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1. 发明专利

JP2015053391A 太陽電池用化合物半導体ナノ粒子の作製方法有权
标题翻译：用于生产用于太阳能电池的化合物半导体纳米颗粒的方法
公开(公告)号：JP2015053391A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185403
申请日：2013-09-06
申请人：国立大学法人宮崎大学 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 国立大学法人九州工業大学 , Kyushu Institute Of Technology , 国立大学法人電気通信大学 , Univ Of Electro-Communications
发明人： YOSHINO KENJI , HAYASE SHUJI , SHYAM SUDHIR PANDEY , TOYODA TARO , QING SHEN
IPC分类号： H01L31/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G3/12 , C01G9/08 , C01G15/00 , C01G19/00 , C07C329/12
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】太陽電池の光吸収層を形成する金属材料の硫化物ナノ粒子を、低コストで容易に作製する方法を提供する。【解決手段】金属硫化物ナノ粒子を作製する方法において、キサンテートを配位した金属錯体を、不活性雰囲気下で加熱する。金属キサンテートは、金属イオンにキサンテートを配位させた分子構造である。この金属キサンテートを加熱して金属硫化物であるナノ粒子を作製する。このため、非真空プロセス、かつ、低温で容易に光吸収層を形成することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易生产形成太阳能电池的光吸收层的金属材料的低成本硫化物纳米颗粒的方法。解决方案：在金属硫化物纳米颗粒的制备方法中，将黄原酸盐为协调在惰性气氛下加热。金属黄原酸盐具有其中金属离子与黄原酸酯配位的分子结构。通过加热该金属黄原酸盐来生产金属硫化物的纳米颗粒。为此，可以在低温下的非真空工艺中容易地形成光吸收层。

2. 发明专利

JP2015053392A 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法有权
标题翻译：用复合半导体纳米材料生产光吸收层的方法
公开(公告)号：JP2015053392A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185404
申请日：2013-09-06
申请人：国立大学法人宮崎大学 , Univ Of Miyazaki , 国立大学法人宮崎大学 , 国立大学法人九州工業大学 , Kyushu Institute Of Technology , 国立大学法人電気通信大学 , Univ Of Electro-Communications
发明人： YOSHINO KENJI , HAYASE SHUJI , SHYAM SUDHIR PANDEY , TOYODA TARO , QING SHEN
IPC分类号： H01L31/06 , H01L51/42
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：【課題】太陽電池の光吸収層を、非真空プロセスかつ低温で容易に作製する方法を提供する。【解決手段】太陽電池の光吸収層を作製する方法において、キサンテートを配位した金属錯体を、複数混合して溶媒に溶かして溶解液とする第一工程と、溶解液を電極が形成された基板に塗布する第二工程と、基板に塗布された溶解液の溶媒を、不活性ガス雰囲気で70℃〜90℃の温度で蒸発させる第三工程と、溶媒を蒸発させた後、不活性ガス雰囲気で100℃〜300℃の温度で加熱焼成する第四工程とから、非真空プロセス、かつ、低温で光吸収層を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以低成本在非真空工艺中容易地制造太阳能电池的光吸收层的方法。解决方案：在制造太阳能电池的光吸收层的方法中，光吸收层可以在低温下通过以下步骤在非真空过程中形成：将其中配位有黄原酸盐的多种金属配合物混合并将该混合金属络合物溶解在溶剂中的第一步骤，得到溶液; 将溶液施加到其上形成有电极的基板的第二步骤; 在70-90℃的温度下在惰性气体气氛中蒸发施加到基材上的溶液的溶剂的第三步骤; 以及蒸发溶剂的第四步骤，然后在惰性气体气氛中在100-300℃的温度下加热和烘烤该溶液。

3. 发明专利

JP2012173171A Method for evaluation of multiple exciton generation state in semiconductor 审中-公开
标题翻译：用于评估半导体中多个激子产生状态的方法
公开(公告)号：JP2012173171A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2011036258
申请日：2011-02-22
申请人： Univ Of Electro-Communications , Chuo Univ , 国立大学法人電気通信大学 , 学校法人中央大学
发明人： QING SHEN , KATAYAMA KENJI , TOYODA TARO
IPC分类号： G01N21/17 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To evaluate a generation state of multiple exciton in a semiconductor.SOLUTION: A method for evaluation of multiple exciton generation state in a semiconductor includes: a step for arranging a standard sample behind a diffraction grating in a movable manner; a step for letting a first laser beam as an excitation light and a second laser beam as a probe light enter the standard sample through the diffraction grating, and using the first laser beam to generate light with a striped intensity distribution within the standard sample; a step for observing a diffracted light from the diffraction grating and the standard sample, and identifying a position of the standard sample where the diffracted light disappears by a change in an imaginary part of a complex refractive index of the standard sample; a step for arranging a measurement sample including a semiconductor at the identified position; a step for letting the first and second laser beams enter the measurement sample through the diffraction grating, and using the first laser beam to generate the light with the striped intensity distribution within the measurement sample; and a step for observing the diffracted light from the diffraction grating and the measurement sample.
摘要翻译：要解决的问题：评估半导体中多个激子的产生状态。解决方案：用于评估半导体中的多个激子产生状态的方法包括：以可移动的方式在衍射光栅后面布置标准样品的步骤; 使作为激发光的第一激光束和第二激光束作为探测光的步骤通过衍射光栅进入标准样品，并且使用第一激光束产生在标准样品内具有条纹强度分布的光; 用于观察来自衍射光栅和标准样品的衍射光的步骤，以及通过标准样品的复折射率的虚部的变化来识别衍射光消失的标准样品的位置; 将包括半导体的测量样品布置在所述识别位置的步骤; 使第一和第二激光束通过衍射光栅进入测量样品的步骤，并且使用第一激光束产生具有测量样品内的条纹强度分布的光; 以及用于观察来自衍射光栅和测量样品的衍射光的步骤。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2013110209A Quantum dot absorption substrate and quantum dot absorption substrate manufacturing method 审中-公开
标题翻译：量子吸收基板和量子吸收基板制造方法
公开(公告)号：JP2013110209A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2011252701
申请日：2011-11-18
申请人： Univ Of Electro-Communications , 国立大学法人電気通信大学
发明人： QING SHEN , TOYODA TARO , ONISHI YOHEI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quantum dot absorption substrate and a quantum dot absorption substrate manufacturing method, which can improve photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A quantum dot absorption substrate manufacturing method comprises: arranging an inverse opal structure of TiOthat serves as a photoelectric conversion layer 102 on a substrate 101; immersing in a CdS formation solution for a predetermined time, the substrate 101 on which the photoelectric conversion layer 102 having the inverse opal structure TiOis arranged, to cause CdS quantum dots to be absorbed by a skeleton surface of the photoelectric conversion layer 102 of the inverse opal structure and by a surface of the photoelectric conversion layer 102 on the substrate 101 to form a first photosensitization layer 103; and similarly, forming a second photosensitization layer 104 by immersing the substrate 101 in a CdSe formation solution.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以提高光电转换效率的量子点吸收基板和量子点吸收基板的制造方法。解决方案：量子点吸收衬底制造方法包括：在衬底101上布置用作光电转换层102的TiO 2 的反蛋白石结构; 将CdS形成溶液浸渍在规定时间内，配置具有反蛋白石结构TiO 2 的光电转换层102的基板101，使CdS量子点为由反蛋白石结构的光电转换层102的骨架表面和基板101上的光电转换层102的表面吸收，形成第一光敏层103; 并且类似地，通过将衬底101浸入CdSe形成溶液中形成第二光敏层104。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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