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1. 发明专利

JPWO2014030490A1 回路設計支援装置、方法及びプログラム有权
标题翻译：电路设计支持装置，方法和程序
公开(公告)号：JPWO2014030490A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2014531556
申请日：2013-07-19
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：崎村　昇 , 昇崎村 , 杉林　直彦 , 直彦杉林 , 洋紀小池 , 洋紀小池 , 哲郎遠藤 , 哲郎遠藤 , 貴弘羽生 , 貴弘羽生 , 大野　英男 , 英男大野
IPC分类号： G06F17/50 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G06F17/5036
摘要：回路設計支援装置30は、スピントロニクス集積回路の構成を表す回路情報からMTJ素子を識別するMTJ素子識別部33と、MTJ素子の特性を表すMTJ素子特性情報と識別されたMTJ素子に供給される電流値とに基づいて、磁化反転を生じさせるか否かを判断する磁化反転判断部35と、MTJ素子の供給される電流値と磁化に関する時定数との関係を異なる理論モデルに基づいて近似した第1及び第2の式を記憶する近似式記憶部37と、MTJ素子の抵抗値を出力する動作情報出力部36とを備える。磁化反転判断部は、第1及び第2の式に基づいて磁化反転に要する時定数を演算する第1の演算手段と、演算された時定数から磁化反転確率を演算する第2の演算手段とを有し、磁化反転確率に基づいて磁化反転を生じさせるか否かを判断する。これにより、MTJ素子を含む集積回路の動作シミュレーションを高速且つ高精度に実施できる。
摘要翻译：电路设计支持装置30包括MTJ元件识别部分33识别从电路信息，表示集成电路自旋电子学的构造的MTJ元件中，电流供给到被识别为表示所述MTJ元件的特性MTJ元件特性信息的MTJ元件基于该值，磁化反转判断部35用于判断是否引起磁化反转的基础上，常数用于磁化的电流供给到MTJ元件的值的时间不同的理论模型的近似关系它包括一个近似式存储部37，用于存储第一和第二方程，以及用于输出所述MTJ元件的电阻值的操作信息输出部36。磁化反转判断单元包括：第一计算装置，用于计算用于基于所述第一和第二方程中的磁化反转所需的时间恒定，则第二计算装置，用于从所计算的时间常数来计算磁化反转概率它必须确定是否基于磁化反转概率事业磁化反转。因此，包括MTJ元件的集成电路的运动模拟可以以高速和高精度地进行。

2. 发明专利

JPWO2013099536A1 集積回路有权
标题翻译：集成电路
公开(公告)号：JPWO2013099536A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2013551554
申请日：2012-12-04
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：哲郎遠藤 , 哲郎遠藤 , 隆大澤 , 隆大澤 , 洋紀小池 , 洋紀小池 , 貴弘羽生 , 貴弘羽生 , 大野　英男 , 英男大野
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0038 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C14/00 , G11C14/0081 , G11C15/046 , G11C19/02 , G11C29/50012 , H03K3/356139 , H03K3/59 , H03K19/18
摘要：従来のSTT−MTJ素子等を用いたラッチ回路を高速に動作させる場合に生じた、消費電力の増大ならびにスイッチング確率の低下がない集積回路を提供するもので、集積回路1は、書き込み信号が入力された後一定の期間τの経過後に書き換えが起こる記憶素子1Bと、回路を構築する基本素子で構成されるデータ保持機能を有する基本回路1Aと、を備えていて、基本回路1Aの情報処理中における第1の動作モードでの動作周波数f1が、τ>λ1/f1(0
摘要翻译：发生使用常规STT-MTJ元件或以高速等，一个提供了一种集成电路减少不增加和功耗的切换概率，集成电路1中，写信号输入操作闩锁电路时存储器元件1B被改写后的时间τ的一定时间后发生时，设置有，具有被配置在数据的基本元素保持功能建立一个电路中的基本电路1A的信息处理的基本电路1A 在，τ>λ1/ f1上的第一操作模式操作频率f1;并且满足（0 <λ1＆NLE 1）的关系。

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