor light absorbing layer is laminated on a base material, being sandwiched between an n-type semiconductor transparent conductive film and a metal electrode, the p-type semiconductor light absorbing layer contains copper, zinc, tin, and sulfur, the composition ratio of copper/(zinc+tin) is ≥70 atom%, less than 100 atom%, further, the softening point or melting point of the base material is made to be ≤350°C. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题为了在不使用硫化氢等有毒气体的情况下，在≤250℃下实现使用高质量的CZTS半导体光吸收层的光电转换元件，稳定，安全，成本低。解决方案：p型半导体光吸收层层叠在基材上，夹在n型半导体透明导电膜和金属电极之间，p型半导体光吸收层含有铜，锌，锡和硫，铜/（锌+锡）的组成比为≥70原子％，小于100原子％，此外，基材的软化点或熔点为≤350℃。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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